Слои процессе образования кристаллических соединени

Из всех способов оксидирования стали наиболее полно исследовано химическое оксидирование в щелочных растворах. Взаимодействуя с горячей концентрированной щелочью, железо растворяется и образует закисные соединения. Введение в раствор окислителей изменяет ход процесса и приводит к образованию на металле окисной пленки. Она состоит в основном из магнитной окиси железа. Формирование пленки начинается с появления на металле ее кристаллических зародышей. [1]. Разрастаясь, они образуют сплошной слой окисла. По мере того как окисел покрывает металл, изолируя его от воздействия электролита, уменьшается скорость растворения железа и образования пленки. Скорость роста пленки и ее толщина зависят от соотношения скоростей образования центров кристаллизации и роста отдельных кристаллов. При большой скорости образования зародышей кристаллов количество их на поверхности металла быстро увеличивается — кристаллы смыкаются, образуя тонкую сплошную пленку. Если же скорость образования зародышей невелика, то до того, как они сомкнутся, увеличится высота каждого зародыша, и пленка достигнет большей толщины, чем в первом случае (фиг. 1). [c.6]

Окклюзия — это захват примесей раствора внутрь образующегося осадка, а не только его поверхностью. Причиной окклюзии может быть как механический захват примесей, обрастающих затем новыми слоями кристаллической решетки, так и образование химических соединений между основным осадком и соосаждаемой примесью. На практике различные виды соосаждения могут сочетаться, протекать последовательно, осложняться вторичными процессами. [c.103]

Значительную роль при образовании фазы p-W играет [37] стабилизация кристаллической решетки определенным элементом, подобно тому как это наблюдается в окисле вольфрама, легированном кремнием или фосфором [49]. Поэтому в работе [37] на основании результатов исследования процесса образования покрытий в результате разложения карбонила вольфрама в качестве стабилизатора p-W предполагается кислород, соединяющийся с вольфрамом при температуре 300— 1000° С. Для выяснения роли кислорода проводилось исследование с заведомо большим его содержанием в составе покрытий. В качестве летучего соединения использовалась трехокись вольфрама. Рентгенографически установлено, что слой покрытия состоит из W2 и неизвестной фазы с ГЦК решеткой (а —4,24 А) (см. [443]). Полученное завышенное значение параметра решетки свидетельствует о том, что образующееся соединение не является чистым ГЦК карбидом, а условия его образования позволяют предположить, что это оксикарбид [c.17]

Возможность взаимного изоморфного замещения и образования смешанных кристаллов определяется 1) близостью размеров замещающих друг друга частиц 2) типом связи, ионными радиусами, зарядами ионов, их поляризацией, поляризующей способностью и другими свойствами ионов, зависящими от строения внешних электронных слоев 3) типом соединения и геометрическим подобием структур кристаллических решеток 4) энергетикой процесса изоморфного замещения легче образуются кристаллические решетки, обладающие большой энергией. [c.78]

Скорость образования аддуктов и клатратов заметно выше скорости, при которой достигается равновесие в большинстве процессов адсорбции кинетику.последних можно сравнить с кинетикой образования соединений включения в кристаллических решетках с пустотами в форме слоев (цеолиты). [c.76]

Механизм физического превращения кристаллического графита во время такого удаления остается неизвестным. Во многих случаях наблюдается заметное вздутие или расслоение материала [200, 888]. Можно предположить, что сразу после удаления некоторого количества внедренных частиц йз пространства между двумя углеродными макромолекулами смежные углеродные гексагональные сетки обрушиваются и увлекают за собой остальные слои. Не исключено, однако, что будет захвачена только часть сеток (ср. [652]). Точно так же при образовании кристаллических соединений графита в результате сорбции внутрь слоев процесс раскрытия (расслаивания) последних, который, по-видимому, является автоката-литическим, сильно облегчается, как только определенное количество молекул произведет деформацию слоя. Краевые дырочные и клещевидные дефекты углеродных макромолекул могут способствовать этому первоначальному расслаиванию. [c.156]

Фосфорная кислота — более слабы " катализатор в сравнении с серной кислотоиГВ ее присутствии реакция протекает при повышенных температурах практически без образования побочных продуктов и смолы. Кислота после регенерации используется повторно. Процесс алкилирования бензола олефинами проводят при температуре 473 К и давлении 2,8—4,2 МПа. Срок службы катализатора в таких условиях — 3 года. Ядами катализатора являются органические соединения азота, нейтрализующие кислоту, и кислород, вызывающий отложение смолистых веществ на поверхности. Для предотвращения дегидратации и дезактивации катализатора в реакционную смесь добавляют небольшое количество воды (>0,1% масс, в расчете на сырье) или изопропилового спирта. Регенерируют катализатор обработкой три-этилфосфатом, растворенным в бензоле. Для продления срока службы катализатора реакционную смесь (бензол, олефин) предлагается пропускать над слоем аморфного кристаллического алюмосиликата. [c.22]

Второй очень распространенный тип нежелательных процессов — это образование в органическом катализе богатых углеродом отложений каталитического кокса . Часто это своеобразное продвижение в сторону термодинамически выгодного процесса выделения всего углерода органической молекулы в виде сажи или графитоподобных слоев. От такого процесса их обычно защищает большая величина энергии образования кристаллических зародышей углерода. Движение к этому через полимерные органические соединения с конденсированными ароматическими кольцами широко распространено в катализе. Часто такие пленки содержат и кислород. К сожалению, состав и химическое строение этих поверхностных пленок, играющих немаловажную роль в органическом катализе, пока недостаточно выяснены. В подавляющем большинстве случаев хорошие катализаторы должны позволять производить желаемые органические реакции с минимальным развитием глубокого окисления до СО2. [c.27]

Подробно исследовались простые реакции соединения между твердыми веществами типа А+В—>АВ, примером которых может служить образование оксисоли или смешанного окисла из двух составляющих его окислов (см. [2], стр. 448—451). Если растворимостью исходных веществ в продукте можно пренебречь, то слой последнего должен быть гомогенным (хотя, по всей вероятности, и не вполне кристаллическим). Способ роста этого слоя зависит от способности А и В диффундировать через массу АВ в предельном случае, когда А может диффундировать через АВ, а В нет, А будет входить в слой АВ на поверхности раздела А/АВ, диффундировать через него и соединяться с В на поверхности раздела АВ/В. Поэтому слой АВ будет расти на той стороне, где находится В кажущаяся реакция на стороне слоя, где находится вещество А, в действительности является процессом растворения вещества А, которое, таким образом, входит в слой продукта. В случае, если А и В способны диффундировать в слой АВ, их соединение будет происходить в самом слое, рост которого при этом происходит за счет прогрессивного расходования масс обоих соприкасающихся реагентов. [c.398]

Если образовавшийся на аноде слой является ионным проводником, то есть твердым электролитом (как, например, слой хлористого серебра на серебряном электроде), то он, хотя и не задерживает электрического тока, но изменяет анодный процесс. В таких слоях электрический ток переносится ионами. Через границу осажденного слоя, примыкающую к металлу, ионы металла переходят в этот слой, мигрируют в нем и достигают его внешней поверхности. Анионы, находящиеся в растворе, подходят к этой поверхности и соединяются с ионами металла. Конечным результатом такого процесса является образование новых количеств нерастворимого соединения и утолщение осажденного слоя. Электрическое сопротивление слоя увеличивается, вследствие чего сила тока и скорость анодного процесса все сильнее падают. Если осажденный слой до некоторой степени растворим, то рано или поздно устанавливается такое состояние, при котором на стороне слоя, обращенного к раствору, растворится в одну секунду столько же вещества, сколько его образуется в слое со стороны металла. В этом случае металл медленно, но непрерывно переходит в раствор, и осажденный слой перемещается внутрь металлического электрода, оставаясь примерно постоянным по толщине. Однако в большинстве случаев осажденный слой с увеличением толщины становится все более хрупким. Так как кристаллическая структура твердого слоя отличается от структуры металла, то объем окислов (или других нерастворимых веществ), из которых состоит слой, отличается от соответствующего объема металла. В результате возникают механические напряжения, которые с ростом толщины слоя рано или поздно приводят к отслоению всего покрытия, вследствие чего освобождаются участки поверхности металла и процесс начинается сначала. [c.193]

При постепенном повышении температуры начинается взаимодействие, первичная стадия которого заключается в поверхностной адсорбции атомов, приводящей к образованию соединений адсорбционного типа. Затем возникают единичные частички стехиометриче-ского соединения АВ, но эти частички расположены беспорядочно, что обусловливает большую внутреннюю поверхность, высокую активность и сильную каталитическую способность первичных проме жуточных реакционных слоев. При дальнейшей тепловой обработке начинают формироваться кристаллические слои с более упорядоченным расположением частиц, представляющие собой уже действительные кристаллы стехиометрического соединения АВ. В дальнейшем процесс взаимодействия идет путем диффузии реагирующих веществ через ранее возникшие прослойки вновь образовавшихся соединений. Характерно, что при реакциях между окисью кальция и кварцем, протекающих в твердом состоянии, образование подобных реакционных слоев или каемок всегда наблюдается на зернах кварца. [c.206]

Кондиционирование дымовых газов 80з основано на том, что это вещество, осаасдаясь на поверхности частиц золы, высвобождает из кристаллической решетки атомы натрия и лития, которые приобретают способность к миграции в слое золы, собранной на осадительных электродах. Тем самым обеспечивается стекание зарядов с поверхности слоя золы на землю и работа электрофильтра в режиме униполярного коронного разряда. Однако этот процесс ограничен во времени с образованием сульфатов на поверхности золы действие 80з, как кондиционирующего вещества, прекращается. Для возобновления этого процесса необходимо подать новые порции серного ангидрида. Подтверждением этому является тот факт, что зола даже малосернистых углей содержит значительные количества сульфатов, образовавшиеся в конвективной части котла до электрогазоочистки но эта зола, тем не менее, имеет весьма высокое значение УЭС. В этом состоит отличие от температурно-влажностного кондиционирования, которое из-за отсутствия образования стабильных химических соединений действует все время, хотя для этого требуются большие количества водяного пара. [c.56]

С другой стороны процессы интенсивной механической деструкции полимеров, находящихся в стеклообразном состоянии, можно использовать для инициирования полимеризации виниловых мономеров и получения привитых и блок-сополимеров на их поверхности, как это было сделано, например, для системы целлюлоза — стирол. Вообще говоря, возникновение активных центров, вызывающих полимеризацию, связано с разрывом химических связей, в результате которого образуются свободные радикалы или активные ионы. При дроблении ковалентных соединении аморфного или кристаллического строения образуются центры радикального типа, инициирующие полимеризацию. Образование свежей поверхности в случае, например, ТЮЬ, приводит к возникновению сильно дефектной кристаллической структуры, свободной от обычного адсорбционного слоя и способной непосредственно контактировать с молекулами стирола, что также приводит к полимеризации последнего. Дробление же молекулярных кристаллов типа нафталина не приводит к инициированию полимеризации, так как свежеобразованная поверхность такого кристалла состоит из насыщенных молекул. Прививка образующегося полимера к твердым [c.462]

Под верхним рыхлым слоем отложений располагаются пленки, которые не удаляются механически и не растворяются органическими растворителями. Видимо, в данном случае имеет место внедрение осколков полярных молекул сераорганических соединений в дефектные кристаллические решетки металлов и межкристаллическое пространство [5]. В процессах коррозии эти пленки выполняют защитную роль, и с их образованием, очевидно, связано действие присадок. [c.468]

Железо может находиться в растворе гидроокиси натрия в присутствии кислорода, не испытывая видимых изменений. Невидимая пленка, которая образовывалась на поверхности железа в этих условиях и препятствовала дальнейшему развитию коррозии, исследовалась с помощью дифракции электронов основным составляющим был окисел кубической модификации. Можно предположить, что образование окисла кубической модификации является характерной чертой защитной пленки. Это совсем неудивительно, так как, будучи образован или при непосредственном окислении, или другим путем этот окисел может продолжить кристаллическое строение металла. Для такой пленки менее вероятен процесс ее разрыва по сравнению с пленкой, состоящей из других соединений (будь то а-РезОд или гидроокись), которые образуют прерывистую структуру. Предположение, что пленки окисла кубической модификации продолжают строение нижележащего металла, подтверждается изучением пленок, полученных на прокатанном железе, которое было погружено в хромовокислый калий эти пленки после отделения обнаруживают преимущественную ориентацию , вероятно, унаследованную от нижележащего слоя металла (стр. 49). Кроме того, картина, получаемая с пленок, удаленных с поверхности металла, является более четкой по сравнению с той, которая получается с помощью метода отражений из тех же самых пленок, когда они все еще находятся на металле. Это подтверждает ту мысль, что на границе контакта с металлом строение пленки должно мало отличаться от строения металла [6]. [c.131]

Иногда индикатор осаждается с носителем даже в том случае, если отсутствуют условия для изоморфного замещения и адсорбции, т. е, макроколичества соединений индикатора и носителя не образуют изоморфных смешанных кристаллов и поверхность осадка мала. Хан [НЗ, И156] объясняет подобное перенесение образованием аномальных смешанных кристаллов или внутренней адсорбцией и пытается провести различие между этими двумя процессами. Соосаждение путем процесса внутренней адсорбции, повидимому, обусловливается адсорбцией индикаторных ионов на поверхностях растущих кристаллов, где индикаторные ионы захватываются вновь образовавшимися кристаллическими слоями. Этот процесс рассматривается в следующем разделе. Соосаждение путем образования аномальных смешанных кристаллов, повидимому, обусловливается внедрением индикатора в кристаллическую решетку осадка, причем аномальные и истинные смешанные кристаллы, составленные из индикатора и носителя, должны быть очень сходными. Радиограммы обоих типов кристаллов указывают на непрерывное распределение индикатора (см. рис. 26). Перенос при внедрении атомов индикатора в осадок с образованием аномальных или истинных смешанных кристаллов мало, зависит от внешних условий (например, от избытка того или другого иона решетки, присутствия или отсутствия многозарядных посторонних ионов), которые влияют на процесс переноса, обусловливаемый адсорбцией. Значения коэффициентов распределения, получаемые при образовании аномальных или истинных смешанных кристаллов, воспроизводимы этого не наблюдается в тех случаях, когда имеет место адсорбция. Ниже приведены примеры процессов переноса при образовании аномальных смешанных кристаллов. [c.101]

Некоторые дополнительные сведения об электронных зонах графита можно получить из данных по изучению соответствующих свойств кристаллических соединений, Одна из причин, затрудняющих развитие таких исследований, заключается в том, что сильное расширение пространства между слоями в процессе образования кристаллических соединений вызывает, как правило, дробление поликристаллического графита, так что имеющиеся экспериментальные данные получены главным образом на поликристаллических порошках. К настоящему времени эта трудность преодолена [1065], и сейчас имеются данные по анизотропии электрических и магнитных свойств кристаллических соединений графита. При рассмотрении соединений с более высокой по сравнению с графитом электропроводностью (например, в случае соединений графита с щелочными металлами и бромом) следует использовать наиболее реальную модель графита, по которой графит имеет бесконечную кристаллическую решетку с электронными энергетическими зонами, соответствующими его квазиметалличе-ской природе. Вследствие упрощенного представления электронных зон для бесконечных гексагональных сеток (т. е. в случае двумерного приближения для идеального графита) функция распределения электронов N (е) по энергиям е приобретает вид, показанный на фиг. 35. При этом одну зону можно считать почти совершенно пустой, а другую — почти целиком заполненной. [c.177]

Разделение при помоши ксмплекскых соединений и соединений включения. Процессы разделения соединениями включения проводятся в гетерогенной системе газ —твердая фаза или жидкость— твердая фаза с непременным образованием в каждом случае твердого кристаллического соединения, в которое включен компонент, выделяемый впоследствии. Эго свойство, общее для всех процессов с использованием соединений включения, определяет технологию, которая аналогична технологи адсорбции. Продукт реакции (твердый) может находиться в неподвижном слое или в виде суспсизми в динамической системе, а выделение включенного ко.мпонента проводится в непрерывной или полу-периодтческой системах. [c.75]

Полученное в результате фотолитографии рельефное изображение щаблона в слое резиста (негативное или позитивное), нанесенного на слой диоксида нли нитрида кремния, находящийся на кремнии, служит защитной маской при вытравливании этих диэлектриков до кремния в эти окна при последующих операциях идет диффузия примесей в кремний. При этом получают требуемые характеристики отдельных транзисторов и схемы в целом. Больщая интегральная схема содержит десятки тысяч транзисторных элементов, соединенных проводниками алюминием или поли-кристаллическим кремнием с высоким содержанием примесей. Для образования сложной интегральной схемы литографический процесс надо проводить несколько раз, при этом каждый элемент схемы должен быть воспроизведен с требуемой точностью [4]. [c.11]

Изготовление слоев оксидов редкоземельных элементов, тория, урана, протактиния, нептуния и транснептуниевых элементов электроосаждением из неводных сред имеет неоспоримые преимуш,ест-ва по сравнению с водными растворами. Образуюш,иеся на катоде при электролизе в водной среде гидроксиды лантаноидов и актиноидов аморфны. При дальнейшей термической обработке они образуют оксидные слои с большим количеством структурных дефектов. При электролизе из органических растворов на катоде образуются кристаллические структуры, которые при прокаливании легко переходят, теряя органическую составляюш,ую, в кристаллические структуры оксидов РЗЭ и актиноидов. Кроме того, метод электроосаждення из неводных растворов характеризует большая скорость проведения процесса, полнота выделения металла, прочность сцепления о подложкой слоев толщиной 1—5 мг/см , равномерность распределения покрытия на больших площадях. Наилуч-шие результаты получены из спиртовых растворов нитратов и ацетатов РЗЭ и актиноидов. Растворимость солей данных металлов в органических растворителях низка, поэтому в основном применяют насыщенные растворы. Из-за низкой проводимости растворов и окисной пленки на электроде используются высокие напряжения (порядка сотен вольт), плотности тока низкие. Большое значение при подборе оптимальных условий осаждения имеют площадь электродов, расстояние между ними, объем электролита, предварительная обработка электродов. Катодный процесс сопровождается газовыделением, вызывающим образование неравномерной пленки. Для уменьшения газовыделения добавляют специальные добавки, в частности этиловый спирт [221]. Катодный продукт наряду с металлом и кислородом содержит обычно азот, водород и углерод. Результаты количественного анализа показывают загрязнение катодного осадка растворителем или продуктами его разложения, но не образование соединений определенной стехиометрии [1077]. При термической обработке катодного осадка происходит уменьшение объема и перестройка кристаллической решетки, в результате чего слои растрескиваются и осыпаются, и лишь в случае тонких слоев оказывается достаточно поверхностных молекулярных сил сцепления для сохранения прочной связи с подложкой. Для получения покрытий толщиной порядка 1—5 мг/см необходимо многослойное нанесение продукта [1060]. [c.156]

Можно с полной определенностью считать, что при соосаждении не образуется рентгеноаморфный феррит MgFeз04 с неупорядоченной шпинельной структурой, так как на процесс упорядочения подобного феррита избыток одного из компонентов не должен оказывать такого существенно тормозящего действия, как это имеет место в нашем случае. Кроме того, кипячение водных суспензий этого неупорядоченного феррита должно приводить к образованию шпинельной структуры, а не гидроокиси 3-РеООН. Поскольку Mg(0H)2 и Ре(0Н)з неизоморфны, то онп не могут образовать обычный твердый раствор замещения. Более вероятно, что система Mg(0H)2—Ре(ОН)з состоит из чередующихся слоев различных гидроокисей, т. е. представляет собой молекулярное соединение включения с непостоянным составом. Заметим, что образование слоистых структур обнаружено Файткнехтом при изучении структуры кристаллических двойных гидроокисей. В подобном соединении гидроокись магния находится в хорошем контакте с гидроокисью железа, что облегчает формирование кристаллической решетки феррита, делая необязательным [c.270]

Хотя окись никеля полностью восстанавливается водородом при 500—600 К, катализаторы, полученные пропиткой или осаждением никелевых соединений с последующим прокаливанием, которое приводит к образованию окиси никеля, требуют восстановления водородом при температуре выше 770 К. Скейт и ван Рейен [95] заключили, что после пропитки двуокиси кремния раствором нитрата никеля и прокаливания образуются частицы окиси никеля, покрытые слое.м силиката никеля, который препятствует процессу восстановления. Возможно также, что в результате прокаливания из-за засадки силикагеля некоторые частицы окиси никеля оказываются захлопнутыми внутри пор. Тем не менее некоторое восстановление до металлического никеля происходит, о чем свидетельствуют результаты измерения магнитных свойств и рентгенографические данные (последние трудно интерпретировать из-за уширения линий на мелких частицах и наложения линий от других фаз). Катализаторы, полученные осаждением никеля и особенно соосаждением, сложнее восстановить, чем пропитанные образцы. В работах [60, 96] приводится типичный состав образцов даже после продолжительного восстановления водородом при 770 К в виде металлических частиц находится не более половины никеля, а остальная часть никеля входит в состав окиси и силиката. Однако состав образцов сильно колеблется [96] 25—81 мол.% кристаллического металлического никеля, 3—29 мол, % никеля в виде окиси и 8—66 мол.% никеля в виде силиката. Как следует из приведенных данных, силикат никеля весьма устойчив к восстановлению и в металлический никель при самых благоприятных обстоятельствах превращается только небольшая часть силиката, расположенного на поверхности. Существенным оказывается и присутствие остатка сульфата [96], так как при восста- [c.216]

Далее было показано, что независимо от соотношения в смеси твердых компонентов реакции при более высокой температуре это превращение сначала ведет к образованию соединений, которые отличаются высокой способностью к образованию зародышей и быстрым ростом кристаллов, как, например, a2Si04 или шпинель дальнейшие соединения возникают в результате вторичных процессов, например при реакции a2Si04 с Si02 или СаО [187]. Скорость реакции в таких случаях определяется не скоростью диффузии ионов через слой продукта реакции, как в случае солей с легкоподвижным ионом, а прежде всего в значительной степени зависит от способа приготовления компонентов реакции. Здесь, так же как и при образовании смешанных кристаллов, реакционная способность при температурах, близких к точке превращения, отчетливо повышается раньше всего вступают в реакцию вещества с сильно дефектной или нарушенной кристаллической решеткой. Температура реакции , т. е. температура, при которой происходящий процесс можно обнаружить методом термического анализа, часто бывает характерной лишь для одного из участников реакции. Это правило нарушается, если второй участник реакции претерпевает превращение при еще более низкой температуре тогда температура реакции практически совпадает с его температурой превращения. [c.168]

При попытке объяснить образование аддуктов мочевины, например, со стеариновой кислотой в водном растворе следует принять во внимание механизм, согласно которому как минимум 28,4 молекулы мочёвины и 2 молекулы стеариновой кислоты соединяются и образуют первый центр кристаллизации — линейно ориентированный роевой кристаллит , в дальнейшем он вырастает в видимую кристаллическую частицу. Энергетические соотношения для кри- -сталлической мочевины, обсуждавшиеся ранее, свидетельствуют о малой вероятности процесса, в котором метастабильный канал аддукта был бы образован заранее с последующим вхождением в него молекулы к-парафипа. Вместо этого мы вынуждены предположить, что молекулы мочевины комплексуются спирально вокруг цепи углеводорода. Теория Ленгмюра — Варда предполагает наличие небольшого сродства между молекулами воды и к-парафина и очень сильное взаимодействие между молекулами воды, подобное взаимодействию молекул жидкой воды в ее поверхностном Слое. На основе измерений поверхностного натяжения и этой модели исследователи пришли к выводу, что длинные парафиновые цепи остаются тесно свернутыми в воде и в водных растворах этого типа. Те же аргументы справедливы и для растворов мочевины в воде. А так как почти невозможно допустить, чтобы одновременно происходило соединение парафиновой цепи со столь многими молекулами мочевины, то следует искать другого объяснения, а йменно допустить наличие частично аддуктированных нестехиометрических частиц в растворе. [c.499]

Описанные процессы перевода одного осадка в другой часто сопровождаются диффузионными помехами. Образование нового нерастворимого соединения начинается с поверхности частицы. Поверхность покрывается новым соединением и дальнейший процесс контролируется диффузией. Реагирующий раствор должен продиф-фундировать через слой нового соединения, и проникнув в глубь частицы, прореагировать с первоначальным осадком. Скорости диффузионных процессов очень малы, и для ускорения их необходимо непрерывно разрушать поверхностную пленку образовавшегося соединения. Кроме того, следует учитывать и фактор соответствия кристаллических решеток растворяющегося и образующегося осадка. Например, при обработке Ag l раствором KI будет образовываться Agi. Но Ag l кристаллизуется в кубической сингонии, а Agi — в гексагональной. Перестройка кристаллической решетки сопро- [c.51]

Относительное смещение слоев может происходить при образовании соединения, когда расстояние между слоями в направлении оси с несколько увеличивается, а затем сокращается в процессе восстановления. Внедрение и удаление дополнительных атомов может привести к движению дислокаций между соседними слоями. Скольжение сеток наблюдается также, когда графит, состоящий из совокупности ромбоэдрических и гексагональных областей, вступает сначала в соединение с кристаллическим хлористым железо.м (см. разд. V. 5), а затем РеС1з удаляется при нагреве в потоке хлора при температуре 100—600°С. Подобная обработка позволяет получить графит с чисто гексагональной структурой [928], содержащий всего около 1,4% остаточного хлора. [c.12]

При насыщении поверхностного слоя активных частиц трехвалентным никелем в процессе заряда начинается окисление его до N 02. Молекулы N 02 являются только вкрапленными в кристаллическую решетку NiOOH, не образуя своей структуры. Это дает основание некоторым исследователям [Л. 11] предполагать возможность появления хемосорбционных соединений типа (p-N OOH)2 (О)адс- Исходя из этого, более правильно было бы говорить не об образовании N 02, [c.149]

Одним из побочных результатов участия химиков в изыскании новых полупроводников и в работах по их практическому применению является проникновение в химию твердого тела и в химию больших молекул новых идей и новых методов исследования. В общем виде это влияние на развитие кинетики было рассмотрено нами в статье, опубликованной в конце прошлого года [1]. Эти новые идеи имеют прямое отношение и к тематике совеп(ания, так как они дают новый подход к кинетике образования и уничтожения поверхностных слоев, к хемосорбции, к синтезу полупроводниковых соединений и к ряду других вопросов, специфических для химии полупроводников, в настоящем докладе в этом плане я останавливаюсь на роли дефектов кристаллической структуры и микропримесей в химических реакциях полупроводников. В соответствии с программой совещания значительное внимание будет уделено процессам, происходящим или начинающимся на поверхности. [c.5]

В предлагаемой схеме принимается, что установление стехиометрических отношений между компонентами происходит уже нри образовании одномолекулярного слоя окиси. Возникающее при этом тангенциальное давление снижает вероятность дальнейшего взаимодействия металла с кислородом, но качественных особенностей в процесс не вносит. Во вторичной стадии окисления на поверхность пленки выходят ионы металла, подчиняющиеся правилу разностей между энергиями образования соединения компонентов и теплотой испарения металла. Это обеспечивает активацию процесса химической сорбции молекул кислорода на различных участках поверхности окись — 133. Освобождаемые уходящими на поверхность пленки атомами места в кристаллической решетке металла замещаются атомами кислорода, и, благодаря этому, создается система пустых кислородных узлов в окисле. При образовании и перемещении пустых кислородных и металлических узлов и одновременном перемещении атомов компонентов, большую роль должны играть другие дефекты нарождающейся кристал- лической решетки, которые возникают оттого, что явления адсорбции молекул кислорода и передвижение компонентов (кислорода — внутрь твердой фазы, металла — наружу) происходят независимо на различных участках пленки. Величина этих независимых участков значительно меньше, чем размеры исход- [c.194]

Смотреть страницы где упоминается термин Слои процессе образования кристаллических соединени: [c.37] [c.37] [c.249] [c.156] [c.153] [c.117] [c.271] [c.79] [c.146] [c.263] [c.146] [c.100] [c.53] [c.686] [c.589] [c.84] [c.449] [c.144]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология