Создание пересыщения, зарождение и рост кристаллов

Создание пересыщения, зарождение и рост кристаллов [c.95]

Эта теория в качественных выводах достаточно хорошо подтверждается экспериментальными данными. Так, она аглядно объясняет стремление кристаллов покрываться плоскими, а ие кривыми поверхностями сам факт роста кристаллов в виде многогранников свидетельствует о значительном отличии линейных скоростей роста отдельных граней. Кроме того, задолго до создания законченной теории послойного роста опытным путем было обнаружено [169, 170], что кристалл в пересыщенном растворе растет не плавно, а скачками, т. е. после некоторой (иногда продолжительной) остановки наблюдается быстрое отложение вешества на грани в виде прирастающего слоя со строго параллельным расположением частиц, который сразу покрывает всю грань или большую ее часть. Некоторые исследователи [93, 171 — 174] смогли пронаблюдать слоистый рост кристаллов, причем для гетерополярных веществ зарождение каждого нового слоя начиналось из углов грани. [c.89]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология