Элементы гальванические окиснортутные

Активные вещества в гальванические элементы закладываются при их изготовлении. Промышленность в основном выпускает ГЭ с использованием цинковых анодов и катодов из окиси марганца, меди, ртути и серебра [23—25]. Наиболее распространенными являются окисномарганцово-цинковые ГЭ. В последние годы все большее применение находят окиснортутно-цинковые ГЭ. Теоретическая удельная энергия на единицу массы реагентов у таких ГЭ относительно невелика (табл. 7). Более высокие значения удельной энергии на единицу массы имеют системы с магниевыми и алюминиевыми анодами. Активируемые элементы с магниевыми анодами уже выпускаются в промышленном масштабе. Разрабатываются ГЭ с алюминиевыми анодами. Еще более высокие значения теоретической удельной энергии имеют системы с литиевыми анодами (табл. 7). Поэтому разрабатываются системы с литиевыми анодами в неводных электролитах. [c.42]