Полупроводники емкость

Эквивалентная схема кристаллического детектора представлена на рис. 87. Здесь И и С—сопротивление и ёмкость запирающего слоя, г—объёмное сопротивление полупроводника в той его части, где сосредоточены линии тока. Сонротив.пением пружинки, прижимающей металлическую иглу детектора к его кристаллику, и сопротивлением остальной массы полупроводника можно пренебречь по сравнению с г. Ёмкость запирающего слоя зависит от толщины последнего, а следовательно, и от приложенного к детектору напряжения. Эта зависимость, равно как и зависимость Н от и, нелинейна. [c.223]

Справочник химика 21