Электропроводность электронная

В соответствии с физической природой зарядов, создающих электрический ток, различают три вида электропроводности электронную ионную смешанную. При третьем виде в электропроводности принимают участие как электроны, так и ионы. [c.411]

У полупроводников зона проводимости отделена от валентной зоны интервалом запрещенных энергий 7 = 20—300 кДж. Для появления электропроводности электрон надо перевести из нижней ва- [c.161]

Фононы (см. разд. 3.4.) с энергией кч (где V —частота колебаний осциллятора) распространяются по кристаллу в направлении температурного градиента, рассеиваясь на дефектах и других фононах, и переносят тепло по кристаллу. Как и при определении теплоемкости, здесь необходимо учитывать вклад электронов проводимости в теплопроводность. Как электропроводность, электронная составляющая теплопроводности определяется рассеянием электронов на дефектах решетки. Относительный вклад в теплопроводность электронов и фононов для разных кристаллов различен. [c.85]

В твердых телах протекание электрического тока обусловлено переносом зарядов либо ионами (электрические или ионные проводники), либо электронами (электронные проводники). По величине электропроводности электронные проводники подразделяют на три класса металлы, полупроводники и изоляторы (диэлектрики) . Примерные области значений удельной электропроводности х, характерные для этих классов, представлены ниже [c.274]

Карбиды этой группы обладают значительной электропроводностью (электронной и полупроводниковой) и высокой коррозионной стойкостью. Некоторые из них разлагаются при нагревании лишь со смесью концентрированных кислот, например [c.142]

Полупроводники характеризуются двумя видами электропроводности электронной и дырочной. Рассмотрим этот вопрос на конкретном примере. Представим себе кристалл идеально чистого кремния (... Зр ). Каждый атом его имеет четыре валентных электрона, с помощью которых он образует в кристаллической решетке ковалентную связь с четырьмя соседними атомами. Следовательно, каждый атом связан восемью электронами четырьмя своими и по одному от каждого соседнего атома. При нагревании или облучении кристалла атомы приходят в колебательное движение, а электроны, получив энергию, достаточную для преодоления силы связи с атомами, отрываются от них. Освободившиеся таким образом электроны беспорядочно перемещаются в кристалле. Эти электроны и обусловливают электронную проводимость. [c.249]

ТОЙ же полосы и, следовательно, не могут свободно передвигаться в пространстве под действием внешнего электрического поля ). Поэтому для осуществления электропроводности электронного характера необходимо наличие электронов в верхней, не полностью заполненной полосе энергетических уровней. На этом основании эту полосу называют полосой проводимости. [c.116]

Как мы указали ранее, различаются два вида электропроводности электронная и ионная. [c.24]

Под действием разности потенциалов, приложенной извне, свободные электроны передвигаются в направлении положительного полюса источника тока и таким образом осуществляют перенос электричества по проводнику. Высокая электропроводность (электронная проводимость) характерна для металлов только в твердом и жидком состояниях. В парообразном состоянии металлы теряют электронную проводимость и не отличаются от других паров и газов. [c.23]

Данные о подвижности указывали, однако, что возникающий при диссоциации электрон не является свободным в обычном смысле, как это имеет место, например, в металлах. Действительно, эквивалентная электропроводность электронов в разбавленных растворах составляет Кдл = 1000 0 см [14], так что подвижность равна [c.10]

В настоящее время люжно лишь сказать, что наиболее существенной частицей в таких растворах является, по-видимому, димер. Поскольку растворы металлов в эфирах обладают низкой электропроводностью, электроны и катионы должны быть тесно связанными между собой. Можно предположить, что синие частицы парамагнитны, но в системе, вероятно, происходят те или иные обменные процессы со скоростью, достаточной для уширения сверхтонких компонент в условиях опыта. [c.77]

Исследование спектров фононных и плазмонных потерь позволяет получить соответственно для ядер и электронов динамические структурные характеристики, которые связаны с такими характеристиками материалов, как прочность, сжимаемость, скорость звука и т. д. Эти методы требуют высокой монохроматичности первичного излучения, поэтому их применение стало возможным только в связи с развитием применения синхротронного излучения, о чем речь пойдет дальше. Спектры плазмонных колебаний электронов в зоне проводимости металлов, полупроводников и сверхпроводников содержат информацию о механизме электропроводности, электронных переходах, т. е. о зонной структуре кластера. [c.62]

Как правило, в металлах имеется несколько частично заполненных зон. Они носят название зон проводимости. Именно эти зоны ответственны за металлические свойства металлов, в частности за электропроводность. Электроны, однородно заполняющие р-пространство и принадлежащие глубинным зонам практически не принимают участия в тепловом движении ), так как для их возбуждения т. е. для перехода в зоны проводимости нул<ны энергии порядка нескольких электронвольт. Поэтому одной из наиболее существенных характеристик металла является число электронов в частично заполненных зонах (Л/ ), которое, как ясно из предыдущего, должно весьма слабо зависеть от температуры. Полное число электронов в незаполненных зонах, по-видимому, должно быть равно целому числу, умноженному на число атомов в кристалле. [c.110]

Известны два механизма электропроводности электронный и ионный, отличающиеся как токами (соответственно, электронный и ионный), так и величинами удельных сопротивлений. [c.41]

При изучении хемосорбции СО и Од на 2пО и N10 было обнаружено [36, 37], что введение Ь1аО уменьшает электропроводность электронного полупроводника ХпО и увеличивает электропроводность дырочного полупроводника N10 в соответствии с электронной теорией полупроводников. В то же время ЫаО ускоряет хемосорбцию О2 — акцептора электронов — на ХпО и N10 и подавляет хемосорбцию СО — донора электронов, что непосредственно не вытекает из изложенных выше представлений. [c.11]

Исследовано изменение электропроводности электронных полупроводников — фотокатализаторов окисления воды -— окиси цинка, двуокиси титана и трехокиси вольфрама. При освещении близким ультрафиолетовым излучением электропроводность порощкообразных образцов в вакуумных условиях увеличивается на несколько порядков и очень медленно уменьшается в темноте. Введение в реакционный сосуд кислорода или паров воды в темноте вызывает быстрое падение электропроводности, интерпретируемое как захват электронов проводимости молекулами кислорода или радикалами гидроксила. Исследована зависимость этого падения от температуры полупроводника и предварительного освещения в парах воды, а также влияние на него адсорбированного красителя. [c.87]

Электропроводность молекулярных кристаллов обычно очень низка вследствие малой подвижности и концентрации носителей. В антрацене, например, движение электрона по кристаллу связано с преодолением потенциального барьера при переходах от одной молекулы к другой, так как электронные функции молекул перекрываются слабо. Аналогичная ситуация имеет место в некоторых полупроводниках, таких, как окислы переходных металлов (ем. гл. 3), где катионы находятся в двух валентных состояниях и электрон переходит от одного катиона к другому. В молекулах ароматических соединений электропроводность (электронная или дырочная) обеспечивается за счет л-орбиталей. Фотовозбуждением или введением внолупро- [c.74]

Современная электронная теория металлов и полупроводников исходит из того, что нрп соединении отдельных атомов в кристаллическую решётку энергетические уровни электронов смещаются под действием электрических полей соседних атомов так, что возможные уровни энергии всей совокупности электронов в атомах, составляющих кристаллическую решётку твёрдого тола, превращаются из дискретных далеко отстояпцгх друг от друга атомных энергетических уровней в целые энергетические ПОЛОСЫ)) с густо расиоложенными в них возможными, т. е. удовлетворяющими квантовым законам, уровнями. В металлах энергетические полосы перекрывают друг друга, и поэтому, несмотря на дискретность отдельных фовней, распределение по энергиям может быть представлено законом распределения Ферми с точностью, достаточной для решения многих вопросов, в том числе и для построения теории термоэлектронной эмиссии металлов. В случае диэлектриков и полупроводников возможные но квантовым законам полосы энергии не перекрываются, а отделены друг от друга запрещёнными зонами, как это схематически показано на рис. 8 для диэлектриков и на рис. 9 для полупроводников. Так же как и в металлах, при низких температурах заняты все нижние энергетические уровни. Выше полностью занятых энергетических полос лежат другие незаполненные, но возможные полосы энергетических уровней. Переход электронов на уровни этих полос может иметь место за счёт энергии теплового движения атомов кристаллической решётки или за счёт поглощения электронами световых квантов, проникающих внутрь кристалла. Так как в нижних полосах все уровни заняты, то электроны, энергетическое состояние которых соответствует етим полосам, не могут переходить в другое энергетическое состояние, лежащее в пределах той же полосы, а поэтому не могут свободно передвигаться в пространстве под действием внешнего электрического поля. Для осуществления электропроводности электронного характера необходимо наличие электронов в верхней, незаполненной полосе энергетических уровней, называемой полосой проводимости. [c.45]

В 11 на основании анализа диаграммы п —Т показано, что в плазме могут реализоваться условия, при которь[х электронная компонента ведет себя как идеальный газ. Тогда ее электронные свойства Д10ЖН0 описать с п()мош,ью аппарата теории хгдеальных газов. Применительно к кинетическим электронным свойствам становится возмояшым исиользование методов кинетической теории газов, опирающейся на понятия эффективных сечений взаимодействий и длины свободного пробега. К свойствам плазмы, описываемым таким образом, относятся, например, время релаксации электронов, электропроводность, электронная теплопроводность, электронная диффузия, термоэлектрический коэффициент и др. [c.279]

Чтобы проверить, не обусловлена ли электропроводность электронной электропроводностью слоя СпаВга, через аппарат при выключенном постоянном токе при температуре 375° в течение двух часов пропускался ток азота. При этом сила тока, протекающего через электролизер, упала с 19 до 9.3 ра. Введение КВг в систему вызвало мгновенное увеличение силы тока до 18.5 ра. Таким образом, высокая электропроводность пленки СпаВга, очевидно, обусловлена адсорбированным в ней КВг. [c.64]

С понижением температуры и повыщением чистоты металла длина свободного пробега может оказаться сравнимой и даже значительно больше толщины пленки d или радиуса проволоки R. Естественпо, что в этих условиях существенную роль начинают играть столкновения электронов с границами образца. В предельном случае I R среднее значение электропроводности по сечению цилиндрической проволоки или плоскопараллельной пластинки может быть вычислено без специальных предположений о законе дисперсии электронов проводимости [176]. Порядок величины электропроводности в этом случае можно получить, если в обычной формуле (например, в формуле (24.13)), заменить длину пробега радиусом R для цилиндра и величиной d n l/d) для пластины. Появление большого логарифма связано с вкладом в электропроводность электронов, двигающихся параллельно поверхности и вовсе с ней не сталкивающихся. [c.210]

Химия и радиоматериалы (1970) -- [ c.78 ]

Химия несовершенных ионных кристаллов (1975) -- [ c.86 , c.208 ]

Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников Издание 2 (1973) -- [ c.523 ]

Введение в химию полупроводников Издание 2 (1975) -- [ c.47 , c.49 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология