Другие, бинарные полупроводниковые соединения

Лучше других изучены бинарные полупроводниковые соединения. Вероятно, большинство двойных соединений, известных в неорганической химии, в той или иной степени проявляет полупроводниковые свойства. Сюда относятся многочисленные окислы металлов, сульфиды, селениды, теллуриды, нитрилы, фосфиды, карбиды, силициды и т. п. [c.127]

Многие бинарные полупроводниковые соединения характеризуются тетраэдрической координацией 8р атомов, согласно которой все атомы одного компонента (атомы А) должны находиться в центре тетраэдров, атомы другого компонента (атомы В) в его вершинах (рис. 1.24, а). Такое строго упорядоченное взаимное расположение двух видов атомов можно описать при помощи двух взаимно проникающих тетраэдров при этом возможны две конфигурации параллельная (рис. 1.24, б) и антипараллельная (рис. 1.24, в). Эти конфигурации тетраэдрически расположенных атомов двух видов отличаются друг от друга элементами симметрии и, следовательно, позволяют построить две решетки кубической сингонии (структура типа сфалерита) и гексагональной сингонии (структура типа вюрцита). Основное различие между этими структурами заключается в последовательности упаковки атомных слоев, причем оно проявляется в расположении не ближайших атомов, а более дальних. [c.66]

В полупроводниковой технике нашли применение соединения типа А В , наиболее близкие аналоги элементов — полупроводников IV группы Периодической системы. Обнаружилось, что в бинарных полупроводниках типа А В имеется другое сочетание основных физико-химических и электрических параметров, чем то, которое характеризует алмаз, кремний, германий, серое олово и твердые растворы на их основе. Например, собственная ширина запрещенной зоны, подвижность основных носителей тока и температура плавления в группе алмаз — серое олово таковы, что для получения ширины запрещенной зоны более 1 эв мы неизбежно будем получать подвижности основных носителей тока меньше, чем 2000 см в-сек и иметь дело с веществами, плавящимися при температурах выше 1200° С. В соединениях типа А В , например в арсениде галлия, можно иметь при той же температуре плавления материала в полтора раза большую ширину запрещенной зоны и в два раза большую подвижность основных носителей тока. [c.7]

В настоящее время распространена точка зрения, в соответствии с которой твердые растворы полупроводниковых элементов и соединений рассматриваются как идеальные кристаллы с беспорядочным (статистическим) размещением атомов по узлам, образующим правильную трехмерную систему точек [1]. Изменение концентрации раствора приводит лишь к изменению величины трансляционного вектора решетки, оставляя систему подобной. Такое представление подразумевает монотонное (линейное) увеличение или уменьшение длины связи между данными атомами с концентрацией раствора, что отвечает закону Вегарда [2]. Однако в строгом рассмотрении правило Вегарда приложимо к бинарным металлическим системам, в которых межионные расстояния зависят как от параметров ионов, так и от плотности электронного газа коллективизированных электронов, меняющейся с концентрацией. В ковалентных системах твердых растворов на основе А В , А В , А и других необходимо учесть специфику формирования связей, т. е. наличие жесткой пространственной решетки ковалентных связей, охватывающей весь объем кристалла. В этом случае межатомные расстояния определяются структурой связывающих электронных орбит, мостиков связи. [c.255]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология