Нагрев полупроводниковых и других материалов

Прямой высокочастотный индукционный нагрев шихты оксида и углерода происходит не всегда, поскольку тугоплавкие оксиды металлов часто являются диэлектриками. Однако шихта оксидов с углеродом имеет интегральное удельное сопротивление, характерное для полупроводникового материала, и при определенных условиях может быть нагрета высокочастотными токами, относящимися к диапазону радиочастот. На частотах 1 + 10 МГц борный ангидрид, являющийся типичным диэлектриком, нагреваться не будет. В качестве партнера В2О3 по реакции карбидизации выбирались органические полупроводники, для которых зависимости удельного сопротивления от температуры часто различаются на порядки величины и имеются широкие возможности в выборе партнера для оксида бора и оксидов других элементов в реакциях карбидизации. [c.340]

Справочник химика 21