Сила вращения электронных переходов в диаН

Следовательно, конфигурация полярного остова С—8—8—С во всех дисульфидах одинакова независимо от строения и размеров радикалов R. Измерения Д. М. при различных температурах (15 и 40°) показали, что в этих условиях свободного вращения R3 вокруг 8—8-связи нет. Вопрос о стерических препятствиях рассмотрен в литературе [5]. Экспериментально найденные значения Д. М. лучше всего совпадают с вычисленными для неплоской (III) конфигурации дисульфидов. Вывод о неплоской конфигурации согласуется с данными рентгеноструктурного исследования п, ге -ди-бромдифенилдисульфида [9]. Полученные нами данные показывают, что неплоская конфигурация дисульфидов имеется не только в кристаллическом состоянии [9], но сохраняется и в жидком состоянии и при переходе вещества в раствор. Основной внутримолекулярной силой, приводящей к неплоской конфигурации, является взаимное отталкивание неподеленных Зр/-пар электронов соседних атомов серы. [c.26]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология