Ксенон потенциал ионизации

Более высокая химическая активность криптона, ксенона и района по сравнению с первыми членами группы благородных газов объясняется относительно низкими потенциалами ионизации их атомов (см. табл. 38). Для криптона, ксенона и радона эти величины близки к потенциалам ионизации некоторых других элементов (например, потенциал ионизации атома азота равен 14,53 В, атома хлора — 12,97 В). [c.669]

Полимеризация ацетилена Ионы инертных газов азота, гелия, ксенона и криптона потенциал ионизации не предопределяет каталитического эффекта газы, ионизированные а-радиацией 225 [c.483]

При исследовании многих радиационно-химических реакций, в газовой фазе сделано важное наблюдение, согласно которому присутствие инертного газа часто не оказывает влияния на величину MIN даже если парциальное давление инертного газа. столь велико, что большая часть ионизации должна происходить в нем, а не в реагирующем веществе [6]. Так, на разложение воды и двуокиси углерода и на полимеризацию ацетилена не влияет присутствие азота или ксенона под значительным давлением. Здесь возможны различные объяснения. Линд с сотрудниками считают, что образуются смешанные сольватные оболочки. В тех случаях, когда инертный газ В имеет более высокий потенциал ионизации 1ц, чем потенциал реагирующего вещества А (/а), может происходить перенос заряда к реагенту [7] [c.54]

Хотя результаты этого исследования и не окончательны, все же они наилучшим образом могут быть объяснены нредноложением, что кривые появления ионов для каждого энергетического состояния являются линейной функцией избыточной над соответствующим порогом энергии электронов. Так как у всех исследованных двухзарядных ионов (кроме гелия) имеется по четыре возбужденных состояния, то установить закон появления очень трудно. Наиболее благоприятен случай ксенона, когда первое возбужденное состояние Хе " лежит па 1,0 эв выше потенциала ионизации. Была сделана попытка исследовать закон появления иона Не , который вовсе не имеет возбужденных состояний. Однако она не увенчалась успе- [c.390]

Выражение вблизи порога , вообще говоря, довольно растяжимо. Так, в случае Хе" и Хе " оно соответствует области в несколько десятых вольта, а в случае Не2+ — нескольким вольтам. Для многозарядных ионов ксенона область вблизи порога довольно волика. Может быть, следовало бы выражать величину области вблизи порога в процентах от соответствующего потенциала ионизации. [c.401]

По ряду причин— низкое рабочее напряжение, благоприятные условия для выравнивания импульсов — обычно желательно иметь в качестве основного компонента газовой фазы инертный газ, как, например, аргон. Ионы аргона, если они достигают стенок, не удовлетворяют приведенным выше условиям. Однако если применять смесь аргона и многоатомного газа, то может произойти перенос ионизации от первоначально возникающих ионов аргона к молекулам многоатомного газа, поскольку число столкновений между ионами и молекулами за то время, пока он достигнет стенки, очень велико. Для того чтобы такой перенос ионизации был возможен, необходимо, чтобы потенциал ионизации многоатомного газа был ниже, чем потенциал ионизации аргона. Это условие легко выполняется, так как в большинстве случаев ионизационный потенциал уменьшается с увеличением числа атомов в молекуле, и поэтому он обычно выше для одноатомных инертных газов (для ксенона возможно исключение). [c.144]

Эти расчеты указывают, что имеется существенное смещение отрицательного заряда от ксенона к фтору. Как отмечалось ранее, связывающие и разрыхляющие п-орбитали заняты, и, следовательно, они не вносят вклада в смещение заряда. Очевидно, что заряд будет перемещаться от Хе к Г, поскольку первые потенциалы ионизации равны 12,12 и 17,42 эв соответственно. Несомненно также, что низкий потенциал ионизации центрального атома и электроотрицательный характер лигандов имеют решающее значение. [c.33]

Применимость метода валентных связей к интерпретации экспериментальных данных пока все еще весьма ограничена. Этот подход позволяет, однако, значительно лучше понять физическую природу связи в соединениях инертных газов. Распределения заряда в основном состоянии фторидов ксенона, найденные как методом МО, так и методом ВС, весьма близки. Оба метода предсказывают значительное смещение заряда от ксенона к фтору. В методе МО этот результат обусловлен низким потенциалом ионизации (т. е. кулоновским интегралом) центрального атома инертного газа [14, 19]. В методе ВС определяющими являются ионные структуры действительно, ионные структуры Г Хе" —Р и Г—Хе+Р" вполне устойчивы [30]. Электростатическая энергия образования Хе Р (приближенно равная /хе —Лр —= 1,7 эв), по-видимому, возмещается энергией образования связи Хе+—Р [30]. Это общее соображение показывает важность низкого потенциала ионизации центрального атома, электроотрицательности лигандов и небольших размеров лигандов при образовании соединений инертных газов. Преимущество фтора по сравнению с другими галогенами обусловлено не только величиной его сродства к электрону, но и меньшими его размерами [30]. К сожалению, в настоящее время нельзя сделать более обоснованных заключений. [c.55]

Так как потенциал ионизации кислорода на уровне потенциала ионизации радона и ксенона и даже выше, то, очевидно, и ксенон способен к аналогичным реакциям с гексафторидом платины. Результаты эксперимента пре- [c.90]

Сопоставим ионизационные потенциалы некоторых элементов. У гелия он наиболее велик —24,58 эе, у следующего за ним лития —только 5,4 у ксенона — 12,1 эв, у его соседа цезия — 3,9. Обратим внимание, что с ростом порядкового номера элемента в группе его потенциал ионизации уменьшается. Например, как и следовало ожидать, у ксенона он вдвое меньше, чем у гелия. Ведь в атоме гелия наружные электроны находятся на первом от ядра А -уровне у ксенона только на пятом Р-уровне и, следовательно, слабее связаны с ядром. Образно говоря, ядро ксенона обросло более длинной и густой щетиной из электронов, оттого ее и легче стричь. Радиус атома ксенона почти вдвое больше, чем радиус атома гелия. [c.24]

Схема спектрографической установки показана на рис. 56, б. Регистрирующим прибором служит спектрограф J2, а в качестве спектроскопического источника света используется спектроскопическая импульсная лампа /, свет от которой, пройдя реакционный сосуд и спектрограф, попадает на фотопластинку 13. Спектроскопическая лампа зажигается через определенный промежуток времени после вспышки фотолитической лампы при помощи блока временной задержки 14. Таким образом по.лучается полный спектр поглощения фотолизуемого раствора. Меняя время задержки, можно получить набор спектров, изменяющихся во времени. В качестве импульсных фотолитических ламп обычно используются трубчатые импульсные ксеноновые лампы. Такие лампы имеют электрическую мощность до нескольких килоджоулей. Световая отдача таких ламп составляет 5- 20% от электрической мощности. Время вспышки ламп колеблется от 10 до 10 с (по уровню 1/е). Иногда для увеличения излучения в УФ-области к ксенону добавляют другие газы, например Нг, или ртуть. Используют им-пульсные лампы и с другим наполнением (Ог, N2, Аг). Ксенон обладает рядом преимуществ перед другими газами он имеет хорошие спектральные характеристики (сплошной спектр излучения), химическую инертность (нет взаимодействия с электродами), низкий потенциал ионизации. С увеличением энергии разряда максимум излучения смещается в ультрафиолетовую область. Разрешающее время импульсной установки определяется временем затухания светового импульса фотолитической вспышки. А время вспышки импульсной лампы в свою очередь зависит от нескольких факторов от типа лампы, электрической энергии и от емкости и индуктивности контура питания. Электрический контур составляют конденсатор, импульсная лампа и соединительные провода. Электрический разряд в контуре носит колебательный или затухающий характер в зависимости от соотнонюния между сопротивлением R, индуктивностью L и емкостью С элементов контура. Наиболее выгодным с точки зрения длительности импульса является соотпошепие Lj . Уменьшение времени затухания т достигается снижением индуктивности соединительных проводов, а также снижением емкости и индуктивности конденсатора (r yZ, ). При этом уменьшение энергии вспышки E = Wj2 компенсируется за счет увеличения напряжения на конденсаторе U. Увеличение [c.157]

Валентно-химические соединения благородных газов. В 1962 г. канадский ученый Н. Бартлетт обратил внимание на то, что первый потенциал ионизации ксенона (12,13 В) близок к потенциалу ионизации молекулярного кислорода с образованием диоксигенил-катиона [c.392]

В качестве импульсных фотолитических ламп обычно используются трубчатые импульсные ксеноновые лампы. Такие лампы имеют электрическую мощность до нескольких килоджоулей. Световая отдача этих ламп составляет 5- 20% от электрической мощности. Время вспышки ламп колеблется от 10 до 10 с (по уровню 1/е). Иногда для увеличения излучения в ультрафиолетовой области к ксенону добавляют другие газы, например водород или пары ртути. Используют импульсные лампы и с другим наполнением кислородом, азотом, аргоном. Ксенон обладает рядом преимуществ перед другими газами он имеет хорошие спектральные характеристики (сплошной спектр излучения), химическую инертность (нет взаимодействия с электродами), низкий потенциал ионизации. С увеличением энергии разряда максимум излучения смещается в ультрафиолетовую область. Разрешающее время импульсной установки определяется временем затухания светового импульса фотолитической лампы. Время светового импульса фотолитической лампы в свою очередь зависит от нескольких факторов от типа лампы, электрической энергии, от емкости и индуктивности контура питания. Электрический контур составляют конденсатор, импульсная лампа и соединительные провода. Электрический разряд в контуре носит колебательный или затухающий характер в зависимости от соотношения сопротивления R, индуктивности L и емкости С элементов контура. Наиболее выгодным с точки зрения длительности импульса является соотношение i = 2 /"L/ . Уменьшение времени затухания х достигается снижением индуктивности соединительных проводов, а также сниже1 м емкости и индуктивности конденсатора (t ]/L ). При этом уменьшение [c.280]

Наряду с ионизацией инертных газов ударами ионов изучалась также ионизация под действием ударов быстрых нейтральных атомов этих газов. В отличие от ионов наблюдаемая при бомбардировке инертных газов их собственными атомами минимальная энергия ионизации оказывается более близкой к вычисленной по формуле (28.1). Так, при изучении ионизации неона, аргона, криптона и ксенона собственными быстрыми атомами этих газов Варни [1247] получил для энергии начала заметной ионизации значения, в среднем лишь в полтора раза превышающие удвоенные потенциалы ионизацит[ соответствующих газов. Принимая, однако, во внимание, что, работая с более чувствительной методикой, Гортои и Миллест [785] наблюдали начало ионизации в гелии при энергии быстрых атомов Не около 50 эв, почти ровно вдвое превышающей потенциал ионизации гелия, [c.422]

В работе показано, что кривая зависимости вероятности образования двухзарядных иопов Не от энергии электронов вблизи порога иропор-циональиа квадрату избыточной энергии электронов. Сечение ионизации достигает максимума при энергии, примерно втрое превышающей потенциал ионизации. Квадратичное поведение кривой вблизи порога согласуется с теоретическими представлениями. Однако результаты, полученные для ксенона, не соответствуют теории. Из данных рис. 10 следует, что кривые вблизи порога имеют тем более длинные хвосты , чем более многозарядные ионы образуются. Это может служить указанием на то, что кривые ионизации описываются тем более высокой степенью избыточной энергии, чем больше степень ионизации. Однако, если отложить эти кривые в логарифмических координатах, то хорошего совпадения экспериментальных точек в начальной области с прямой не получается. Возможно, это объясняется тем, что ионизация в каждом случае происходит Б нескольких процессах. На это указывают изломы на точных кривых, представленных на рис. 5—9. [c.401]

Непосредственное измерение всех энергий ионизации каждого из элементов практически трудно осуществимо из-за того, что для этого требуются очень большие энергии, а также из-за того, что очень трудно получить достаточную концентрацию многократно заряженных атомов при измерении их потенциалов ионизацип (ПИ). Так, например, измерение 36-го потенциала ионизации ксенона потребовало бы получения значительной концентрации ионов Хе + (т. е. атомов ксенона, каждый из которых уже потерял 35 электронов), а затем точного измерения энергии, необходимой для удаления еще одного электрона. Практически большинство данных об энергиях ионизации получено из измерений, относящихся к солнечной и другим звездным атмосферам, где высокие температуры обусловливают наличие высоких концентраций многих ионов с большими положительными зарядами. [c.93]

По данным Заблера и др. [61 ] ионный выход разложения (Л1 нвг/А ) бромистого водорода при облучении в присутствии больших количеств благородных газов (аргона, криптона или ксенона) изменяется в пределах 4,0—4,7. Это объясняется переносом заряда от ионов благородных газов к бромистому водороду, который имеет более низкий потенциал ионизации (см. табл. 5.1) [c.189]

Нейтральный атом радона имеет электронную конфигурацию 5 / ° 65 6р . Оптический спектр радона похож на спектры атомов других благородных газов. Первый потенциал ионизации радона равен 10,745 эв. До недавнего времени (1962 г.) радон и другие благородные газы считались инертными, т. е. не образующими химических соединений. Однако ученым Англии и США удалось получить соединение ксенона с гексафторидом платины Хе(Р1Рб)2 и тетрафторид ксенона Хер4 [55]. При нагревании микроколичеств радона в смеси со фтором при 400° С в никелевом сосуде в течение 30 мин получается соединение радона со фтором, состав которого не установлен. Соединение весьма устойчиво и перегоняется в вакууме 10 —10 " мм рт. ст. при 230— 250° С. Полученное соединение можно восстановить до радона водородом при 500° С [55]. [c.217]

Таким образом, Хер4 с термодинамической точки зрения совершенно устойчив. Интересно, что Кгр4 [24] неустойчив при комнатной температуре, несмотря на положительную свободную энергию образования газа и положительную или близкую к нулю теплоту образования. Из этого можно предположить, что теплота образования Rnp4 могла бы быть равной приблизительно от —80 до —100 ккал моль, так как потенциал ионизации радона значительно ниже шотенциала ионизации ксенона. [c.174]

Из табл. 3 непосредственно следует, что вычисленные значения зарядов на атомах фтора в молекулах ХеРг и Хер4 больше чем —0,5е. Последняя величина получается при условии, что 5р-орбита ксенона должна образовать колинеарную сг-связь с двумя атомами фтора. Эти данные согласуются с расчетами с помощью простого метода молекулярных орбит [9] (см. также стр. 466). Распределение зарядов соответствует распределению, полученному Джортнером, Вильсоном и Райсом (см. стр. 466). Интересно выяснить, как более низкие значения формальных зарядов на атоме фтора, вычисленные для молекул ХеОр4 и ХеРе, согласуются с предложенной в этой работе схемой образования связи. Один возможный путь, который оставляет нетронутой O -связь и не требует образования гибридов (spd) ксенона, должен вводить небольшую долю р -связывания в связи через 5й-орбиты фтора и использовать 5 -орбиты ксенона . Возможность я-связывания в связях подтверждается при рассмотрении уравнений для величин экранирования как функций электроотрицательности нейтрального атома ксенона (2,45), полученной из зависимости кажущихся электроотрицательностей (см. табл. 3) от формального заряда на атоме ксенона, и как функции электроотрицательности (2,2), полученной из потенциала ионизации [9]. Можно заметить, что введение доли л -связывания, равной р = 0,07, достаточно, чтобы довести заселенность связывающей орбиты фтора Pzz(P) до значения 1,5е в случае ХеРе и ХеОр4. [c.348]

Ранние результаты по определению молекулярных потенциалов ионизации были получены в условиях, когда вероятная ошибка была значительно больше, чем воспроизводимость эксперимента (около 0,1 эВ, или 2 ккал/моль). Первоначально в опытах использовали немоноэиергетические электронные пучки с разбросом по энергии около 10 ккал, что определялось высокой температурой (3000 К) устройства, излучающего электроны. Напряжение между накаливаемой нитью (излучателем электронов) и ионизационной камерой не соответствовало точно разности потенциалов, ускоряющей электроны. Эта ошибка была связана со скачками потенциала на неидеально проводящих поверхностях электродов (контактные потенциалы) и скачками потенциала, обусловленными наличием пространственного заряда между нитью и ионизируемыми молекулами. Чтобы исключить эти ошибки, кривую эффективности ионизации неизвестных молекул и газа с известным значением потенциала ионизации (аргон, криптон или ксенон) определяли в одном и том же опыте, причем оба вещества одновременно помещались в источник ионов. Путем сопоставления двух кривых можно исключить ошибки, связанные с разбросом по энергии, контактными потенциалами и пространственным зарядом. Но такой метод дает точные результаты только тогда, когда кривые эффективности ионизации в области пороговых значений напряжения для иссле- [c.48]

Смотреть страницы где упоминается термин Ксенон потенциал ионизации: [c.503] [c.486] [c.83] [c.486] [c.54] [c.13] [c.429] [c.37] [c.37] [c.38] [c.10] [c.457] [c.405] [c.462] [c.503] [c.10] [c.457] [c.427] [c.500] [c.29] [c.107] [c.127] [c.218] [c.157]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология