Полупроводники эффективные массы

Величины Шд для различных полупроводников, как правило, больше эффективной массы электронов, а следовательно, и подвижность дырок меньше подвижности электронов. [c.125]

Таким образом, концентрация собственных носителей п,- зависит от температуры, ширины запрещенной зоны полупроводника значений эффективных масс носителей заряда (входят в и к ) и не зависит от положения уровня Ферми. [c.245]

Определение оптических постоянных и эффективных масс носителей полупроводников. [c.184]

В полупроводниках из-за малой эффективной массы некоторых носителей область 10 —10 Э является уже областью высоких полей (см. ниже). [c.332]

Число свободных электронов и дырок в полупроводнике может быть найдено с использованием статистики Ферми — Дирака. Равновесные концентрации свободных носителей заряда зависят от положения уровня Ферми. Уровень Ферми для металлов, как известно, равен энергии верхнего заполненного уровня при абсолютном нуле. С позиций статистической термодинамики уровень Ферми — это парциальная мольная свободная энергия, или, другими словами, химический потенциал электронов. При условии, что эффективные массы электронов (гПп) и дырки (гпр) в кристалле равны, при Т — О уровень Ферми в полупроводнике с собственной проводимостью проходит точно по середине запрещенной зоны. Обычно Шр > т , тогда уровень Ферми в полупроводнике с собственной проводимостью расположен ближе к зоне проводимости и при повыщении температуры смещается вверх. Положение уровня Ферми в полупроводниках с примесной проводимостью зависит от концентрации примеси расчет этой величины сложен. [c.457]

Отдельные слои в монокристаллах графита принято представлять как двумерный металл с эффективной массой носителя тока, равной массе свободного эЛектрона. В перпендикулярном к слоям направлении - графит полупроводник. Поэтому ток в графите переносится как электронами, так и положительными дырками, а его проводимость определяется концентрацией носителей тока и их средним свободным пробегом. В самом общем виде электросопротивление можно рассчитывать по формуле р= АрП, где Ар — фактор, учитывающий влияние пористости, текстуры и температуры измерения / — средняя длина свободного пробега электронов. [c.88]

К. к. - полупроводник п-типа ширина запрещенной зоны a-Si для политипов 1Н и SH соотв. 3,3 эВ (2-8 К) и 2,86 эВ (300 К), для -Si 2,2 эВ (300 К) подвижность носителей тока при 300 К для a-Si (6AO 264 см ДВ с) и -Si 1000 см /(В - с) эффективная масса носителей тока при 300 К для a-Si (ЬН) 0,25 и -Si 0,41. Для o-Si модуль упругости 392 ГПа (20 °Q и 357 ГПа (1200°С) модуль сдвига 171 ГПа модуль всестороннего сжатия 98 ГПа. Твердость по Кнупу при нагрузке 100 г o-Si [грань (001)] 29,17 ГПа, -Si [грань (1П)] 28,15 ГПа, поликристаллического 31-34 ГПа. [c.519]

Легко показать, что величина К (0,0)—К (г,г) убывает с уменьшением ширины поверхностной запрещенной зоны, а K/(r,r-j-l увеличивается с уменьшением поверхностной эффективной массы дырки. Поэтому следует ожидать, что экситонная связь выгоднее гибридной в случае адсорбции атома с не слишком низким потенциалом ионизации на полупроводнике с достаточно узкой запрещенной зоной, малым сродством к электрону и малой эффективной массой дырки. [c.136]

Электропроводность полупроводника обусловлена либо перемещением электронов в зоне проводимости (проводимость п-типа), либо движением дырок — свободных мест в нормально заполненной зоне (проводимость р-типа). Дырку можно грубо представлять себе как свободную валентную связь проводимость осуществляется за счет обмена электронами с соседними насыщенными валентными связями, в результате чего дырка будет перемещаться по решетке под влиянием электрического поля как положительный заряд. Методами квантовой теории можно показать, что во многих отношениях дырка ведет себя аналогично положительному заряду (- - е) с эффективной массой порядка массы свободного электрона. [c.290]

Положение акцепторных или донорных уровней в запрещенной зоне полупроводника зависит от величины диэлектрической проницаемости материала и эффективных масс носителей. При [c.482]

Из этого соотношения видно, что величина работы собственного полупроводника определяется шириной запрещ,енной зоны, соотношением эффективных масс электронов, дырок и температурой. [c.453]

Сравнение температурных коэффициентов (дEg/дT)p и эффективных масс т ряда полупроводников, вычисленных по формулам авторов, с опытными данными [30, 31] для прямых переходов при значении волнового вектора к=0 [c.78]

Опыты по циклотронному резонансу (ЦР) — один из немногих способов прямого определения эффективных масс к формы энергетических поверхностей в полупроводниках. Другая прекрасная возможность ЦР — исследование явления переноса, ибо ЦР позволяет определить раздельно время релаксации т и эффективную массу т, а также знак носителей. [c.88]

У некоторых полупроводников эффективная масса дырок очень велика ио сравнению с эффективной массой электронов проводимости, и поэтому основной вклад в электрические свойства дают электроны проводимости. Такие полупроводники называются электронными полупроводниками или полупроводниками п-типа (от слова negativ — негативный, т. е. отрицательный). В противоположном случае (большая эффективная масса электронов проводимости) основной вклад дают дырки. Такие полупроводники называются дырочными полупроводниками или полупроводниками р-типа (positiv — позитивный, т. е. положительный). [c.216]

Повышенная электрическая проводимость органических полупроводников объясняется высокой подвижностью я-электро-нов сопряженных двойных связей. Это обусловливает эстафетную электронно-дырочную проводимость при состоянии, когда электроны находятся в них на более высоких энергетических уровнях. В результате взаимодействия с поверхностью, ограничивающей объем, электрон мол<ет оторваться от молекулы л попасть на поверхность. При этом в молекуле возникает вакансия— дырка. Эффективная масса электронов и дырок много меньше массы молекулы, так что у соседней молекулы, которая не успевает заметно сместиться, один из электронов. может перескочить в образовавшуюся дырку. Одновременно мигрируют как положительные, так и отрицательные заряды. Электрическая проводимость по эстафетному механизму возникает за счет электронных донорно-акцеиторных взаимодействий между молекулами и на границе масляной фазы с поверхностью металла. В отличие от ионной или форетической проводимости при эстафетной электрической проводимости не происходит переноса вещества, а значит, последняя не долл<на зависеть от вязкости среды. [c.61]

В металлах и полупроводниках под действием виеш. магн. поля возникает орбитальное движение свободных электронов, что вызывает небольшой добавочный диамагнетизм, наз. диамагнетизмом Ландау. При т-рах, близких к абс. нулю может наблюдаться осцилляционная зависимость X, от Я", где Я-напряженность магн. поля (эффект Де Хааза-ван Альфвена). Этот эффект используют для определения эффективной массы носителей заряда и формы пов-сти Ферми для полупроводников и металлов. В кристаллах низкой симметрии Xd м. б, анизотропной. [c.43]

ДжДмоль-К) ДЯ 43,9 кДж/моль, ДЯ , 212 кДж/моль, ДЯ". - 143,1 кДж/молъ, ДС р - 139,7 кДж/моль 82,8 Дж оль К) ур-ние температурной зависимости давления пара (в Па) gp = - 11090/Г+ 12,0 (989-1325 К) температурный коэф. линейного расширения 10 К . К.с.-полупроводник при 300 К ширина запрещенной зоны 1,74 эВ, эффективная масса электронов проводимости т, = 0,13то, дырок Шр = 0,45шо (Шц масса своб. электрона), подвижность электронов 580 см /(В с). [c.282]

Ц.р. применяют в физике твердого тела при изучении энергетич, спектра электронов, особенно для точного измерения их эффективной массы, С помощью Ц.р. возможно определение знака заряда носителей, изучение процессов их рассеяния и электрон-фононного взаимод. в металлах. В твердых телах область наблюдения Ц. р. офаничивается низкими т-рами (1 - 10 К) и частотами со> 10 П(, В полупроводниках Ц, р. наблюдается на частотах 10 - 10 Гц в полях 8-10 -8-10 A/M. [c.375]

Из этого следует, что ирнменение только зонной модели движения в полимерных полупроводниках вряд ли оправдано, так как приводит к огромным значениям эффективной массы носителей. Отметим, что термо-э. д. с. полимерного полупроводника определяется движением носителей внутри областей иолисопряжения с подвижностью порядка 10 — 10 м2/(В-с), т. е. в десятки — сотни раз большей, чем эффективная подвижность носителей в этих веществах [4, с. 43]. [c.67]

Заметим, что из сказанного выше следует зависимость энергии системы от ширины запрещенной зоны. Именно с увеличением ширины запрещенной зоны энергия системы электронов увеличивается, а энергия связи атома с кристаллом падает. При одних и тех же эффективных массах носителей тока адсорбция на полупроводнике энергетически выгоднее адсорбции на изоляторе. С увеличением ширины запрещенной зоны вес экситонной связи в гибридной связи падает, так что при достаточно широкой запрещенной зоне гибридная связь практически эквивалентна одноэлектранной связи по Ф. Ф. Волькенштейну [1]. [c.136]

Мосс [56] показал, что чувствительность фотосопротивлений обратно пропорциональна Для того чтобы приемник мог работать при данной длине волны излучения, энергия активации материала не должна превышать энергии фотона такого излучения, т. е. максимальное значение Е задается. Таким образом, при фиксированной температуре (например, при комнатной) варьируемыми переменными в уравнении (38) остаются лишь и /п,,. Учитывая эти обстоятельства, можно сказать, что из всех известных полупроводников 1п5Ь является наиболее выгодным, так как отношение т т тг имеет у него наименьшее значение, а именно 0,007. Значение n для 1п5Ь, а следовательно, и предел чувствительности примерно в 40 раз ниже, чем для материалов с эффективными массами, близкими к единице. [c.258]

Масса Шп электрона в полупроводнике как правило не равна эффективной массе дырки, Шр. Обе они вычисляются по формуле (16.3). Энергии электрона проводимости и дырки, как и энергия любой квазичастицы, являются периодическими функциями квазиимпульса. В экситон Ванье-Мотта объединяются электрон, имеющий энергию, близкую к минимуму в зоне проводимости, и дырка с энергией, близкой к максимуму в валентной зоне. Обе они масштаба массы свободного электрона, но могут и существенно отличаться (например, быть в 10 -г 100 раз меньше). Итак, формула, описывающая энергетические [c.306]

Как и всякая квазичастица, экситон Ванье-Мотта в полупроводнике не локализован. Он может перемещаться. Состояние поступательного движения экситона Ванье-Мотта определяется квазиимпульсом и описывается, конечно, не т ф. Эффективная масса поступательного движения экситона обязана периодической зависимости его энергии от квазиимпульса (см. формулы (16.2) и (16.3)). [c.307]

ЗпОг — широкозонный полупроводник с шириной запрещенной зоны 3,4—3,6 эв. Наиболее достоверное значение эффективной массы электрона 0,35 Шц. По движности достигают 300 смУв-сек при комнатной температуре. Легирование 5п02 можно осуществлять окислами ЗЬгОз и СГ2О3. Двуокись. олова характеризуется малой теплопроводностью. [c.174]

Смотреть страницы где упоминается термин Полупроводники эффективные массы: [c.235] [c.250] [c.481] [c.230] [c.231] [c.283] [c.283] [c.381] [c.382] [c.382] [c.216] [c.40] [c.394] [c.34] [c.360] [c.264] [c.43] [c.67] [c.566] [c.212] [c.51] [c.155]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология