Полупроводники дырочные

При наличии в полупроводниковых материалах примесей соотношение числа электронов и дырок может изменяться, т. е. может усиливаться или дырочная, или электронная проводимость. Предположим, что в кристалле кремния в качестве примеси имеются атомы мышьяка (45 4рЗ). При образовании связей с окружающими атомами кремния атомы мышьяка используют четыре своих электрона. Пятый же электрон сравнительно легко возбуждается и переходит в зону проводимости. Таким образом, примесь мышьяка усиливает у кремния электронную проводимость. Наоборот, введение в кристалл кремния атомов бора 2 2р ) приводит к валентной ненасыщенности атомов 51, т. е. усиливает у полупроводника дырочную проводимость. [c.118]

Проводимость полупроводников может быть обусловлена нарушением идеальной периодичности кристаллической решетки, например, за счет примесных атомов постороннего вещества, у которого зона проводимости совпадает с запрещенной зоной основного вещества. При этом если атомы примеси отдают свои электроны, то они попадают только в зону проводимости (рис. П1.35, а). Примеси такого типа называются донорами, а сам кристалл называется полупроводником /г-типа. Когда атомы примеси обладают электроно-акцептор-ными свойствами, они захватывают электроны из заполненной зоны, где образуются пустые места, или дырки, куда и попадают электроны проводимости (рис. П1.35, б). Такое вещество называется полупроводником дырочного, или р-типа. [c.203]

Примеси, сообщающие полупроводнику дырочную проводимость, называются акцепторными. [c.457]

Сульфиды же Мо и являются р-полупроводниками (дырочными). Дырочная их проводимость обусловливает протекание гетеро- [c.565]

Сульфиды же Мо и W являются р-полупроводниками (дырочными). Дырочная их проводимость обусловливает протекание гетеролитических (ионных) реакций, в частности, расщепление -S, -N и С-О связей в гетероорганических соединениях. [c.308]

Как элемент третьей группы, способствующий усилению в полупроводнике дырочной проводимости, галлий (чистотой не меньше 99,999%) применяют как присадку к германию и кремнию. [c.101]

При перескакивании электронов в зону проводимости достигается одновременно два эффекта. С одной стороны, Б валентной зоне образуются свободные места и невозбужденные электроны получают возможность свободнее двигаться, т. е. могут активизироваться в пределах зоны. С другой стороны, в зоне проводимости появятся свободные электроны. Первый эффект характеризуется как дырочная проводимость, а второй — как электронная проводимость полупроводников. В описаниях полупроводник дырочной и электронной проводимости занимает одну и ту же ступень сколько электронов оказалось в зоне проводимости, столько и дырок появилось в валентной зоне. У других полупроводников может преобладать один или другой тип проводимости. Это сложный вопрос, которым пока нам не стоит заниматься. [c.222]

Сульфидные катализаторы являются р-полупроводниками (дырочные). Дырочная проводимость этих веществ обусловлена примесью серы. Поэтому формула сульфида вольфрама ШЗг, 2, а не ШЗг. Под влиянием дырок на поверхности катализаторов возможно протекание гетеролитических процессов в органической среде [c.357]

Согласно [37], вюстит является полупроводником дырочного типа. Так как при его плавлении величина х не меняется скачком, то, вероятно, тот же механизм [c.183]

Когда мы говорим, что в электрохимической реакции участвуют электроны и дырки, физически это означает, что при протекании электродной реакции одна часть электронов переносится от ионов в электролите в зону проводимости (электронный ток), другая часть — в валентную зону полупроводника (дырочный ток). [c.67]

Примесный уровень иногда располагается близко к низшему уровню свободной зоны, а иногда ближе к верхнему краю заполненной зоны. В первом случае атом примеси может легко отдать электрон в зону проводимости, поскольку ему для этого потребуется меньше энергии. Во втором случае атом примеси относительно легко присоединяет электроны, вылавливая их из заполненной зоны. Вследствие этого в заполненной зоне появляется вакантный уровень — дырка , которая ведет себя подобно положительному заряду и может перемещаться в массе вещества. Это также повышает проводимость полупроводника ( дырочная проводимость). [c.441]

При наличии В полупроводниковых материалах примесей соотношение числа электронов и дырок может изменяться, т. е. может усиливаться или дь[рочная, или электронная проводимость. Предположим, что в кристалле кремния в качестве нримсси имеются атом[,1 мьпиьяка (4.s 4p ), При образовании связей с окружаю1и,ими атомами кремния As Sp ) атомы мышьяка используют четыре своих электрона. Пятый же электрон сравнительно легко возбуждается и переходит в зону проводимости. Таким образом, примесь мышьяка усиливает у кремния электронную проводимость. Наоборот, введение в кристалл кремния атомов бора (2s 2p ) приводит к валентной ненасыщенности атомов Si, т, е. усиливает у полупроводника дырочную проводимость (рис. 69). В зависимости от преобладания того или иного вида проводимости различают полупроводники л-типа и полупроводники /)-ти1га. [c.109]

Итак, элементы III группы по отношени о к германию являются акцепторами электронов, сообщая полупроводнику дырочную (положительную) проводимость. В этом случае полупроводник относят к р-типу, или к позитивным (от лат. positivus — положительный). [c.458]

Как показали Н. П. Курин и П. Е. Богданов, чистая окись кобальта обладает значительными каталитическими свойствами в отношении реакции окисления аммиака под давлением. По нашим исследованиям [1], окись алюминия при этих условиях медленно катализирует процесс окисления аммиака с образованием элементарного азота. По опытам Скотта [2], проводившимся при атмосферном давлении, введение окиси алюминия в кобальтовый катализатор увеличивает активность последнего. В этой свя-ви представляло существенный интерес выяснить, как изменяет каталитические свойства окиси кобальта добавка А1гОз при повышенном давлении (8 кГ/см ), особенно имея в виду образование смешанного катализатора из полупроводников дырочной (С03О4) и электронной проводимости (АЬОз) 1], [c.238]

Применяемые в каталитических процессах полупроводники являются примесными. Энергетические уровни примесей могут располагаться в запрещенной зоне, при этом положение уровня Ферми изменяет- ся. Если примесь донорного типа, поставляющая электроны полупроводнику, то уровень Ферми сдвигается ко дну зоны проводшости. Такой полупроводник называется электронным, или полупроводником п -тша. Если же примесь захватывает электроны полупроводника, то уровень Ферми сдвигается ближе к верху валентной зоны. Это случай акцепторной примеси, а полупроводник - дырочный, илч /)-ти-па. Энергетические схемы электронного и дырочного полупроводников представлены на рис.88,б, в. [c.279]

В табл. 22 приведены некоторые данные о полупроводниковых свойствах соединений этой группы. Халькогениды галлия — полупроводники дырочного типа с очень ма.чой подвижностью носителей тока. Электросопротивление GaS достигает 10 °—10 ом-см, оно ниже у GaSe и GaTe в соответствии с увеличением металлического характера связи, что такн е обусловливает падение ширины за- [c.184]

В литературе имеются немногочисленные данные о влиянии на каталитическую активность оказываемом сжатием катализаторов ударной волной. Недавно С. С. Бацанов и Г. К- Боресков с соавторами [40] сообщили весьма интересные сведения о повышении каталитической активности некоторых окислов металлов в реакции окисления окиси углерода. В этих опытах ударное давление составляло от 90 до 330 кбар. В этих условиях было достигнуто устойчивое увеличение каталитической активности на 2—3 порядка, причем указанный эффект наблюдался у катализаторов — окислов с электронным типом проводимости (TiOa, ВаТЮз, ZnO — чистых и с некоторыми добавками). Увеличение активности происходило преимущественно за счет уменьшения энергии активации. Следует отметить, что каталитическая активность закиси никеля, являющейся полупроводником дырочного типа, практически не изменилась. [c.168]

Полупроводниковые свойства теллурида висмута близки к свойствам халькогенидов свинца. Однако по механизму изменения типа проводимости теллурид висмута ведет себя противоположно халькогени-дам свинца. На рис. 94 приведена зависимость концентрации носителей тока в твердой фазе BigTeg от состава жидкой фазы. Принципиальная разница между теллуридом висмута и сульфидом свинца видна при сравнении рис. 94 и 90, б. В сульфиде свинца избыточные против стехиометрии атомы серы переводят PbS в полупроводник дырочного типа. Значит, механизм влияния сверхстехиометричных атомов на тип проводимости у этих веществ различен. [c.196]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология