Система механизм внедрения теллура

Для простоты пренебрежем изменением азь и ащ, предположив, что обе эти величины постоянны. При описании системы необходимо по крайней мере рассмотреть поведение таких дефектов, как электроны, дырки, Tesb (нейтральный и однократно ионизированный) и вакансии индия. В настоящем разделе уже указывалось, что когда механизм внедрения определяется через баланс зарядов, он сильно зависит от количества энергетических уровней, создаваемых рассматриваемыми дефектами. Осуществление высококонцентрационного механизма внедрения с образованием одной вакансии на 3 атома теллура возможно только в том случае, если Vin действует как тройной акцептор, создавая три пустых уровня в запрещенной зоне. Позже будет показано, что это условие может быть несколько смягчено. [c.448]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология