Метод холодного пальца

Зародышеобразование, обусловленное контактом расплава со стенками, устраняется в одном из вариантов направленной кристаллизации, когда затвердевание начинается в центре шихты и распространяется радиально к внешним стенкам тигля (метод Киронулоса). Необходимый температурный градиент устанавливается с помощью холодного пальца , на котором и растут кристаллы. Однако недостаток метода — контакт расплава с тиглем — сохраняется и здесь он устраняется, если палец (или держатель кристалла) при выращивании медленно выдвигается вверх. Вместо того чтобы прорастать в расплав, кристаллы удаляются из него (методы Наккена, Чохральского). Таким способом получены наиболее совершенные кристаллы. [c.36]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология