Свободные радикалы донорно-акцепторные свойства

Квантовомеханическое исследование процесса взаимодействия молекулы газа с поверхностью кристалла показывает, что в зависимости от вида молекулы и кристаллической решетки такое взаимодействие может быть различным как по характеру образующейся связи и прочности ее, так и по изменению свойств молекулы в адсорбированном состоянии. В образовании связи могут принимать участие электроны или дырки кристаллической решетки ( 55). Связь может образоваться не только за счет имевшихся свободных валентностей поверхностных атомов, но и за счет валентностей, возникающих при взаимодействии поверхностных атомов с молекулой газа. В хемосорбированном состоянии молекула может вновь оказаться в валентно насыщенном состоянии или перейти в состояние радикала или в ионо-радикальную форму. Во многих случаях за время пребывания молекулы в хемосорбированном состоянии может измениться характер связи ее с поверхностью кристалла, состояние ее и энергия связи. Для полупроводниковых адсорбентов введение донорных или акцепторных примесей, вызывая изменение в соотношении энергетических уровней электронов в кристалле, может влиять на характер хемосорбционных процессов. Подобное же влияние могут оказывать и различные структурные дефекты поверхности. [c.365]

Взаимодействие хемосорбированного радикала, находящегося в состоянии слабой связи, с кристаллом может привести к упрочнению связи. При этом в зависимости от свойств свободных радикалов, а также типа кристалла и состояния его поверхности упрочнение связи может сопровождаться захватом электрона — прочная акцепторная связь ReL или захватом дырки — прочная донорная связь RpL. [c.94]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология