Электропроводность дырочная полупроводников типа

Полупроводник, электропроводность которого обусловлена электронами в зоне проводимости, носит название электронного полупроводника (или полупроводника -типа ) если же электропроводность связана с дырками в валентной зоне, то говорят о дырочном полупроводнике (или полупроводнике р-типа ). Знак носителей тока и, следовательно, тип полупроводника можно определить с помощью эффекта Холла. [c.120]

Электропроводность полупроводников, обусловленную электронами (переходящими в зону проводимости с близко к ней расположенных донорных уровней) и дырками (образующимися в результате перехода электрона из валентной зоны на близлежащий акцепторный уровень), часто называют соответственно электронной (п-тип) и дырочной (р-тип) проводимостью.— Прим. ред. [c.174]

Дефекты структур кристаллов также влияют на электропроводность полупроводников, обычно вызывая дырочную проводимость. В зависимости от преобладания того ИЛИ иного типа проводимости различают полупроводники п-типа и полупроводники р-типа. [c.151]

Сульфид свинца может проявлять свойства как п-полупроводника, так и р-полупроводника в зависимости от характера нарушения стехиометрии. Сульфид, содержащий избыток свинца, действует как электронный проводник. Избыточное содержание серы ведет к появлению дырочной электропроводности, а образцы с минимальной проводимостью имеют смешанную электропроводность, т. е. содержат как электроны, так и дырки (амфотерный тип разупорядоченности). Такой тип амфотерной электропроводности доказан также и у оксидов щелочноземельных металлов. [c.289]

Между каталитической активностью полупроводника и его электропроводностью имеется определенная связь, которая может быть симбатной и антибатной, что зависит от рода полупроводника и типа реакции. Симбатной она является в случае реакций, скорость которых тем больше, чем выше уровень Ферми ( акцепторные реакции ), протекающих на полупроводниках с электронной или дырочной проводимостью. Симбатной она будет также и в случае реакций, скорость которых понижается с повышением уровня Ферми ( донорные реакции ) и которые протекают на полупроводниках с п- или р-проводимостью. Во всех других случаях эта связь будет антибатной (Волькенштейн [192], Гарнер [182], Вагнер, Хауффе [153], Боресков [178]). [c.248]

Для окислов п-типа (УгОз, 2пО) концентрация свободных электронов в приповерхностном слое будет уменьшаться вследствие перехода электрона от твердого тела к хемосорбированной молекуле. Для окислов р-типа (N10, СиаО) концентрация дырок в слоях, расположенных вблизи поверхности, будет возрастать при хемосорбции акцепторных молекул. Направление перехода электрона зависит от положения уровня Ферми в кристалле и энерге-тического уровня хемосорбированной молекулы. Положение уровня Ферми определяет концентрацию дырочного и электронного газа на поверхности. При хемосорбции, когда электрон или дырка из твердого тела переходит на адсорбированную молекулу, поверхность полупроводника заряжается, и в приповерхностном слое возникает объемный заряд противоположного знака. В результате такого процесса наблюдается искривление энергетических зон вблизи поверхности полупроводника [212]. Вследствие искривления зон положение уровня Ферми на поверхности кристалла сдвинуто по сравнению с положением его в объеме на величину Ае. Такое изменение положения уровня Ферми сопровождается изменением концентрации свободных электронов и дырок и вызывает изменение электропроводности Да чем больше Ае, тем больше Аст. Изменение работы выхода электрона А<р = —Ае (если пренебречь влиянием дипольного момента у нейтральной молекулы). Работа выхода электрона изменяется в зависимости от степени заполнения поверхности адсорбированными молекулами. Увеличение работы выхода наблюдается при адсорбции акцепторных, а уменьшение — [c.73]

В том случае, когда поток электронов направлен от твердого вещества i адсорбированной фазе, процесс называется анионной хемисорбцией. Когда твердое вещество является полупроводником с избытколг электронов, п-полупроводником, происходит уменьшение числа свободных электронов в поверхностной зоне твердого тела и, следовательно, уменьшение его электропроводности. В толг случае, когда твердое тело представляет собой дырочный полупроводник ( 0-полупроводник), адсорбция с передачей электрона от полупроводника к адсорбированной фа."е будет приводить к увеличению числа положительных дырок и должно наблюдаться увеличение электропроводности. Вместе с тем передача электронов от адсорбента к твердому веществу сопровождается катионной хеыисорб-цией. Увеличение концентрации э.лектронов твердого вещества будет приводить к увеличению электропроводности в проводнике п-типа и уменьшению проводимости в р-полупроводнике. [c.371]

В последнее время стали применять в качестве полупроводников также и химические соединения, в первую очередь между элементами третьей ж пятой групп (полупроводники типа В ). Особенно ценными свойствами обладают сурьмянистый индии 1п8Ь, чувствительный к инфракрасному свету с очень большой длиной волны и ьшшьяковистый галлий ОаАз, в котором рекомбинация электронов и дырок дает интенсивное световое излучение (квантовый генератор света или полупроводниковый лазер, превращающий энергию электрического тока непосредственно в световую). Полупроводниковыми свойствами обладают и многие окислы. Так, окись цинка является электронным полупроводником роль доноров играют при этом избыточные атомы или однозарядные ионы цинка. Окись меди(1) является дырочным полупроводником роль акцепторов играют избыточные атомы кислорода. Однако подвижность носителей тока (электронов или дырок) в окисных полупроводниках низка, так что для радиотехники они менее ценны. Для выпрямления сильных токов используют тонкий слой окиси меди(1), нанесенный окислительным процессом на поверхность металлической меди (купроксный выпрямитель). Это — простейший аналог полупроводникового диода, в котором, однако, роль электронного проводника играет обычный металл. Свойства окисных полупроводников сильно зависят от состояния их поверхности. Так, электропроводность окиси цинка понижается в атмосфере кислорода, который адсорбируется поверхностью и захватывает свободные электроны. Способность окислов ускорять (катализировать) газовые реакции связана с полупроводниковыми свойствами, т. е. с наличием свободных электронов.— Доп. ред. [c.457]

Полупроводниковые свойства РсгОз напоминают свойства окиси никеля (II), если не считать его амфотерность. Как показали измерения эффекта Холла и термо-э. д. с., а-РеаОз в зависимости от обработки в окислительной или восстановительной среде может быть электронным или дырочным полупроводником. Это же подтверждается тем, что электропроводность РезОз при 1000° С не зависит от парциального давления кислорода. При окислении РеаОз п-типа происходит переход в р-тип за счет возникновения вакансий в подрешетке железа, играющих роль акцепторных уровней. В чистой а-РсаОз преобладает собственная разупорядоченность и собственная проводимость, которая при малейших нарушениях стехиометрии уступает место электронной или дырочной проводимости. Ширина запрещенной зоны окиси железа (III) около 1,5—1,6 эв, а донорные уровни расположены на расстоянии 0,7 эв от дна зоны проводимости. [c.169]

Нам представляются поспешными выводы большинства указанных работ, тем более что, как правило, в этих работах не было настоящего систематического и количественного сопоставления электроироводности с каталитическим действием и сравнивались экспериментальные данные по каталитическим свойствам одних образцов с литературными данными по электропроводности других образцов, снятыми к тому же в совсем иных условиях. Между тем внесение ясности в этот вопрос весьма существенно для дальнейшего развития электронных представлений в катализе. По аналогии с некоторыми физическими явлениями, при которых дырочные и электронные полупроводники являются антиподами, многие авторы постулируют наличие резких различий в действии полупроводников с различным типом электронной проводимости. По мнению этих авторов, для одних химических реакций в качестве катализаторов должны иметь преимущество электронные полупроводники, а для других — дырочные. Это положение отнюдь не очевидной представляет не более чем догадку, основанную на спорных аналогиях. Следует помнить, что по основным электронным свойствам — по величине энергии возбуждения электрона (дырки), по подвижности носителей тока, по числу этих носителей электронные и дырочные полупроводники очень похожи друг на друга, что явилось причиной позднего обнаружения существования двух типов электронной проводимости как у полупроводников, так в особенности у металлов. Различие здесь в основном биографическое и в типе добавок, увеличивающих и уменьшающих (ослабляющих) электропроводность. [c.128]

При термодинамическом равновесии в системе должны быть справедливы не только формулы (98) и (99), но и формулы (69) и (71). Иными словами, при изменении концентрации носителей за счет введения донорных или акцепторных примесей произве-денне концентрации дырок и концентрации свободных электронов при заданной температуре остается постоянным. Это означает, что увеличение концентрации носителей одного знака влечет за собой уменьшение в концентрации носителей противоположного знака. Те носители, концентрация которых больше, называются основными и определяют величину электропроводности данного кристалла. В соответствии с этим говорят о полупроводниках с электронной или дырочной электропроводностью [п- или р-тип). [c.128]

Катализаторы кислородного электрода топливных элементов на основе окислов металлов переменной валентности и окислов щелочных и других металлов являются весьма перспективными для широкого использования. Исследованы каталитические, полупроводниковые и коррозионные свойства систем типа СиО — LI.O, LIO — ЫгО, Lio — AI2O и других. Изучены механизм и энергия активации образования дырочного перехода и каталитического процесса окисления. Рассмотрены вопросы подвижности кислорода и механиз.ма его внедрения в твердые растворы, термическая диссоциация дырочных комплексов, хемосорбция кислорода, поверхностная электропроводность и каталитическая активность окисных полупроводников, а также механизм работы кислородного электрода. Иллюстраций 14. Библ. 49 назв. [c.375]

Вступающие в контакт фазы часто имеют разные типы электропроводности металлы и полупроводники — электронную (дырочную) растворы электролитов — ионную твердые электролиты — униполярную (катионную или анионную), иногда с некоторой долей электронной электропроводности ионообменники — ионную элект1ропровод- [c.13]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология