Электропроводность недостатке электронов

Сущность электропроводности и электролиза. Аккумулятор, подобно другим аналогичным источникам электрического тока, представляет собой прибор, у которого, благодаря протекающим внутри его процессам, на одном из электродов происходит скопление избытка частиц отрицательного электричества—электронов, вследствие чего этот электрод приобретает отрицательный заряд. На катоде создается как бы давление электронов. На аноде же, наоборот, наблюдается недостаток электронов, чем и обусловливается его положительный заряд. Если оба электрода аккумулятора соеди- [c.152]

Все те свойства, которые указывают на наличие дефектов — электропроводность, механическая прочность и т. д., отнесены Смекалом к классу структурно-чувствительных свойств. Согласно теории о реакциях в однокомпонентных кристаллических твердых веществах, диэлектрические свойства имеют особое значение и в основном зависят от термической предыстории данного твердого агрегата. Типичным примером в этом отнощении служит явление полупроводимости, которая обозначается как р-тип, если в кристаллической структуре имеется недостаток катионов ( дырочная проводимость), или как и-тип — в случае избытка катионов (электронная проводимость). [c.699]

Переходя к частным замечаниям о недостатках отдельных теорий, отметим, что первая теория Мотта не может объяснить образование предельной пленки на железе, так как затруднений для прохождения электронов через слой окиси железа нельзя ожидать он обладает достаточно большой электропроводностью и при низких температурах. Особенно существенный недостаток этой теории Мотта заключается в том, что она опирается на неопределенное значение работы выхода электрона из металла в окись. Недавно проведенные фотоэлектрические опыты [26], а также исследования Д. В. Игнатова [38] показывают, что освещение алюминия ультрафиолетовыми лучами, которое, по Мотту, должно ускорять процесс окисления металла, не изменяет характера темпового процесса. Таким образом, теория образования окисных пленок Мотта, основанная на представлениях о торможении перехода электронов из металла к границе окись — газ и об облегчении этого перехода из-за наличия квантово-механического туннель-эффекта, лишается своих оснований и должна быть оставлена. Аналогичное заключение нужно сделать и в отношении высказанного П. Д. Данковым предположения о применимости квантово-механической схемы перехода электронов от металла к адсорбированным атомам кислорода для объяснения замедленного роста окисной пленки на алюминии за счет диффузии кислорода к металлу [20]. [c.189]

При наличии очень небольших, но контролируемых количеств примесей в правильной кристаллической решетке, либо при небольшом избытке одного из компонентов твердого вещества, или же просто при наличии вакансий в кристаллической решетке образуются так называемые дефектные кристаллы. Каждый из таких дефектов— примесь, избыточный компонент или вакансия — обусловливает недостаток или избыток валентных электронов, необходимых для образования связи между частицами кристалла, и поэтому придает веществу новые свойства. Например, в кристалле элементарного кремния атом кремния может быть замещен атомом алюминия, что обусловливает недостаток в один электрон, поскольку атом алюминия имеет только три валентных электрона, а атомы кремния — четыре. Появление в решетке атома, которому недостает валентных электронов для образования должного числа ковалентных связей, приводит к образованию электронной вакансии, или так называемой дырки. При наложении на кристалл электрического потенциала дырка начинает мигрировать и в результате у кристалла появляется особый вид электропроводности подобные кристаллы называют полупроводниками. Если замещающий атом обладает избытком электронов, лишние электроны не принимают участия в образовании ковалентных связей и могут свободно перемещаться по кристаллу под влиянием приложенного внешнего потенциала. Такой полупроводник относится к п-типу (его проводимость обусловлена наличием свободных отрицательных зарядов, отрицательный по-английски negative), а полупроводники с недостатком электронов относятся к р-типу (их проводимость обусловлена наличием свободных положительных зарядов — дырок, положительный по-английски positive). Строение полупроводников этих типов схематически изображено на рис. 10.22. [c.183]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология