Германий элементарный аморфный

Выделяющийся при повышении содержания в стекле германия элементарный мышьяк находится, по-видимому, в тонкодисперсном аморфном состоянии. При его выделении не нарушается сквозная проводимость, не происходит также существенного снижения энергии активации электропроводности [c.124]

Из различных при.меров эпитаксии, представленных в табл. 31, необходимо обратить внимание на случаи ориентированного роста олова и германия на плоскостях скола (110) ZnS, исследованные Зегмюллером [136]. Олово на плоскости скола цинковой обманки уже при температурах (—14)-f-(+ 80)° С кристаллизуется в виде Монокристаллических слоев с двумя параллельными подложке ориентациями (320) и (301). При таких ориентациях элементарная ячейка Sn как бы повернута относительно поверхности на угол 33°С, при этом наблюдается некоторое, хотя и отдаленное, структурное подобие сопрягающихся плоскостей. При температуре подложки >80° С кристаллизация осуществляется через жидкую фазу и приводит к росту неориентированного осадка. Слои германия при кристаллизации на ZnS имеют монокристаллическую структуру уже при температуре 250° С. При этой температуре на других подложках германий обладает аморфной структурой. Последнее утверждение, однако, оспаривается Семилетовым [133], который наблюдал кристаллизацию в тонких слоя Ge на ZnS лишь при 370° С. [c.131]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология