Работа 23. Получение стекла и испытание его свойств

Этот метод был применен для защиты бескорпусных транзисторов с гибкими и твердыми выводами [156]. Разводка в них сделана из никеля с подслоем ванадия, что позволяет использовать для защиты стёкла с температурой размягчения до 900° С. Защитное покрытие наносили в два этапа. На первом этапе создавали буферный слой Si02 толщиной 0,3 мкм термическим разложение. тетраэтоксисилапа в атмосфере кислорода при температуре 400° С в течение 2 час. Пиролитическая пленка Si()2 предохраняет разводку от взаимодействия со стеклом и служит в качестве демпферного слоя, уменьшая внутренние напряжения в пленке стекла из-за несоответствия коэффициентов термического расширения кремния и стекла. На втором этапе наносили стекло пульверизацией раствора шихтового состава из форсунки с последующим оплавлением на воздухе при температуре 500° С в течение 10 мин. Температуру в камере для напыления поддерживали при 80 + 5° С, время нанесения составляло 1—2 мин. Для предотвращения растрескивания стекла при оплавлении скорость подъема температуры до заданного уровня и последующего снижения ее не должна превышать 25 град/мин. Для получения плотной и равномерной по толщине пленки стекла цикл нанесения и оплавления повторяли два раза. В этих условиях получали пленку стекла толщиной 1,5 мкм. В работе [15(5] приведены составы используемых растворов, составы и физико-химические свойства полученных пленок стекла. Результаты, полученные при климатических испытаниях бескориуспых транзисторов, защищенных этим способом, позволили установить в технических условиях норму по влагостойкости — 10 суток при относительной влажности 1)5 + 3% и температуре 40 гЬ 5° С. [c.454]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология