Двухмерное температурное поле полого цилиндра

ДВУХМЕРНОЕ ТЕМПЕРАТУРНОЕ ПОЛЕ ПОЛОГО ЦИЛИНДРА [c.66]

Для профилированных кристаллов, вытягиваемых по способу Степанова, совместное исследование тепловых условий выращивания и полей термоупругих напряжений впервые было выполнено в [188—190]. Термоупругие напряжения т возникают в том случае, если наблюдается отклонение температурного поля от линейного т Г", где Г" — кривизна температурного поля вдоль оси выращивания oz [167]. Выращивались кристаллы германия в форме цилиндра диаметром 8 мм и тонкой ленты размером 3x24x72 мм. Формообразователь был изготовлен из графита выращивание велось в вакууме. Скорость вытягивания составляла 1,2 мм/мин. В кристалл вращивалась термопара в изолирующем кварцевом чехле, С помощью ее изучалось распределение температуры по оси выращиваемого кристалла. В качестве затравочного кристалла использовался предварительно выращенный кристалл того Hie сечения длиной 80—90 мм. Это обеспечивало стационарность процесса при измерении температуры. Кроме того, измерялись температуры формообразователя и тепловых экранов. Температурное поле определялось из решения двухмерного уравнения теплопроводности [c.90]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология