Место роста

Повышению производительности труда способствует правильная организация труда и рабочего места, рост культурно-технического уровня и материального благосостояния трудящихся, правильная постановка технического нормирования и организации заработной платы, соблюдение трудовой дисциплины, правил внутреннего распорядка и техники безопасности. [c.343]

Малые количества воды (менее 1 молекулы на полость) должны перераспределяться еще более медленно. Для ускорения этого процесса образец прогревали. Если температура прогревания была не слишком высокой (370 К), то наблюдался такой же эффект, что и при длительной выдержке образца при комнатной температуре. При этом имели место рост максимума D и некоторое смещение к высоким температурам максимума С [701]. Иной результат наблюдался при прогревании другого образца цеолита NaA с таким же содержанием воды при температуре 620 К. В этом случае наблюдалось уменьшение максимума D, а В я С смещались к низким температурам. Полученный результат нельзя объяснить дегидратацией, так как ячейка с образцом была герметически закрыта, причем от окончания прогревания до момента измерения проходило время, достаточное для повторной адсорбции воды (более 10 ч). Наблюдаемое явление можно объяснить появлением дефектов в кристаллической решетке, которые могут захватывать молекулы воды. Не исключена также возможность диссоциации адсорбированных молекул воды [702]. [c.263]

При крекинге на цеолитсодержащих катализаторах с высокой активностью влияние фракционного состава сырья при равных прочих характеристиках не очень значительно. Обычно по мере облегчения сырья имеет место рост выхода углеводородов Сз—С4 и бензина при снижении выхода водорода и кокса. Вовлечение остаточных фракций до определенного их содержания (14—15% (об.)] в вакуумный дистиллят повышает октановое число бензина и его выход в расчете на нефть. Ограничивающими факторами по концу кипения сырья крекинга являются содержание смол, асфальтенов, металлов и коксуемость. [c.111]

Изменения пористой структуры и поверхности обусловливаются двумя процессами кристаллизацией и спеканием. При кристаллизации катализаторов имеет место рост кристаллов и упорядочение всей структуры с устранением дефектов и других искажений в решетке кристаллов. В результате исчезают наиболее мелкие частицы, увеличивается размер пор, сокращается удельная поверхность. Однако общий объем пор при этом изменяется незначительно. В процессе кристаллизации формируется относительно стабильная и более однородная структура. [c.53]

При полимеризации, протекающей в условиях кислой среды (как правило, нелинейно), имеет место рост разветвленности молекул и образование углеводородов с четвертичными атомами углерода. [c.107]

Если в потоке двухфазной среды увеличение параметров /г и /у приводит к увеличению ее скорости, то при периодических процессах 1с постоянным объемом жидкости (ванные печи) имеет место рост объема жидкой зоны технологического процесса (вспучивание) по мере роста газовой нагрузки слоя fг. [c.175]

Скорость протекания всего процесса в целом контролируется стадией, сопровождающейся наибольшими торможениями. Причинами торможения могут быть замедленная доставка разряжающихся ионов к катоду — концентрационное перенапряжение (1-я стадия) замедленный разряд ионов, который обусловлен медленным переносом заряда через двойной электрический слой и связанным с этим изменением физико-химического и энергетического состояния ионов (дегидратация, десольватация, распад комплексных ионов и др.) — электрохимическое перенапряжение (2-я стадия) трудности, связанные с построением кристаллической решетки замедленная диффузия ад-атомов (ад-ионов) по поверхности катода к местам роста кристаллов, задержка при вхождении атомов в кристаллическую решетку или при образовании двух- или трехмерных кристаллических зародышей, т. е. то, что характеризует так называемое кристаллизационное перенапряжение (3-я стадия). Величина последнего сравнительно невелика и зависит от природы металла и от состояния поверхности катода, которое в ходе электролиза меняется в результате адсорбции посторонних ионов, молекул и органических веществ. [c.335]

Рост двухмерных зародыщей можно представить следующим образом. Ад-атомы (ад-ионы) присоединяются прежде всего к недостроенным участкам (ступенькам) кристаллической решетки как энергетически наиболее выгодным местам для продолжения роста грани. Здесь восстановленный ион имеет двух соседей и присоединяется к поверхности электрода, а следовательно, он должен быть наиболее прочно связан с кристаллической решеткой (рис. ХМ,/), После завершения ряда растущей плоскости наиболее вероятным местом роста кристалла будет положение 2, где присоединяющийся ад-атом (ад-ион) имеет одного соседа и одновременно связан с поверхностью электрода. В этом положении образуются места, подобные положению 1 (отмечены пунктиром), которые [c.336]

При некоторых условиях (например, когда скорость поступления ионов к местам роста слишком мала) структурные элементы могут присоединяться одновременно и к местам энергетически менее выгодным. Так образуются зародыши в положении 3 еще до окончания роста слоя решетки, после чего около них возникают другие места роста следующего слоя решетки. Вследствие этого образуются несколько одновременно растущих слоев в виде пакета, состоящего из 1000 и более атомных плоскостей. [c.336]

В теории Фольмера и Эрдей-Груза принималось, что разряд ионов металла происходит непосредственно в месте роста. Однако можно предположить, что разряд иона происходит на кристаллической плоскости, а затем наблюдается поверхностная дис узия образовавшегося адиона (адсорбированного иона) или адатома к месту роста. [c.322]

Однако на опыте доказательство замедленной поверхностной диффузии при помощи импедансных измерений осложняется необходимостью учета медленного встраивания адатома в место роста. При встраивании адатом окончательно теряет свою сольватную оболочку, что связано с затратой энергии. Эту стадию электрокристаллизации можно рассматривать как гетерогенную последующую химическую реакцию. Обратный процесс — выход адатомов из мест роста и последующая их ионизация — характеризуется некоторой предельной анодной плотностью тока. Импеданс стадии медленного вхождения адатома в места роста моделируется параллельным соединением емкости и сопротивления электрокристаллизации, для которых сохраняются те же самые выражения, что и для медленной гетерогенной химической реакции (см. 59). [c.326]

Для бездислокационных граней между стационарной скоростью распространения ступени роста и перенапряжением при небольших т] существует линейная зависимость [=kL , где Ь — длина растущей ступени. Для кристаллов с винтовой дислокацией была найдена линейная зависимость между током и г) , которая объясняется тем, что при спиральном росте общая длина L спирального фронта обратно пропорциональна расстоянию между последовательными витками спирали и, следовательно, пропорциональна перенапряжению. Зная эти зависимости, можно приготовить поверхности с точно известной плотностью ступеней роста. Согласно импедансным измерениям на таких поверхностях плотность тока обмена пропорциональна длине ступеней. Это означает, что осаждение адатомов на ступенях является более быстрым процессом, чем осаждение на кристаллической плоскости, а найденная плотность тока обмена, составляющая 600 А/см , характеризует обмен между адатомами в местах роста и ионами в растворе. С другой стороны, импедансные измерения на идеально гладких поверхностях позволили определить ток обмена адатомов на кристаллической плоскости с ионами раствора, который оказался равным всего 0,06 А/см . Таким образом, при электрокристаллизации серебра из концентрированных растворов осуществляется преимущественно механизм непосредственного вхождения адатомов в места роста, вклад же поверхностной диффузии даже при наивысшей плотности ступеней не превышает нескольких процентов. [c.327]

Совсем по-иному влияют на процесс кристаллизации растворимые примеси. Дело в том, что зародыш кристалла при своем образовании стремится оттеснить инородные примесные молекулы, что ведет к обогащению этими молекулами слоя расплава, окружающего границы зародыша. По этой причине участие молекул основного вещества в росте зародыша становится затруднительным и для достижения зародышем критического размера уже требуется большее переохлаждение. В присутствии примеси может изменяться (как правило, уменьшается) и скорость роста кристалла. Это, по-видимому, обусловлено адсорбцией примесных молекул на поверхности кристалла. Если адсорбция происходит на активных местах роста, то такое локальное отравление поверхности кристалла тормозит образование кристаллического слоя и рост кристалла замедляется по сравнению с его ростом из чистого расплава. Но, с другой стороны, адсорбция примесных молекул может приводить к уменьшению поверхностной энергии кристалла. Это, в свою очередь, связано с повышением шероховатости поверхности, [c.109]

Концентрация малорастворимого электролита, необходимая для образования зародышей, всегда выше той концентрации, которая достаточна для дальнейшего роста кристаллов. Это объясняется тем, что растворимость мелких кристаллов значительно больше растворимости крупных кристаллов (см. раздел 8.1). Наглядно это показано на рис. 24. Кривая / изображает зависимость растворимости крупных кристаллов от температуры раствора. Область I, находящаяся нил<е этой кривой, соответствует ненасыщенному раствору. Кривая 2 показывает наименьшую концентрацию, при которой начинается образование зародышей кристаллов. В области П, находящейся между обеими кривыми, имеет место рост уже возникших кристалликов. В области 1П происходит как возникновение новых зародышей кристаллов, так и рост уже возникших кристаллов. [c.123]

Расчеты выполнены для теоретической температуры горения. Рассмотрение графика показывает, что в восстановительной области имеет место рост концентрации сероводорода, в который при а—0,6 переходит почти вся сера. При значениях а>0,8 большая часть серы находится в форме 502. Поведение Нг5 хорошо видно нз графиков рис. 3.3. [c.72]

ЭЛЕКТРОКРИСТАЛЛИЗАЦИЯ, образование и рост кристаллов в объеме р-ра (расплава) или на пов-сти электрода в результате протекания электрохим. р-ции. Является фазовым переходом I рода. Имеет много общего с кристаллизацией из пара и р-ра, но в отличие от этого процесса в условиях Э. происходит акт переноса заряда, к-рый предшествует встраиванию атомов в места роста кристаллов или протекает одновременно с ним. [c.430]

Кинетика Э. Фазовый переход ион в р-ре атом в кристаллич. решетке металла протекает через ряд стадий разряд иона с образованием адатомов, их поверхностная диффузия к месту роста и встраивание в кристаллич. решетку. Каждая из стадий может определять скорость процесса. При низких перенапряжениях ( < 30 мВ) для Си и Ag скорость процесса определяется поверхностной диффузией, при более высоких перенапряжениях - стадией переноса заряда. Адатомы могуг нести нек-рый электрич. заряд вследствие частичного разряда ионов. Вероятность разряда иона непосредственно в месте роста или на пов-сти грани с последующей диффузией адатомов к месту роста зависит от концентрации ионов в р-ре, энергии их. десольватации и энергии связи атомов в кристаллич. решетке. Предполагается, что преимущественный ра яд ионов в месте роста может происходить при энергии субли- [c.430]

Миграция границ зерен и рост зерен. Как уже отмечалось вьппе, во время деформации наноструктурной Си имеет место рост зерен, отсутствующий даже во время продолжительной выдержки при комнатной температуре. Наблюдение ускорен- [c.190]

Предполагается, что во втором случае подход металлических v hob непосредственно к местам роста с одно-в j) M ен н м м в нсд ре и и ем ие нт ра ль иы х атомов в кристаллическую решетку [c.22]

При обосновании механизма поверхностной диффузии, согласно Дж, Бокрису, рассматривают различие в степени сольватации адионов на поверхности грани и в месте роста, обусловленное стерическими условиями. При адсорбции на поверхности грани десольватация иона оказывается наименьшей, тогда как адсорбция в месте к (см. рис. 169) требует значительной десольватации иона и потому может оказаться энергетически невыгодной. В результате разряд будет происходить преимущественно на поверхности грани. В ходе последующей диффузии к месту роста наблюдается постепенная десольватация адиона. [c.322]

Итак, возможны два механизма распространения ступеней роста а) адатомы входят непосредственно в места роста б) адатомы входят в места роста после поверхностной диффузии. Оценка вклада каждого из этих механизмов в процесс электрокристаллизации представляет сложную экспериментальную задачу. Однозначный вывод о соотношении указанных механизмов был получен пока лишь для процесса элек- [c.326]

Одним из важных в теории элер трокристаллизации является вопрос о месте разряда ионов металла. Непосредственно восстановление гидратированных ионов металла до атомов в местах роста зародышей статистически мг1ЛОвероятно, Можно предположить, что ионы металла восстанавливаются в любом месте поверхности до адсорбированных атомов, которые потом ио поверхности металла диффундируют к месту роста. Согласно другой концепции (Дж. Бокрис, Б. Конвей) энергия активации перехода из гидратированного иона в растворе в незаряженный атом слишком велика и перенос не может осуществляться с заметной скоростью. В связи с этим переносимая ио поверхности частица является не адсорбированным атомом (ад-атом), а адсорбированным ионом (ад-ион). Миграция ад-иона по поверхности будет сопровождаться постоянным уменьшением гидратной оболочки и увеличением числа координационных связей с атомами металла. [c.240]

На атомногладкой фани кристалла его рост происходит путем образования двумерного критич. зародыша и его последующего разрастания. Возникновение двумерного зародыша требует определенного перенапряжения Т1, связанного с возникновением новой пов-сти - ступени роста и, соотв., избыточной краевой энергии. Распространение раст чцего слоя по пов-сти грани происходит тангенциально, путем присоединения атомов к местам роста (изломам на ступени). Такая Э. наблюдается на бездислокационных фанях монокристаллов Ag, полученных электролизом в капиллярах. При повышении [c.430]

Таким образом. Рвсас не сможет превысить значения, соответствующего настройке пружины, даже если при остановке компрессора будет иметь место рост давления в испарителе. [c.242]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология