Сааба

Рис. 10.3-7. Изображение кратера, полученного при распылении и анализе методом МСВИ многослойного материала АЮаАб/СаАб. Фотография получена с помощью атомно-силового микроскопа. Чешуйчатая структура образовалась при бомбардировке ионами с энергией 12 кэВ [10-3.1]. Размер изображения 5 мкмх5 мкм, шкала глубин 300 нм от черного до белого.

Наиболее важной задачей для МСВИ является анализ полупроводников, особенно анализ распределения (по глубине) легирующих примесей. Поскольку распределение легирующих примесей (таких, как В, Р, Аб, 8Ь в кремнии и 81, Ве в СаАб) определяет электрические и другие свойства, информация об этом параметре важна для разработки и производства устройств микроэлектроники. [c.365]

Для управления используются цифровые вычислительные машины УМШН , Днепр , ВНИИЭМ , система Автодиспетчер , выпускаемые в СССР РВ-300 (США) система Панеллит 609 с машиной Эллиот-803 (Англия) Аргус (Англия) СААБ-Д-2 (Швеция) ХОК200 (Япония). [c.89]

Заметим, прежде всего, что формирующиеся в криволинейных угловых конфигурациях вторичные течения, как и в ряде других случаев, слабо интенсивны, по крайней мере при d/R < 1/300. В то же время ясно, что картина течения в таких конфигурациях будет существенным образом зависеть от выбора системы координат, в которой проводятся сами измерения. Поэтому, чтобы понять структуру и характер развития этих саабых вторичных потоков, необходим подробный анализ результатов измерений продольной U/U и поперечных V/U и [c.203]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология