Проводимость типа

Существуют три основных вида полевых транзисторов, различающихся способом управления проводимостью канала. В транзисторах с управляемым р- -переходом (рис. 1.5, а) на слаболегированной полупроводниковой монокристаллической подложке исток, канал и сток образованы областью проводимости -типа. В средней части этой области между истоком и стоком создается область с противоположным типом проводимости и высокой концентрацией примеси (р -область). Под образовавшимся / - -переходом находится канал -типа. Для функционирования транзистора к затвору относительно истока прикладывается управляющее напряжение (рис. 1.4, в), смещающее р - -переход в обратном направлении (при канале -типа СЛ < 0). Напряжение сток-исток [/с, создающее ток через канал, должно обеспечивать обратное смещение всего р - -перехода ([/ > О для -канала). При этом обедненный носителями тока и выполняющий роль изоляционного слоя р" - -переход располагается в основном в области канала, поскольку толщина перехода с каждой стороны от границы раздела р - и -областей обратно пропорциональна концентрации в них примесей. В то же время толщина перехода, а значит, и проводимость канала, и ток через него зависят от величины С/,. Так происходит эффективное управление током стока с, протекающего через канал, с помощью малых изменений напряжения на затворе. Поскольку / - -переход остается закрытым, входное сопротивление между затвором и истоком полевого транзистора в отличие от биполярного, оказывается весьма большим (10 ... 10 Ом). [c.30]

Исследования электрической проводимости кристаллических веществ служат одним из наиболее тонких и чувствительных методов изучения характера химической связи в кристалле. В самом деле, механизм проводимости, тип и концентрация носителей (особенно в области собственной проводимости) определяются условиями их генерации, которые в свою очередь зависят от характера химической связи между атомами в кристалле, от ее прочности, от типа кристаллической структуры и многих других факторов. [c.318]

Электронная проводимость и проводимость типа протонных полупроводников встречается в растворах сравнительно реже. [c.404]

Типичными дефектами решетки, вызывающими появление донорных примесных уровней в ионном кристалле М+К , могут быть замена иона металла М+ на ион металла большей валентности отсутствие иона металлоида на соответствующем месте внедрение нейтрального атома М в междоузлие. Акцепторные примесные уровни появляются при внедрении атома Н в междоузлие, отсутствии иона М+ на своем месте и пр. Соответственно, полупроводниковые кристаллы с избытком металла сверх стехиометрического количества или содержащие в качестве примеси металлы большей валентности обладают проводимостью -типа, а кристаллы со сверх стехиометрическим избытком металлоида или с внедренным металлом меньшей валентности-проводимостью р-типа. [c.27]

Рис. 14. Закись никеля, имеющая проводимость />-типа, о катионными вакансиями и дырками (а). Закись пикеля с добавкой ионов лития (б). Закись никеля с добавкой

Полупроводники с примесями акцептора относятся к типу р, а их проводимость называется дырочной проводимостью или проводимостью типа р. [c.193]

Примесные атомы пятивалентных элементов называются донорами, так как они отдают электроны. Полупроводники с донорными добавками получили название полупроводников типа п, а их проводимость называется электронной или проводимостью типа п. [c.193]

Существует три типа алмазов, отличающихся своими физическими данными — 1, Па, Пб. Чаще всего в природе встречаются алмазы типа I. Кристаллы этого типа правильной формы и изотропны, характеризуются голубой флюоресценцией, непрозрачны для ультрафиолетовых лучей, имеют определенную полосу поглощения в инфракрасном спектре, но обладают двупреломлением. Полупроводящие алмазы типа 11 б имеют проводимость типа р, р = 50ч-- 1200 ом-см. [c.239]

Электрические параметры при температуре окружающей среды 20+5° напряжение на коллекторе минус 5 а ток эмиттера 1 ма наибольшая мощность, рассеиваемая на коллекторе 150 мвт у наибольшая температура коллекторного перехода +100°. Триоды обладают проводимостью типа рпр. [c.62]

Триоды обладают проводимостью типа рпр. [c.63]

При включении триодов в схему необходимо строго соблюдать величину и полярность подводимого к электродам напряжения. При проводимости типа р — п — р на коллектор необходимо подавать минус, а на эмиттер — плюс (относительно основания). Превышение допустимых напряжений, так же как и перегревание триодов при пайке, может привести к их порче. [c.34]

Как полупроводники в полупроводниковых приборах используют эпитаксиальные пленки кремния и германия. Меняя природу и количество примесей в них, получают слои разного удельного сопротивления с примесной электронной проводимостью (тип п) [c.169]

Концентрация раствора электролита определяется требованием высокой электрической проводимости, типом ХИТ и условиями эксплуатации. Кривая зависимости электрической проводимости раствора электролита от его концентрации имеет максимум (рис. 2). Поэтому обычно используются растворы электролитов, концентрация которых лежит в области максимума электрической проводимости. Электрическая проводимость электролитов возрастает с увеличением температуры. [c.26]

Добавляя к кристаллу определенные примесные атомы, можно получить полупроводник, в котором электроперенос осуществляется за счет только электронов (л-тип) или только дырок (р-тип). Если к кристаллу кремния добавить атомы элементов V группы периодической системы, то можно получить проводимость -типа. Дримеси, увеличивающие число свободных электронов в полупроводнике, именуются донорными. Если в кристалл кремния ввести примесные атомы элементов П1 группы, то будет иметь место проводимость р-типа. Такие примеси называются акцепторными. [c.9]

Р— число положительных носителей в 1 см р — дырочная проводимость (тип или область) [c.7]

Полупроводниковыми материалами для изготовления транзисторов служат кремний и германий. Плоскостной транзистор содержит тонкую пластинку из кремния или германия с проводимостью типа п, в которой с двух сторон путем введения акцепторной примеси создаются области с проводимостью р. [c.27]

В тиристоре имеются три р-п перехода (рис. 1.9), причем области с проводимостями типа р та п чередуются. Основные электроды тиристора — анод и катод — расположены на наружных слоях, а третий управляющий электрод подсоединен ко второй области р2 с р проводимостью. При подаче постоянного напряжения на тиристор в направлении, показанном на схеме (плюс к электроду р и [c.28]

Этот случай особенно важен для полимеров с полупроводниковыми свойствами, так как всевозможные нарушения регулярности в макромолекулах, по всей видимости, в основном создают акцепторные примеси, и ток переносится путем перемещения электронной дырки, образующейся при захвате электрона акцепторной примесью в валентной зоне (это будет случай дырочной проводимости, или проводимости / -типа). [c.257]

До недавнего времени не существовало удобных доноров для получения алмазных электродов и-типа. Известные доноры — азот, фосфор — имеют слишком большую энергию ионизации (соответственно, 1,7 и 0,6 эВ) и потому не могут придать алмазу заметной проводимости при комнатной температуре. Однако недавно появились сообщения [21, 22] о том, что сера служит донорной примесью в алмазе, с приемлемой энергией ионизации (0,36-0,38 эВ). Правда, вскоре появилось опровержение [23] утверждалось, что легированные серой пленки все же содержали бор (видимо, им была загрязнена установка) и потому имели проводимость / -типа. В недавней работе [24] не только удалось получить хорошо проводящие алмазные гьтенки л-типа (путем совместного легирования алмаза серой и бором), но и было разрешено сформулированное выше противоречие. [c.13]

Теллурид цинка [99]. Для изготовления р— -перехода использовали монокристаллы ZnTe р-типа с избытком теллура, а также легированные Li, s, Р. Концентрация носителей тока в р- ZnTe достигала 3-10 8см . Область с проводимостью -типа создавали путем введения комплексов галлий-кислород неравновесным методом резким охлаждением расплавленного слоя ZnTe с примесью окисных соединений галлия. Для этого на поверхность кристалла р-типа наносили коллоидный слой гидроокиси галлия, а пластину устанавливали на хладопровод и нагревали электронно-плазменным лучом, образованным [c.151]

Селенид цинка. В 1972 г, появились три сообщения об изготовлении эффективных светодиодов на основе селенида цинка [109—111]. Сам селенид цинка обладал высокой проводимостью -типа (удельное электросопротивление 0,03—0,1 Ом см ) и был легирован Мп и AI. Такой материал получали путем выращивания слоя селенида Ц1шка методом жидкофазной эпитаксии из раствора в жидком сплаве Zn (87%) — Sn (13%) с добавками Мп и А1. [c.152]

Величина термоэлектродвижущей силы для РгО 1,933 была определена Мартином [83] в интервале температур от 200 до 1100° С, причем при повышении температуры-РгО 1,833 непрерывно обеднялась кислородом (рис. 108). Коэффициент Сибека отрицателен и его численное значение с повышением температуры вплоть до 780° С уменьшается. Проводимость -типа обнаружена для РГО1.833 при температурах выше 780° С, а также для составов РгО с при ж 0,75. [c.273]

Без изменения числа анионов и возникновения ка-гионных вакансий можно получить полупроводниковые свойства, например, в кристаллах N 0, легированных литием (рис. 10.5). В нормальных узлах рещетки находятся трехвалентные ионы никеля, заряд которых компенсируется одновалентным ионом лития. Тогда общий заряд для пары катионов N1 + + равен заряду двух двухвалентных ионов никеля, так что требование электрической нейтральности выполняется. Состав кристалла с добавкой Ь может быть выражен, таким образом, формулой (Ь1+N12+2 Ы +)0. В противоположность окиси N 0 со стехиометрическим составом, которая имеет бледно-зеленую окраску и является непроводящей, материал с добавлением имеет черный цвет и проводимость типа р. При 10% (ат.) Ь проводимость примерно в 10 раз больще, чем у нелегированного материала. [c.214]

Наружные окошки 20 в крышках изготовлялись из ЫаС1, а внутренние 19 — из германия (проводимость -типа, удельное сопротивление порядка 50 ом-см). Все окошки вклеивались в крышки при помощи замазки из синтетической смолы. При прохождении через четыре окошка кюветы терялось около 80% интенсивности светового пучка, однако оставшейся энергии все же было достаточно для получения хороших спектров. В ходе эксперимента внутренние окошки подвергаются воздействию большого перепада температур. Так как германий и сталь имеют различные коэфф щиенты теплового расширения, то для предотвращения повреждения окошек при изменении температуры стальные пластинки, к которым крепятся окошки, были изогнуты вблизи окошек, как это показано на рисунке [7]. Кроме того, окошки приклеивались такой замазкой из синтетической смолы, которая сохраняла некоторую эластичность при затвердевании. [c.373]

Одной из разновидностей активных элементов, в технологии изготовления которых нашло широкое применение напыление металлов в вакууме, являются меза-тран-знсторы, или транзисторы с диффузионной базой. В качестве исходного материала для их изготовления часто служат тонкие германиевые пластинки, обладающие проводимостью типа р. С одной стороны пластинки методом диффузии создается тонкий слой германия типа п и образуется базовый диффузионный р-п переход. [c.68]

Знаком ( ) отмечены германиевые триоды с проводимостью типа рпр-, знаком ( —германиевые триоды с проводимостью типа язг значком ( )—крзмнчзвыэ трлоды с прэзэди мостью типа прп. [c.540]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология