Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Технологические характеристики процессов ХОГФ функциональных слоев ИМС

    ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРОЦЕССОВ ХОГФ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ СЛОЕВ ИМС [c.46]

    Технологические характеристики процессов ХОГФ функциональных слоев ИМС 4 7 [c.47]

    Проведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), используемых в технологии производства интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития. Приведены основные характеристики элементов микроструктур ИМС, получаемых в процессах ХОГФ, а также технологические характеристики самих процессов и используемых реагентов. Рассмотрены параметры оборудования для реализации процессов ХОГФ и проведен анализ его возможностей, достоинств и недостатков при осаждении функциональных слоев микросхем. Приведены основные электрофизические характеристики осаждаемых пленок. [c.2]


Смотреть страницы где упоминается термин Технологические характеристики процессов ХОГФ функциональных слоев ИМС: [c.52]    [c.18]   
Смотреть главы в:

Мир электроники технологии микроэлектроники Химическое осаждение из газовой фазы -> Технологические характеристики процессов ХОГФ функциональных слоев ИМС



ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Характеристика процесса КЦА



© 2025 chem21.info Реклама на сайте