Калий гексафторфосфат, получение

Для получения фоторезистных масок для радиоэлектроники, микрорельефов, печатных форм на подложку для последующего фотолиза наносится композиция из фотоинициатора, мономера (олигомера), растворителя и других добавок. При этом вместо готового гексафторарсената, -стибата, -фосфата ониевого иона можно вводить синтетически доступную соль с более простым анионом и гексафторфосфат, -стибат, -арсенат натрия, аммония, калия и т. д. [пат. США 4154872]. Составы конкретных композиций приведены в пат. США 4264703, 4175973, 4069055, 4081276. Интересна разработка, в которой на слое соли сульфония конденсируют пары мономера и полимеризация протекает на фотолизованных участках слоя. Описаны пленочные резистные композиции [пат. США 4193799], в частности, на основе ПВС и сшивающего компонента типа триметилолмеламина, диметилолмочевины и т. д. [пат. США 4341859]. [c.133]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология