Внедрение окисн углерода

Имеющиеся работы касаются в основном примесей внедрения. Изучая окисные пленки на тантале с различным содержанием углерода, Вермилиа [3] установил, что скорость роста напряжения на образцах с загрязнениями может быть в 1.5 раза больше, чем на чистом тантале, а емкость занижена. По мнению автора, это является следствием образования на месте загрязнений или включений карбидной и окисной фаз газовых пузырьков кислорода. Газовый пузырек захватывается растущей пленкой, отделяя металл от окисла, и мешает его нормальному росту, приводя, как показал Вермилиа с помощью электронной микроскопии, к образованию в окисной пленке дефектов типа тонких мест. [c.38]

Справочник химика 21