Инжектирующие переходы в соединениях типа

III. Инжектирующие переходы в соединениях типа А"В [c.40]

Явление самокомпенсации, которое пока еще недостаточно изучено и понято, препятствует созданию р- -переходов в полупроводниковых соединениях типа А"в при использовании обычных способов легирования электрически активными примесями. В связи с этим ведется разработка технологии получения новых материалов типа Сс1,- 2пДе, ZnSej-fTe , и di- Mg Te, которые могут иметь как п-, так и р-тип проводи.мости, а также изыскиваются эффективные инжектирующие переходы, отличающиеся от типичных р-п-переходов. [c.40]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология