Диэлектрофоретическая сила

Различие направлений диэлектрофоретической силы на низких (килогерцы) и высоких (мегагерцы) частотах обусловлено различной ориентацией индуцированного дипольного момента по отношению к внешнему электрическому полю. Из [c.42]

Критическая частота Д (см. рис. XV. 17), при которой происходит смена направления диэлектрофоретического движения, соответствует условию равенства электропроводностей среды и клетки. При повышении частоты в диапазоне десятков и сотен мегагерц диэлектрофоретическая сила уменьшается от максимального уровня Р2 до нуля, а затем вновь меняет направление. Этот переход обусловлен дисперсией поляризации цитоплазмы, аналогично тому как изменение силы от уровня до Р2 связано с дисперсией поляризации мембран. [c.44]

С необходимостью учета электропроводности столкнулся и Г. Поль [23], в опытах которого ток через дисперсную систему, как нагрузочное сопротивление, достигал 1—100 мкА. При этом отмечалось, что эффективность диэлектрофоретического осаждения диэлектрических частиц в поле коаксиальных цилиндров несколько выше для более влажных материалов. Предполагалось также действие неоднородного электрического поля на наведенные током диполи на поверхности частиц , вызывающего появление силы [c.35]

Из приведенных соотношений рассчитаны частотные зависимости диэлектро-форетической силы, действующей на клетки в неоднородном электрическом поле, а также усилия, определяющего вращение клеток во вращающемся электрическом поле. Согласно теории, диэлектрофоретическая сила пропорциональна действительной части безразмерного параметра К и градиенту квадрата напряженности поля [c.42]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология