Влияние экранов на термоупругие напряжения

Влияние экранов на термоупругие напряжения [c.92]

Характерное распределение температуры по высоте системы тигель—формообразователь—кристалл показано на рис. 48, б. Температура дна тигля не должна превышать 2090° С. Температура кромок формообразователей на несколько градусов выше температуры кристаллизации 2053° С. На структурное совершенство получаемых кр исталлов существенное влияние оказывает распределение температуры в растущем кристалле на участке от фронта кристаллизации до сечения с температурой Т , при которой возможно гетерогенное зарождение дислокаций при данном уровне термоупругих напряжений. Величина и характер изменения температуры на участке 2053° С—Т зависит от характера нагревателей, тепловых экранов, геометрии поперечного сечения кристалла и скорости вытягивания. Рассмотрим средства управления температурным полем, предусмотренные в тепловой зоне, показанной на рис. 48, а. Частота тока индуктора снижена по сравнению с частотой в работе [28] более чем в 60 раз и составляет 8000 Гц. Благодаря этому увеличена почти в 8 раз глубина проникновения тока Д в графитовый муфель. На частоте f— =8000 Гц глубина проникновения Д =5 10 /р//=1.8 см (р = = 10" Ом-см — удельное электросопротивление графита при [c.140]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология