Оптимальное значение поверхностей нагрева

Практическая реализация указанного способа тепловой стимуляции затруднительна, поэтому близкими к оптимальным режимам ТК являются 1) поверхностный нагрев сосредоточенным тепловым пучком, сканирующим без пропусков поверхность изделия 2) пропускание через металлическое изделие мощного импульса электрического тока 3) индукционный нагрев скрытых металлических слоев в структурах металл-неметалл 4) мощный объемный СВЧ-нагрев. В частности, как показано в п. 3.2.2, для поверхностного нагрева максимальное значение С =Ы1- (сравнить с формулой (3.69). [c.96]

Радиационный нагрев поверхности пленки, деформированной в н-гептане, приводит к образованию капсул при температуре 150-155 °С за 15 с. Пороговые значения этих параметров при термостатировании в воздушной среде составляют 80 °С и 10 мин. Оптимальный режим радиационного нагрева по оценочным данным составляет 180 -195 °С за 5 - 10 с. В режиме теплового удара с радиационным нагревом удалось получить наивысшую эффективность капсулирования. Содержание н-гептана в капсулах достигает 25% (о б.) по сравнению с 15% (об.) в жидком теплоносителе и 12- 13% (об.) в газовой среде. [c.75]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология