Диэлектрический затвор ИСПТ

Ионоселективные полевые транзисторы (ИСПТ) впервые были описаны Бергвель-дом в 1970 г. [3]. Мацуо и Уайз предложили усовершенствованную конструкцию ИСПТ, в которой в качестве диэлектрического затвора используется нитрид кремния (SiзN4), и использовали ее как сенсор pH [4]. В 1980 г. было показано, что ИСПТ с нанесенным на диэлектрический затвор слоем иммобилизованной пенициллиназы можно использовать как сенсор пенициллина [5] (см. гл. 26). Ферментный сенсор на основе ПТ описан и нами [6]. [c.375]

Поливинилбутиральную мембрану наносят на затвор ИСПТ капельным методом. Для этой цели приблизительно 0,1 г поливинилбутираля и 1 мл 1,8-диамино-4-амино-метилоктана растворяют в 10 мл дихлорметана. Полученный раствор полимера накапывают на диэлектрический затвор двух ИСПТ и затем последние погружают в 5%-ный раствор глутарового альдегида, в котором примерно через сутки при комнатной температуре завершается реакция образования поперечных связей. Уреазу иммобилизуют на ФПТ, помещая ИСПТ с поливинилбутиральной мембраной в раствор уреазы (5 мг/мл) приблизительно на сутки при 4°С. [c.376]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология