Германий как подложка

Эпитаксиальным осаждением халькогенидов в вакууме на нагретой подложке, роль которой играли монокристаллы поваренной соли, германия, кремния и некоторых других веществ, мы получали двух-, трех- и четырехслойные пленки с заданным чередованием слоев разного состава и толщины. [c.45]

С тем же успехом на кремниевых, германиевых и других подложках можно наращивать как оксидные простые слои, так и многозонные слои или более сложные структуры, состоящие из атомов кремния, германия, а также других элементов, например, таких, как титан или никель. [c.215]

При малой единичной скорости взаимодействия между окислом и молекулами растворителя травитель также является селективным, но не обязательно выявляющим структуру кристалла. Последнее объясняется тем, что энергия активации для реакции растворения окисла может не зависеть от энергии активации образования этого окисла. В рассматриваемом случае выявляется структура поверхностных окислов, а не кристаллической подложки. Поскольку поверхностные окислы германия и кремния [c.111]

В шаровидную часть ампулы загружают кусочки германия п-типа (0,5—0,7 г) и навеску иода не более 0,6 г (при этом давление пара иода в ходе опыта не будет превышать 1,5 атм ). Затем помещают предварительно взвешенную с точностью до 10" г подложку и продвигают ее к перетяжке у шаровидной части. Это необходимо для [c.146]

В последнее время применяются так называемые эпитаксиальные пленки. Их получают наращиванием полупроводника на основной кристалл. Пленки должны точно повторять кристаллическую структуру подложки, но могут отличаться типом проводимости, вследствие чего можно создать р—л-переходы с заданной концентрацией носителей зарядов, получить низкоомные слои на высокоомных полупроводниках и наоборот. Широко используются в промышленности методы наращивания эпитаксиальных пленок кремния и германия в случае восстановления тетрахлоридов очень чистым водородом при повышенной температуре [c.249]

Другой путь получения монокристаллов — кристаллизация из газовой фазы в результате транспортных реакций. Наиболее широко они используются для выращивания эпитаксиальных пленок полупроводниковых соединений на монокристаллических подложках из германия, кремния и других полупроводников. Сущность транспортных реакций заключается в том, что твердое вещество, в данном случае полупроводниковое соединение, взаимодействуя по обратимой реакции [c.272]

Рис. 10. Кристаллы кремния, выросшие из Аи — 51 расплава, закристаллизованного на кремниевой подложке (а), и кристаллы германия, выросшие из Аи—Ое расплава, закристаллизованного на германиевой подложке (б).

В работах Быховского [115] исследовано влияние термоосмоса на растекание ряда жидкостей по металлам при наличии градиента температуры. При растекании капли по твердой подложке от ее холодного конца к нагретому граница капли, пройдя некоторое расстояние, останавливается. Это связано с уравновешиванием двух противоположно направленных потоков — термокапиллярного и термоосмотического. Расчеты, проведенные с учетом также гидростатического давления в капле и разности поверхностных энергий подложки под каплей и перед ее фронтом, позволили получить оценки произведения изменений удельной энтальпии АН на толщину граничного слоя к, и коэффициента термоосмоса %. Для октанола-2 на поверхности германия термоосмотическое течение было направлено в горячую сторону АНк — —37,2 эрг-см/г. Коэффициент % оказался равным примерно 2-10 см /с. Близкие количественны результаты получены также для капель октанола, ундекана, додекана и дибутилфталата на пластинке титана. Таким образом, явление термоосмоса играет существенную роль также и при неизотермическом растекании жидкостей, в том числе и неполярных, по поверхности полупроводников и металлов. [c.338]

Для определения Sb >1-10" з 0,15) в пленках германия, нанесенных на стеклянную подложку, поступают следующим образом. [c.128]

Оптические висмутовые материалы имеют различное назначение. Оптические тонкие пленки обычно формируют на массивной подложке из стекла, кварца или другой оптической среды с помощью термического испарения вещества и его осаждения на поверхности подложки, химического осаждения, катодного распыления или химических реакций материала подложки с выбранным веществом. Для нафева таких слоев используют оксиды (алюминия, кремния, титана), фториды (магния, кальция, лития), сульфиды (цинка, кадмия) и др. соединений, а также полупроводники (кремний, германий). [c.255]

Некоторые искажения могут возникать в отношении размеров оттеняемых частиц. Толщина слоя металла в плоскости подложки настолько невелика, что ею смело можно пренебречь, но в направлении, перпендикулярном направлению оттенения, может отмечаться существенное увеличение размеров частиц. В качестве примера на фото 11 приведена микрофотография сферических частиц полистирола, оттененных германием 61]. Толшина слоя металла здесь значительно больше, чем это принято, но частицы настолько велики, что отношение толщины слоя к диаметру частиц соответствует обычно встречающимся на практике случаям, когда оттеняют частицы диаметром в несколько сотен ангстрем. [c.85]

Другой возможный источник ошибок заключается в действии электронного пучка на объект. Изменение структуры пленки после электронной бомбардировки отмечено, например, для хлористого натрия [19]. Пленки германия, напыленные на коллодиевую подложку при комнатной температуре, являются аморфными [20, 21]. При нагревании их электронным пучком до 250—500° образуются кристаллы размером 100—200 A, которые в слоях толщиной 300—400 A и более при резком нагревании вследствие собирательной рекристаллизации превращаются в крупные кристаллы слоистого строения [21 ]. Дифракционные исследования показали, что слоистые кристаллы представляют собой двойниковые образования. [c.214]

Ход анализа. Измельченный в агатовой ступке (через полиэтиленовую пленку) германий или пленку германия, напыленную на подложку, помещают для растворения в кварцевый стаканчик и приливают [c.122]

Данный метод предполагает определение бора в германии и пленках германия, напыленных иа подложку из кварцевого стекла, кремния или иных материалов, холостая проба с которыми показывает загрязнение бором в меньших или соизмеримых с определяемым количеством бора. Недопустимо загрязнение проб большим содержанием железа, так как его спектральные линии в этом случае могут мешать аналитическим линиям бора. [c.123]

Ход анализа. Пробу германия или подложку с нанесенной на нее пленкой германия помещают на дно кварцевого стаканчика, прибавляют [c.123]

Для изготовления полупроводниковых приборов используют элементарные полупроводники (кремний, германий, теллур, бор И др.), соединения типа А "В А"В 1, карбиды, нитриды и др. Основной полупроводниковый материал — кремний, на базе которого изготовляют подложки, эпитаксиальные структуры, разнообразные диоды и триоды, элементы солнечных батарей, силовые выпрямители и т. д. В США доля кремниевых приборов в 1954 г. составляла 29% от общего количества выпускаемых полупроводниковых приборов, в 1964 г.—46%, в 1980 г.— 95%. [c.128]

Параметр ячейки германия равен 5,62 А, а кремния —5,42 А. Структура аморфного германия и кремния детально исследована Я. И. Стецивом и И. Д. Набитовичем методом дифракции электронов. Тонкие слои (200—300 А) получались термическим напылением на слюдяные подложки и отделялись от них дистиллированной водой. Электронограммы снимали при напряжении 80—100 кВ с применением вращающегося сектора, ширина выреза которого изменялась как УР (8). [c.303]

Существенным преимуществом данного процесса является сравнительно низкая температура подложки. При этой температуре скорость диффузии примесей ничтожно мала, что позволяет получать резкие р —п-переходы на границе подложка—пленка. Кроме того, к потоку чистого кремния или германия можно добавлять в процессе рооа легирующие примеси обоих типов, обеспечивая любую необходимую [c.141]

Материалы механически полированные с обеих сторон монокристаллические подложки германия р-типа диаметром 10—20 мм и толщиной 200—400 мкм германий /г-типа (источник) иод кристаллический (ХЧ) травитель Уайта (НМ0з НР Н20 = 10 1 6) этиловый спирт сухой лед для замораживания ампу-.1ы при откачке. [c.145]

Выращивание эпитаксиального слоя. Схема установки и распределение температур представлены на рис. 88. В вакуумированной кварцевой ампуле / помещены в низкотемпературной зоне монокрис-таллическая германиевая подложка 4, в высокотемпературной — германий, служащий источником, и навеска иода 6. Печь 5 представляет собой кварцевую трубу (внутренний диаметр 30 мм) длиной 50 см, на которой размещены две обмотки, выполненные из нихрома диаметром [c.145]

После загрузки компонентов на расстоянии 25 см от начала ампулы делают перетяжку и оливку (см. пунктир на рис. 89). Перед ваку-умированием ампулу замораживают в сосуде Дьюара с сухим льдом во избежание испарения иода при откачке. Возможна также загрузка иода в запаянном стеклянном капилляре (см. работу 8). Не вынимая ампулу из сосуда Дьюара, производят вакуумирование до остаточного давления Ю"" мм рт. ст., после чего ампулу отпаивают. Покачиванием ампулы осторожно перемещают подложку в свободный конец. Подготовленную ампулу помещают в печь таким образом, чтобы подложка находилась в низкотемпературной зоне, а исходный германий и иод — в высокотемпературной. [c.147]

Сначала выводят на рабочий режим (400°С) зону, в которой находится подложка. Затем в течение 30 мин поднимают температуру зоны источника до 550°С. С этого момента ведут отсчет времени эпитаксиального наращивания. При 5о0°С германий реагирует с паром иода, образуя тетраиодид Gel4. Последний, взаимодействуя со свободным германием в этой же температурной зоне, образует субиодид Gela. Сущность процесса отражается уравнениями [c.147]

Выделяющийся германий эпитаксиально осаждается на обеих сторонах подложки, а тетраиодид переносится в горячую зону, где поглощается источником германия с образованием новой порции суб-иодида [c.147]

Атомы кремния и германия выделяются из тетрахлоридов под действием водорода в потоке газов (газотранспортные реакции) и обычно осаждаются эпитаксиально на горячих подложках. Легирующие примеси вводят, добавляя летучие вещества в тетрахлорид или в систему газообразных веществ в виде отдельного потока, регулируемого игольчатыми вентилями. Этим методом выращивают многослойные монокрис-таллические пленки с контролируемым содержанием и распределением [c.249]

Атомы кремния и германия выделяются из тетрахлоридов под действием водорода в потоке газов (газотранспортные реакции) и обычно осаждаются эпитаксиально на горячих подложках. Легирующие примеси вводят, добавляя летучие вещества в тетрахлорид или в систему газообразных веществ в виде отдельного потока, регулируемого игольчатыми вентилями. Этим методом выращивают многослойные монокристаллические пленки с контролируемым содержанием п распределением примесей в слоях. Метод требует очень высокой чистоты и точности обработки поверхности полупроводника, являющегося подложкой. [c.310]

Микро- и макроструктурные исследования сплавов Аи — 51 и Аи — Ое показывают, что в отличие от золота из расплава кремний и германий кристаллизуются четко ограненными кристаллами, легко обнажающимися при затвердевании сплавов. Так, при кристаллизации сплавов Аи — 51 на подложке из кремния или Аи — Ое на подложке из германия (медленное охлаждение) вырастают крупные (1—3 мм) кристаллы кремния или германия, причем расплав (уменьшаясь в объеме за счет кристаллизации и выпадения из него твердых фаз) обнажает сухую поверхность кристалла (рис. 10, см. вклейку), чего не наблюдается для золота. Это обстоятельство — огранение кристалла, легкое обнажение его поверхности — не может быть не обусловлено худшей смачиваемостью кремния расплавом по сравнению со смачиваемостью золота. [c.13]

Электроосаждение из неводных сред металлов четвертой группы представляет интерес прежде всего для германия и подгруппы титана, поскольку эти металлы электролитически из водных растворов не осаждаются [484, 404]. Наилучшие результаты получены в случае германия. Из спиртовых растворов (преимуш ественно в двухатомных спиртах) галогенидов германия выделены тонкие катодные пленки металлического германия [702, 641, 1225, 482, 381, 292, 650, 291, 293]. Наряду с осаждением германия на катоде происходит выделение водорода, на последний процесс расходуется основная часть тока. Выход по току германия низкий (порядка 1—3 %) Большое влияние на процесс злектроосаждения оказывает природа металлической подложки. При определенных концентрациях галогенида германия, повышенных плотностях тока и температурах возможно катодное образование диоксида германия [482, 196]. Пример оптимальных условий получения металлического германия растворитель — этиленгликоль, концентрация ОеСи — 3—5 %, температура — комнатная, интервал плотности тока 5—50 А/дм . При этих условиях на подложках из меди, серебра, платины и алюминия осаждаются ровные, хорошо сцепленные с подложкой, компактные германиевые покрытия светло-серого цвета. В качестве анода использовали графит или германий, выход по току германия составляет 2 % [291, 293]. Возможно катодное получение пленок германия и из других неводных сред, например из низкотемпературных расплавов ацетамида [147]. Из растворов в ацетамиде с добавками хлорида аммония при температуре 90—130 °С двухвалентный германий восстанавливается, образуя тонкослойные (1—2 мк) осадки, прочно сцепленные с подложкой. Выход по току еще ниже, чем в спиртовых растворах (приблизительно 0,1—0,5 %) Из-за выделяющегося водорода осадок германия при этом достаточно наводорожен. [c.157]

Поэтому для получения воспроизводимых результатов, особенно в опытах с высокой кислотностью (>6 N HG1), осаждали германий в виде сульфида сероводородной водой, растворяли осадок в концентрированном NH4OH и лишь после этого отбирали аликвотную долю раствора на подложку для измерения. Неудобство количественного осаждения германия в виде сульфида (с дополнительным добавлением носителя) состоит в длительности этой процедуры из-за тмедленного укрупнения осадка, который приходилось отстаивать 15—20 ч. [c.66]

Метод основан на отгонке германия в виде СеСЦ и концентрировании примесей на спектрально чистом угольном порошке. Спектральный анализ ведется с использованием дуги постоянного тока и синтетических эталонов на основе угольного порошка с добавками элементов-при-месей и 5% Na l. Определение (ведется в гер мании и пленках германия, напыленных на стекло, кварц, кремний или подложку из иного материала, холостая проба с которым показывает загрязнение примесями в меньших или соизмеримых количествах с определяемыми. [c.122]

Исследования в области полиуретановых покрытий также начались давно, и сейчас такие покрытия нашли широкое применение. Раньше всего работы в этой области были начаты в Германии и позднее — в США. В Германии Байером и его сотрудниками были разработаны покрытия на основе диизоцианатов и сложных полиэфиров (композиции Desmodm — Desmophen), которые, как было установлено, особенно прочны при нанесении на поверхность дерева, резины, кожи, тканей, бумаги и металлов. Изменяя состав и соотношение исходных веществ, получали покрытия с разнообразными свойствами — от чрезвычайно мягких до твердых и хрупких. Такие покрытия характеризуются хорошей адгезией к различным подложкам, превосходной водо- и маслостойкостью, стойкостью к рас-творителям и истиранию, отличными электроизоляционными свойствами и атмосферостойкостью, обладают хорошим блеском. [c.17]

Если пе проведены независимые контрольные измерения, выбирать электрод сравнения следует осторожно. Диллон и Фарнсворт [24], например, нашли, что ПП для кислорода на золотой пластинке, которую использовали в качестве отсчетной для измерений на германии, равен —0,40 В. Правда, этот результат, по-видимому, не отличается от результатов работы Гопкинса, Ми и Паркера [59], так как электрод представлял собой золотую пластинку весом 4,8 г на никелевой подложке и очистка его производилась только спеканием при 350° С. Следовательно, он мог быть загрязнен активными примесями. [c.128]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология