Травление подложки и снятие резиста

ТРАВЛЕНИЕ ПОДЛОЖКИ И СНЯТИЕ РЕЗИСТА [c.57]

Обычное мокрое травление имеет изотропный характер и в случае субмикронных структур не позволяет сохранить размеры изображения в допустимых пределах. Сухое плазменное травление дает возможность проводить травление подложки анизотропно и с высокой точностью. Обработка плазмой используется для проявления скрытого изображения (сухие резисты, см. раздел VI. 3) и часто для полного снятия слоя резиста после травления подложки. [c.59]

После травления необходимо удалить слой резиста. Этот заключительный этап литографического процесса можно проводить в растворах, растворителях или в окислительной плазме. При этом важно не затронуть нижележащий слой подложки. Легкость удаления резиста сильно зависит от условий доотверждения, которые поэтому не должны быть жесткими. Растворители для снятия резиста следует подбирать с учетом характера поверхности, например, алюминиевые подложки легко подвергаются коррозии. [c.62]

Многослойная конструкция совершенно аналогичного состава слоев 2 и 3 может содержать в слое 4 фотополимеризующуюся композицию и адгезив [заявка Великобритании 2020839], при этом резистивность рельефа на подложке 5 заметно повышается, выдерживая травление поэтому медную пластину с негативом после травления и снятия резиста предлагается использовать в качестве печатной формы для шелкографии. [c.203]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология