Энергетика чистого кристалла

Здесь следует особо подчеркнуть, что энергетика смешанных кристаллов существенно сложнее, чем чистых. Моделирование процесса отделения от кристалла строительных элементов путем однотипных шагов здесь невыполнимо. Ввиду этого в дальнейшем придется кинетическую трактовку процесса образования кристаллических зародышей ограничить рассмотрением чистых кристаллов и соответственно отказаться от введения термодинамического потенциала, относимого к определенному месту (р,)-Если отнимать от места роста бинарного смешанного кристалла один за другим большое количество и = + Иг строительных частиц, то общая затрата энергии будет пропорциональна числу п, и ее можно положить равной п(ео — е ), причем бо — е обозначает среднюю затрату энергии па каждый строительный элемент. Далее всю эту затрату энергии можно распределить между 1 и Пг компонентами [c.72]

Ядерная и полупроводниковая промышленность также целиком опирается на спектральные методы контроля своей продукции. Почти все веш,ества, применяемые в ядерной энергетике, должны быть свободны от элементов-примесей, которые поглош ают медленные нейтроны или становятся радиоактивными, что в конце концов останавливает работу ядерного реактора. Для удовлетворения техническим условиям полупроводниковые приборы изготовляют также под тщательным контролем содержания донорных и акцепторных примесей. Так, для получения перехода эмиттер — база транзистора в кристалл вплавляют 60 мкг индия, содержащего 0,5% галлия для получения перехода коллектор — база в кристалл вплавляют 60 мкг чистого индия. Если сделать наоборот, начнется поточное производство брака. [c.148]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология