Использование автоэпитаксии Ge и Si в полупроводниковой технике

Использование автоэпитаксии Се и 5 в полупроводниковой технике [c.397]

Использование процесса автоэпитаксии в полупроводниковой технике основано как раз на возможности получения ориентированных пленок с особыми свойствами, а именно — создании слоев с различны.ми типами проводимости для изготовления диодов, триодов и других полупроводниковых устройств. За последнее пятилетие микроминиатюризация электронных устройств, основанная на использовании автоэпитаксии, получила широкое распространение. Разработан ряд способов ориентированного нарастания Ое и 51 на собственных монокристаллах с образованием р — -переходов, пригодных для технического использования, исследованы электрофизические свойства таких слоев. По- [c.397]

Справочник химика 21