Полупроводниковые материалы

Полупроводниковыми свойствами могут обладать как кристаллические вещества, так и некоторые стекла. Полупроводниковые кристаллы могут состоять из частиц, связанных ковалентной связью (германий, кремний, карборунд и др.), т. е, обладать атомной кристаллической решеткой, В настоящее время эта группа полупроводниковых материалов привлекает наибольшее внимание. Однако полупроводниковыми свойствами могут обладать в определенных условиях также и многие кристаллы с ионной или молекулярной решеткой (неорганические и органические). [c.145]

Ядерные излучения нашли своеобразную область применения в форме метода радиоактивационного анализа. В ряде областей новой техники требования к чистоте материалов намного превосходят все пределы прежних требований в этом отношении. Допустимые содержания некоторых примесей оказываются лежащими в пределах 10" —10 % и даже ниже. Таковы требования к важнейшим полупроводниковым материалам ( 55) и жаропрочным сплавам, к материалам, применяемым при сооружении ядерных реакторов. В последнем случае необходим тщательный контроль [c.557]

При наличии в полупроводниковых материалах примесей соотношение числа электронов и дырок может изменяться, т. е. может усиливаться или дырочная, или электронная проводимость. Предположим, что в кристалле кремния в качестве примеси имеются атомы мышьяка (45 4рЗ). При образовании связей с окружающими атомами кремния атомы мышьяка используют четыре своих электрона. Пятый же электрон сравнительно легко возбуждается и переходит в зону проводимости. Таким образом, примесь мышьяка усиливает у кремния электронную проводимость. Наоборот, введение в кристалл кремния атомов бора 2 2р ) приводит к валентной ненасыщенности атомов 51, т. е. усиливает у полупроводника дырочную проводимость. [c.118]

Предназначена для работников научно-исследовательских институтов и инженеров промышленных предприятий в области металлургии, материаловедения, технологии строительных материалов, производства катализаторов для химической промыш. енности, кино- и фотоматериалов, технологии полупроводниковых материалов, порохов и взрывчатых веществ. Она также будет полезна студентам химических и химико-технологических вузов при изучении курса физической химии. [c.211]

В последние годы начинает развиваться и химия полупроводников. В частности, это проявляется в разработке новых методов получения и анализа индивидуальных веществ исключительно высокой степени чистоты и правильной кристаллической структуры, что необходимо для получения некоторых полупроводниковых материалов с заданными свойствами. Кроме того, за последние годы отчетливо выявилось, что внутренняя структура, характерная для полупроводников, определяет также и химические свойства некоторых соединений, в частности свойства некоторых катализаторов окислительно-восстановительных реакций. [c.145]

Согласно исследованиям А. Ф. Иоффе, формула Видемана— Франца в принципе справедлива и для полупроводниковых материалов. Для чисто кристаллических материалов значение коэффициента А изменяется в пределах от 2 до 3,3. Но примесь посторонних атомов или искажение решетки сильно снижает теплопроводность материала. [c.229]

Необходимо определять 1 10 % Си в полупроводниковых материалах. Каким минимальным молярным коэффициентом поглощения (е) долж но обладать комплексное соединение меди, в виде которого ее определяют спектрофотометрически, если навеска образца 1 г, конечный объем измеряемого раствора 5 мл, длина кюветы (/) 5 сл и минимальное допустимое значение оптической плотности О) — 0,020 [c.497]

Обессоливание применяется в тех производствах, где к воде предъявляются особо жесткие требования по чистоте, например, при получении полупроводниковых материалов, химически чистых реактивов, фармацевтических препаратов. Обессоливание воды достигается методом ионного обмена, дистилляцией и электродиализом. [c.75]

Л. И. Брежнев говорил Нашу сегодняшнюю экономику невозможно представить без атомной энергетики, электроники, производства вычислительной техники, полупроводниковых материалов многих других отраслей индустрии, которых в 1936 г. у нас не было. В общем объеме промышленного производства доля отраслей, определяющих технический прогресс и эффективность народного хозяйства, более чем утроилась . [c.58]

Исследованию диффузионных явлений посвящен ряд фундаментальных работ [50, 51, 52, 53, 54, 55, 56 и др.]. В основном диффузионные процессы изучаются с точки зрения получения качественных полупроводниковых материалов, сталей и сплавов. [c.111]

В 1-й части доклада представлены результаты разработки конструкций тепловых узлов из УКМ. для установок выращивания монокристаллов 51. Zr и других полупроводниковых материалов по методу Чохральского, а также для установок по производству особо чистых металлов таких, как РЬ, Те, А1 и др. [c.67]

Титан, цирконий и некоторые другие металлы ранее считались хрупкими. Если же их освободить от примесей (от азота и др.), они становятся ковкими. На свойства многих полупроводниковых материалов оказывает влияние такое ничтожное количество примесей, как 10 °% и менее. [c.15]

Существенное значение имеют достижения аналитической химии в развитии отраслей промышленности и народного хозяйства, связанных с новой техникой — применением атомной энергии, развитием ракетостроения и промышленности жаропрочных сплавов, электроникой и промышленностью полупроводниковых материалов. Аналитическая химия не только обеспечила эти области эффективными методами анализа, но и послужила основой разработки многих новых технологических процессов. [c.8]

Элементарные селен и теллур и некоторые их соединения применяются в радио- и электротехнике в качестве полупроводниковых материалов. [c.77]

В последнее время все большее значение приобретает метод получения высокочистых металлов, диэлектрических и полупроводниковых материалов через металлоорганические соединения (МОС). Этот метод по своей структуре адекватен гидридному, поскольку он осуществляется по аналогичной схеме синтез МОС —очистка МОС — термораспад МОС. [c.14]

Наряду с диодами и транзисторами полупроводниковые материалы имеют самое разнообразное применение в технике (термисторы, фотодиоды, фотосопротивления, преобразователи тепловой и атомной энергии и т. п.). Отсюда видно, какое огромное значение имеют полупроводниковые материалы в современной науке и технике. [c.523]

ПОЛУПРОВОДНИКИ — вещества с электронной проводимостью, величина электропроводности которых лежит между электропроводностью металлов и изоляторов. Характерной особенностью П. является положительный температурный коэффициент электропроводности (в отличие от металлов). Электропроводность П. зависит от температуры, количества и природы примесей, влияния электрического поля, света и других внешних факторов. К П. относятся простые вещества — бор, углерод (алмаз), кремний, германий, олово (серое), селен, теллур, а также соединения — карбид кремния, соединения типа filmen (инднй — сурьма, индий — мышьяк, галлий — сурьма, алюминий — сурьма), соединения двух или трех элементов, в состав которых входит хотя бы один элемент IV—VII групп периодической системы элементов Д. И. Менделеева, некоторые органические вещества — полицены, азоаромати-ческие соединения, фталоцианин, некоторые свободные радикалы и др. К чистоте полупроводниковых материалов предъявляют повышенные требования, например, в германии контролируют примеси 40 элементов, в кремнии — 27 элементов и т. д. Тем не менее некоторые примеси придают П. определенные свойства и тип проводимости, а потому и являются необходимыми. Содержание примесей не должно превышать 10 —Ш %. П. применяются в приборах в виде монокристаллов с точно определенным содержанием примесей. Применение П. в различных отраслях техники, в радиотехнике, автоматике необычайно возросло в связи с большими преимуществами полупроводниковых приборов — они экономичны, надежны, имеют высокий КПД, малые размеры и др. [c.200]

Силициды применяют для получения жаростойких и кислотоупорных сплавов и в качестве высокотемпературных полупроводниковых материалов. Из дисилицида молибдена Мо312, выдерживающего нагрев до 1600—1700 С в агрессивной атмосфере, изготовляют нагреватели электропечей. Ряд силицидов /-элементов применяется в атомной энергетике в качестве поглотителя нейтронов и т. д, [c.412]

Следует с осторожностью пользоваться данными, относящимися к нитридам, карбидам, боридам и другим веществам, образующим фазы нестехиометрического состава, в частности фазы переменного состава и твердые растворы. В более ранних работах этот вопрос часто не учитывался. Позднее некоторые авторы относили полученные экспериментальные результаты к стехиометрическому составу фаз, хотя не всегда такие фазы могут существовать в рассматриваемых условиях. В других случаях, когда существуют устойчивые фазы определенного, хотя и нестехиометрического состава, данные относят к составу таких фаз (Рео,э47, О, Со,9э, Н1Со,98, УСо,8з)- Сейчас уже накопилась обширная литература по этому вопросу, в особенности по полупроводниковым материалам (см. работы 34-36 до справочные данные еще не упорядочены. [c.316]

Если типичные свойства металлов определили их применение в качестве конструкционных материалов, то для механической обработки металлов потребовались материалы — инструментальные и абразивные — с иными свойствами. Инструментальные и абразивные материалы должны отличаться от конструкционных (металлических) материалов большей механической прочностью, твердостью, термической и химической стойкостью. Оказалось, что такие свойства могут иметь вещества, кристаллические решетки которых в отличие от металлических относятся к атомному типу. Такой тип крис1аллических решеток встречается у элементарных веществ и простых соединений, образованных химическими элементами промежуточного характера, к которым относятся бор, углерод, кремний, германий, сурьма. Электрические свойства веществ, образованных последними тремя элементами, дали возможность использовать их также и в качестве полупроводниковых материалов. Таким образом, промежуточные элементы и их соединения разрешили проблему изыскания инструментальных, абразивных и полупроводниковых материалов. [c.213]

Использование кремния, силидов и силикатов в технике. Элементарный кремний используют в полупроводниковой техгшке. Он отличается от других полупроводниковых материалов кислотостой-костью и снособностью сохранять большое электросопротивление ири температурах до 300 С. Кремний применяют также для изготовления кислотостойких и жаропрочных литых изделий. [c.361]

Наиболее супдественным признаком нолупроводимости (см. гл. VII, 3) является крайняя ее чувствительность (даже с качественной стороны явления) к наличию примесей в самых ничтожных количествах. В связи с этим чрезвычайно важное значение имеет получение полупроводниковых материалов, з частности гермаиия, в иск. почительно чистом виде. [c.365]

Соединения галлия Ga и индия In с неметаллами V и VI групп служат основой многих современных полупроводниковых материалов (например, арсенид галлия GaAs, антимонид индия 1п8Ь). [c.152]

Еще один метод получения электричества с использованием чистого газового топлива — термоэлектрическая генерация (рис. 71). Принцип его дейстия основан на возникновении напряжения в месте контакта между горячим и холодным концами двух разнородных металлов или полупроводниковых материалов. Термоэлектрический генератор состоит из батареи таких пар, объединенных в серии. Все горячие концы нагреваются газовым пламенем. Тепло отводится через концы, охлаждаемые воздухом или водой, [c.334]

Хамон (1953) приготовил дисперсию фталоцианина меди, который является органическим полупроводниковым материалом, в парафиновом воске объемная концентрация составила 0,62%. Зависимость е" — / для образца, имеющего форму диска, показана на рис. У.ЗЗ. Там же приведены теоретические кривые, вычисленные из уравнений ( .171), ( .177) и ( .178) при условии /< у.р и Ф <У I. Так как Хр и Чр псслодуомого образца зависели от частоты, Хамон при решении [c.370]

При наличии В полупроводниковых материалах примесей соотношение числа электронов и дырок может изменяться, т. е. может усиливаться или дь[рочная, или электронная проводимость. Предположим, что в кристалле кремния в качестве нримсси имеются атом[,1 мьпиьяка (4.s 4p ), При образовании связей с окружаю1и,ими атомами кремния As Sp ) атомы мышьяка используют четыре своих электрона. Пятый же электрон сравнительно легко возбуждается и переходит в зону проводимости. Таким образом, примесь мышьяка усиливает у кремния электронную проводимость. Наоборот, введение в кристалл кремния атомов бора (2s 2p ) приводит к валентной ненасыщенности атомов Si, т, е. усиливает у полупроводника дырочную проводимость (рис. 69). В зависимости от преобладания того или иного вида проводимости различают полупроводники л-типа и полупроводники /)-ти1га. [c.109]

Разработка указанных выше основных процессов и аппаратов, а также других прогрессивных методов разделения и очистки веществ стимулируется непрерывно расширяющимся за последние годы промышленным использованием атомной энергии, значительным развитием производств изотопов некоторых элементов (урана, водорода и др.), полупроводниковых материалов, мономеров, полупродуктов для синтетических материалов и т. д. Эти отрасли новой техники предъявляют повышенные требования к чистоте продуктов я четкости разделения смесей. Для решения подобных проблем разрабатываются процессы пленочной ректификации, молекулярной дистилляции (глава XII), экстракционного разделения (глава XIII) и другие. [c.12]

Несколько позднее, уже в 1964—1967 гг., было построено специальное отделение приготовления пресс-порошков для изготовления зеленых заготовок антифрикционных графитов, графита марок ЭЗГ и МПГ. Для приготовления фракций тонкого помола при этом широко использовались вибромельницы с воздушной сепарацией. Материалы типа ЭЭГ и МПГ, кроме того, базируются на использовании непрокаленного кокса и обладают очень высокими прочностными характеристиками, в 6 7 раз превышающими аналогичные показатели обычного электродного графита. Используются они в качестве электрод-инструмента при электроимпуль-сной обработке твердых металлов и сплавов, а также в технике производства полупроводниковых материалов в качестве контейнеров при работе с ними при высоких температурах. [c.82]

Применение. Эти свойства, наряду с возможностью получения сложных форм без механической обработки, позволяют применить СУ в качестве специальных сосудов для производства полупроводниковых материалов, больших оптических монокристаллов, фторцирконатных и фторгафнатных стекол, имеющих малые оптические потери, полупроводникового арсенида галлия, металлов, в частности индия, и сплавов, деталей аппаратуры для особо агрессивных сред. [c.464]

Качество материалов для полупроводниковой техники. Металлургиздат, 1959, (192 стр.). Сборник статей с описание.м некоторых методов анализа полупроводниковых материалов, а также технические требовашт на тару, реактивы и вспомогатеЛ1.ные материалы, [c.491]

Элементарные кремний и германий представляют собой полупроводниковые материалы, которые в настоящее время очень широко применяются для производства транзисторов, термистеров, фотоэлементов и других деталей радиоэлектроники, радио- и электротехники. Электропроводность кристаллических германия и кремния (и других полупроводников) в значительной степени обусловлена ничтожными примесями атомов других элементов, замещающих атомы германия и кремния в их кристаллических решетках. Появление некоторого числа свободных слабосвязанных электронов или электронных вакансий, так называемых дырок, придает кристаллам полупроводниковых материалов свойство избирательной проводимости отрицательной — электронной — или положительной — дырочной. Электропроводность полупроводников определяется не только природой и концентрацией примесных элементов (которая, вообще говоря, обычно бывает очень мала атома примеси на 10 —10 атомов основного элемента), но и физическими [c.104]

РАДИОАКТИВАЦИОННЫЙ АНАЛИЗ — метод анализа вещества с помощью различных ядерных реакций. При Р. а. исследуемое вещество облучают ядерными частицами или у-лучами. В результате бомбардировки образуются изотопы, количественно определяемые но их активности. Р. а., обладающий высокой чувствительностью, применяют для определения примесей в металлах и сплавах, полупроводниковых материалах, содержания микроэлементов в крови, ачазме, тканях животных и растений, применяется также в геологических работах и поисках, в судебной экспертизе и др. [c.208]

ФОСФИДЫ — соединения фосфора с металлами, а также с неметаллами, более электроположительными, чем фосфор (В, 81, Аз). Некоторые Ф. (Ф. галлия, индия, бора) используют как полупроводниковые материалы для датчиков э. д. с. Холла, полупроводниковых тетродов (спейсисторов), приемников ИК-излу-чения, рабочих тел квантовых генераторов. Ф. меди используют вместо серебра для пайки латуни и др. [c.264]

Па. Во время работы с фосфором и его соединениями (особенно фосфорорганическими) требуется соблюдение особых правил безопасности. Ф. применяется в военном деле для снаряжения зажигательных и дымовых снарядов, бомб в спичечной промышленности, в металлургии для получения и легирования полупроводниковых материалов, сталей, бронзы. Большая часть вырабатываемого Ф. расходуется для получения производных фосфорной кислоты концентрированных удобрений, реактивов для пропитки тканей, пластмасс, древесины, для придания им огнестойкости для получения буровых жидкостей, зубной пасты, пищевых и фармацевтических препаратов. Пентоксид Ф. применяют для тонкой осушки газов, сульфиды Ф. применяют как флотореа-генты, антикоррозионные добавки к маслам и горючему, в производстве фосфорорганических инсектицидов (тиофоса, карбофоса и др.). [c.265]

Абсолютно чистое вещество можно представить себе только теоретически. В практике чистым называют вещество, содержащее примеси ниже онределеиного предела. Этот предел, как правило, составляет доли процента н менее. Интерес к чистым веществам обусловлен потребностями современной науки и техники в материалах с особыми механическими, электрическими, полупроводниковыми, оптическими и другими физико-химическими свойствами. Особенно возросли требования к чистоте технических материалов с развитием атомной энергетики, полупроводниковой электро- н радиотехники, лазерной техники. Например, минимальная примесь может вызвать остановку ядерного реактора. В полупроводниковых материалах ничтожные следы посторонних примесей меняют величину и тип проводимости, а в отдельных случаях вообще лишают материал его полупроводниковых свойств. Получить особо чистое вещество — чрезвычайно сложная и важная технологическая задача, решенная пока для немногих веществ. Проверить чистоту вещества можно по его химическому составу и по физическим свойствам. [c.78]

С помопдью качественного эмиссионного спектрального анализа устанавливают химический состав и состояние веш ества звезд и других светящихся космических объектов, состав горных пород и минералов, продуктов химических и металлургических производств, контролируют чистоту полупроводниковых материалов и т. д. [c.176]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология