Механизмы роста и захват примесей

Массовая доля неорганических примесей в исходном веществе <0,005% и неоднородна по элементам. Вопрос о механизме роста кристаллов ADP и ему изоморфных в присутствии примесей неоднократно рассматривался с точки зрения изменения морфологии кристаллов [2, 3, 4]. Экспериментально установлено, что наиболее существенное влияние на габитус кристаллов оказывают трехвалентные ионы переходной группы железа. Основным вопросом, связанным с ростом кристаллов и их очисткой от примесей, является вопрос о структуре примесной частицы в растворе при разных его параметрах (пересыщение, концентрация, значение pH, температура и т. д.), о механизме ее действия на рост кристалла, о строении частицы и месте размещения в структуре кристалла при ее захвате в процессе роста. В работе [2] предполагалось действие комплексов РеНР04+ на рост ADP в кислых растворах и замещение ими ионов NH4+. В случае ионов Сг + аналогичный комплекс существует в кислых растворах и вызывает выклинивание кристаллов, а при pH выше 4,5 образуются новые комплексы на основе НР04 -, не дающие этого эффекта. Авторы работы [5] считают возможной примесной частицей при введении СгС1з в раствор ADP комплекс [Сг(Н20)4(0Н)2]+, который вместе с С1 образует новые РВС-векторы в сетках 701 , 702 и 502 кристаллов ADP. Параллельно этим сеткам размещается примесь, захваченная кристаллом при ее неполной десорбции. На основе изучения мессбауэровских спектров делается вывод о вхождении в кристалл ADP изолированных ионов Fe в пустоты структуры [6]. [c.59]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология