Регулирование затравления

В предварительных опытах было замечено, что обычное регулирование процессом выращивания за счет изменения мощности основного нагревателя при наличии потока тепла вблизи поверхности кристалла неудобно и неэффективно. Более устойчивое регулирование осуществлялось изменением температуры на экране-нагревателе, при постоянном напряжении на главном нагревателе. В момент затравления температура на экране устанавливалась = 680° С. По мере роста монокристалла температура увеличивалась, ири выходе на диаметр она составляла 800° С и не изменялась в течение всего опы- [c.228]

Справочник химика 21