Мет ионной бомбардировки

Метод ионной бомбардировки заключается в обработке поверхности ионным пучком инертного газа с энергией ионов в несколько сотен электрон-вольт. При такой обработке удаляются все поверхностные примеси и несколько верхних слоев решетки исходного вещества. Для отжига возникающих при бомбардировке дефектов и удаления атомов инертного газа производят последующий высокотемпературный нагрев образца. Это приводит в ряде случаев к таким же осложнениям, что и первый метод. [c.445]

Для травления металлов эффективны все способы. Для травления полупроводников ионная бомбардировка используется редко, так как необходимый эффект можно достигнуть другими более простыми способами, а также из-за возможности ухудшения свойств "и повреждения материала при нагревании до высоких температур. [c.101]

Необходимо отметить, что процессы очистки, определяющие в значительной степени качество покрытия, имеют особенно большое значение в процессах вакуумной металлизации.. Состояние поверхности металла в первые моменты осаждения покрытия определяет качество его адгезии, пористость, хрупкость и когезионную прочность. Применяемые химические и электрохимические процессы не обеспечивают достаточной степени очистки и имеют другие недостатки, в частности, требуют больших количеств технической воды, которая большей частью затем сбрасывается в сток. Поэтому весьма перспективны новые методы, например электронно-лучевая обработка и ионная бомбардировка. При ионной бомбардировке поверхность металла почти не разогревается, в то время как при электронно-лучевой обработке поверхность металла нагревается до высоких температур. При помощи ионной бомбардировки очистка поверхности происходит значительно быстрее, чем при традиционных методах химической или электрохимической обработки, кроме того, она может заменить процесс травления. [c.83]

Превращение нейтральных молекул газа в положительно заряженные ионы бомбардировкой электронами, обладающими энергией 50—100 эв. [c.261]

При зарядке частиц путем столкновения с ионами (бомбардировка) напряженность электрического поля, общая площадь поверхности частиц и их диэлектрические свойства играют главную роль, тогда как при зарядке частиц ионной диффузией наиболее важными факторами являются число ионов, их подвижность (которая является функцией температуры) и время, отпущенное на этот процесс. Теоретические расчеты заряда, приобретенного частицами, позволяют сделать следующие предположения [c.449]

Поверхность анодируемой пленки имеет отрицательный относительно плазмы потенциал, поэтому на нее могут попадать только положительные ионы, нейтральные атомы и молекулы и электроны. Положительные ионы примесей не могут встраиваться в оксидный слой, так как существующее в слое поле препятствует этому и задерживает их на поверхности раздела окисел — плазма. Здесь ионы захватывают свободные электроны и нейтрализуются. Нейтральные атомы, энергия связи которых не превышает 1—2 эВ, десорбируются с поверхности под действием ионной бомбардировки. Поток положительных ионов кислорода на окисляемую поверхность имеет [c.157]

Таким образом, для частиц, полностью заряженных за счет ионной бомбардировки, уравнение (9.24) дает w = рЕЕ(4/ 2пц, где — напряженность поля, действующего на частицу при миграции, а Е0 — напряженность поля, действовавшего на частицу при зарядке. [c.305]

Метод ионной бомбардировки [c.25]

Гексаборид лантана LaB -фиолетово-пурпурные кристаллы с кубич решеткой (а = 0,4156 нм) Обладает хорошими термоэмиссионными св-вами. Устойчив к ионной бомбардировке и в агрессивных газовых средах Применяют в кач-ве эмиттеров в электроннолучевых устройствах средней и высокой мощности. [c.305]

Авторадиографию часто рассматривают как вариант Р. на том основании, что при ее проведении также используют фотографич. метод регистрации ионизирующего излучения. Однако этот метод можно считать самостоят. методом исследования твердых тел. При проведении авторадиографии регистрируют ионизирующие излучения радиоактивных атомов, содержащихся в объеме или поверхностном слое тела. Картина распределения оптич. плотности (авторадиограмма) соответствует распределению радиоактивных атомов в исследуемом объеме. При проведении авторадиографии радиоактивное в-во обычно вводят в изучаемый образец при его приготовлении в нек-рых случаях атомы радионуклидов можно вводить ионной бомбардировкой или др. приемами. Применяют любые радионуклиды, испускающие как а- и -частицы, так и у-кванты, однако наилучшие результаты получают при использовании нуклидов, испускающих при распаде -частицы малой энергии ( Н, С, 35g J, др j Контакт образца с фотослоем осуществляют в условиях, когда не происходит их хим. взаимодействие. Оптич. плотность проявленного фотоматериала измеряют [c.167]

Завершающую очистку поверхности подложки перед осаждением пленок производят в вакуумной камере с помощью ионной бомбардировки. Процесс протекает в тлеющем разряде, если очищаемую подложку поместить в зоне ионов больших энергий. Ионная бомбардировка за несколько минут удаляет молекулярные слои воды, газа, окислов и других соединений. Разрядные электроды изготовляют из алюминия. Незначительное сопутствующее осаждение алюминия полезно. Островки из атомов алюминия служат центрами кристаллизации при последующем осаждении. [c.132]

Если через 8 обозначить количество атомов примесного газа, удаляемых с поверхности пленки, приходящихся на один падающий ион инертного газа, то для концентрации примесей в пленке при ионной бомбардировке в первом приближении можно написать выражение [77] [c.149]

Двухразрядный метод позволяет наносить пленки в двух режимах ионной бомбардировки [c.150]

Использование ионной бомбардировки подложки в дополнительном разряде позволяет получать чистые пленки тантала на технологических вакуумных установках, обеспечивающих при предварительной откачке давление фоновых газов 10 Па. [c.151]

Основным источником загрязнения анодируемой в плазме пленки является распыляемый под действием ионной бомбардировки катод. Степень загрязнения оксидной плёнки продуктами распыления катода существенно зависит от геометрии разрядного устройства. [c.158]

Методы масс-спектрометрии основаны на получении ионов определяемого элемента, их последующем разделении в магнитном поле (или другими средствами) по величине отношения т е (где т — масса иона, е — величина его заряда) и регистрации спектра полученных групп частиц. Они применяются в аналитической химии брома для количественного определения изотопов и для структурного анализа смесей гомологов по их молекулярной массе. Наиболее универсальные варианты — метод вакуумной искры и метод ионной бомбардировки, как и оптический спектральный анализ, позволяют одновременное определение большого числа элементов. Однако масс-спектры отличаются от оптических спектров отсутствием мертвых зон и в меньшей мере обременены помехами со стороны элементов-спутников, что обеспечивает более высокую чувствительность анализа, достаточную для решения ряда специальных задач химии материалов очень высокой степени чистоты. [c.158]

Проволочные катоды дают большую скорость осаждения, чем пластины. Увеличение скорости распада проволоки по сравнению с пластинами частично можно объяснить более высокой температурой катода, так как проволочные катоды вследствие того, что масса их меньше, сильнее нагреваются при ионной бомбардировке. На практике с этими катодами трудно работать, так как для получения повышенной скорости их температура должна приближаться к точке плавления. [c.74]

Для ионной бомбардировки применяется трансформатор высокого напряжения мощностью 1,5 кв с тщательно изолированными зажимами для предотвращения проникновения разряда внутрь диффузионного насоса, так как следствием этого может быть проникновение паров масла в камеру., [c.81]

Подвод тока в камеру осуществляется через основную плиту при помощи демонтируемых изолированных зажимов, которые внутри камеры соединяются с испарителями или электродами для ионной бомбардировки. [c.81]

Ионная имплантация — процесс получения тонких покрытий из сплавов посредством ионной бомбардировки поверхности металла в вакууме. Такие покрытия, например из Т1, В, Сг или V, получайт специально для придания изделиям стойкости к износу и высокотемпературному окислению [2]. [c.231]

Удалось вырастить трубки под разными угла.ми к поверхности и получить пленку из нанотруб. Проводимость вдоль трубок гораздо выше, чем поперек, так как на движущийся электрон не действуют большие силы связей волокон. 4икротвердость приближается к твердости алмаза. Электронный спектр поверхности пленки близок к спектру молекул С-60, то есть большинство трубок- закрыто половинка.ми фуллеренов. Если же- их разрушить ионной бомбардировкой, спектр повторяет спектр графита [8]. [c.16]

Особенно заметно влияние поверхностной обработки при применении высокомодульных волокон с модулем упругости более 400 ГПа [9-32]. В этом случае увеличивается активнм площадь поверхности волокна. Механизм и методы активации поверхности аналогичны используемым для саж. Применяются обработка на воздухе при 400-800 С, в озонированном воздухе при 120-150°С, в возбужденных плазмой кислороде или аммиаке, ионной бомбардировкой поверхности волокна кислородом, азотом, водородом, метаном [9-150]. [c.531]

Метод избирательного травления основан на локальном удалении с поверхности образца атомов или ионов. Б местах выхода дислокаций появляются небольшие ямки. Чаще всего используется химическое, термическое и электролитическое травление, а также избирательное окисление, катодное растворение, ионная бомбардировка. Вещества для травления подбирают эмпирически ввиду сложности физико-химических процессов, происходящих на поверхности кристаллов. Экспериментально установлено, что кристаллы BaTiOa хорошо обрабатываются в орто-фосфорной кислоте, Na l — в уксусной, а для различных соединений с кремнием лучшим травителем служат растворы на основе плавиковой кислоты. [c.157]

Катоды электронных пушек должны иметь температуру, более высокую, чем температура конденсации паров переплавляемых металлов, для того чтобы избежать их осаждения на катоде и потери катодом эмиссионных свойств. Катоды также следует защищать от ионной бомбардировки или выполнять достаточно массивными. На рис. 9-5,а показана схема конструкции печи с пушками автоэлектрон-ного нагрева, или так называемых установок с кольцевыми катодами. Переплавляемая заготовка /, электрически соединенная с положительным полюсом источника питания, помещена вертикально ее конец бомбардирует пучок электронов, эмиттированных катодом 2, представляющим собой кольцо из вольфрамовой проволоки, нагретое до 2 500—2 800° С, пропускаемым через него током накала. Экран электростатической фокусировки 3 — коробочка нз листового молибдена— электрически соединен с катодом 2 и отрицательным полюсом [c.241]

При физ.-хим. исследованиях условно выделяют область низких Т. (см. Криохимия) и область высоких Т. (обычно 500-3000 К), к-рую рассматривают как химию высоких Т., или просто высокотемпературную химию. Т. в интервале 500-3000 К получают методами радиационного и лазерного нагрева, электронной и ионной бомбардировки. Объекты высокотемпературной химии, как правило, - неорг. соединения. Характерными чертами высокотемпературных хим. процессов являются 1) сравнительно малая роль констант скорости, энергий активации и т. п. кинетич. факторов, поскольку скорость р-ций высока и в системе быстро устанавливается равновесие 2) увеличение роли газовой (паровой) фазы из-за интенсивных процессов испарения 3) необходимость учета влияния заряженных частиц-ионов и электронов, возникающих в результате термодиссоциации (см. Ионы в газах, Ионно-молекулярные реакции). Высокотемпературными процессами являются мн. металлургич. произ-ва, процессы напыления пленок, монокристаллов выращивания из газовой фазы и др. [c.520]

Для предотвращения образования слоя загрязнений использовалось два метода. В работе [241] было показано, что обр>а-зование запрязнений подавляется, если направлять непосредственно иа образец в область, бомбардируемую электронным пучком, струю газа под низким давлением. Если к образцу подводится воздух, К исл,ород окисляет горяч.ие продукты осаждения углерода и пучок электронов с высокой энергией создает условия для распыления подобно катодному распылеиию при ионной бомбардировке. Сопла подачи воздуха были установлены на различных РЭМ, и их установка может быть произведена в любой лаборатории без больших затрат [242]. Другой метод заключается в том, чтобы внутри РЭМ создать поверхность, температура которой была бы ниже температуры поверхности образца. Органические молекулы будут стремиться собираться [c.159]

Разряды низкого давления —это источники излучения, в которых испускание света происходит за счет электрического разряда между двумя электродами при давлениях менее 100 кПа. Анализируемая проба обычно служит катодом. Вещество испаряется в течение разряда путем атомной и ионной бомбардировки. Это явление называют катодным распылением. Вблизи катода образуется тлеющий разряд. Его размер и интенсивность зависит от силы тока. В качестве источников излучения использованы разряды нескольких типов, включая дуговые разряды, лампы Гейсслера и лампы с полым катодом. В конце 1960-х Гримм разработал новый вид тлеющего разряда, в котором плоская проба служила катодом (рис. 8.1-6). Таким образом, пробу можно легко помещать в лампу [8.1-19-8.1-20]. [c.23]

Были разработаны и электрохимические способы обработки алмаза, позволяющие обновлять его поверхность [89-91]. С этой целью вначале алмаз подвергают ионной бомбардировке, которая приводит к графи-тизации поверхностного слоя (см. главу 1). Затем образец помещают в электрохимическую ячейку и поляризуют, как биполярный электрод (т. е. бесконтактным способом), приложив между анодом и катодом ячейки напряжение около 50 В. В результате аморфизованный слой окисляется и удаляется, обнажая лежащий глубже кристаллический алмаз (ср. раздел 3.1). [c.26]

Выход из положения есть — надо сделать возможным протекание реакции при более низких температурах, активировав исходные реагенты тем или иным образом (например, механохимически). Нетепловые воздействия могут быть самыми разнообразными действие света и радиации, лазерное излучение и ударные волны, электрические, магнитные и акустические поля, электронная или ионная бомбардировка и мн. др. [c.90]

Площадь контакта (и величина адгезии) твердых тел зависит от их упругости и пластичности. Усилить адгезию можно путем активации, т е. изменением морфологии и энергетического состояния поверхности механической очисткой, очисткой с по.мощью растворов, вакуумированием, воздействием электромагнитного излучения, ионной бомбардировкой, а также введением различных элементов. Например, значительная адгезия металлических пленок достигается метода.ми электроосаждения, термического испарения, вакуумным и плазменнь напьшением и др. [c.93]

Масс-спектрометрический анализ частиц кислорода, снимаемых с поверхности серебра при ионной бомбардировке, убедительно доказьшает присутствие на поверхности серебра молекулярных ионов кислорода О2. Наряду с ними обнаружены и атомарные ионы кислорода, но их по.чвление можно легко объяснить, если учесть возможность диссоциации находящегося на поверхности серебра молекулярного кислорода под действием бомбардирующих ионов с высокими энергиями, например ионов инертных газов. [c.275]

Кроме автоэлектронной при ионной бомбардировке катода протекает интенсивная вторичная электронная эмиссия. Основными зонами тлеющего разряда (рис. 51) являются катодное темное пространство и отделенное от него отрицательное свечение, которое нередко переходит в зону фарадеева темного пространства. Эти три зоны [c.145]

Сопутствующая слабая ионная бомбардировка аргоном вызывает автодесорбцию газовых примесей и служит средством очистки растущей пленки. Для этого на пленку подают отрицательное относительно анода напряжение. [c.149]

Непонятна связь концентраций дефектов в кристаллах с каталитической активностью. Известно, что в хорощо отожженном кристалле на 1 см поверхности приходится 10 поверхностных центров. Есть кристаллы, у которых число поверхностных центров составляет 10 на I см . В зоне дислокации следует ожидать изменения химического потенциала адсорбированных частиц, что должно сказаться иа каталитических процессах. Дислокации, кроме того, являются источниками (стоками) вакансий, поэтому на них может происходить аккомодация примесей. Экспериментальные же данные по корреляции концентраций дефектов и каталитической активности крайне противоречивы. Сосиовским, Ухарой и др. [3.28] установлена пропорциональность между ростом числа дислокаций (полученных ионной бомбардировкой или механически.ч напряжением) и ускорением скорости процесса катализа при уменьшении числа дислокаций (путем отжига) скорость реакции замедлялась. По Вудворду [3.29]—наоборот окисление этилена па монокристаллах серебра происходит с меньшей скоростью при увеличении плотиости дислокаций. [c.147]

Полупроводниковые стекла состава PbjoGeigSeei после облучения пучком ионов никеля и отжига при 100—220 °С обнаруживали появление электрически активных дефектов и соответствующих локальных состояний вблизи уровня Ферми. В полупроводнике возникает негомогенность в виде распределения простых дефектов и кластеров в объеме материала. Примеси переходных металлов, например никеля, имеющего незаполненный электронный -подуровень, даже при небольших концентра-Щ1ЯХ (приблизительно 0,2 ат. %) при ионной бомбардировке с интенсивностью 2-10 ион/см, приводят к возникновению значительных изменений в электронных транспортных свойствах полупроводника [447]. [c.312]

В 1шазме тлеющего свечения отсутствует локальное термодинамическое равновесие газовая температура плазмы составляет всего 400-800 К, тогда как температура электронов находится в интервале 8000-10 ООО К. Процесс атомизации, как и в случае полого катода, обусловлен явлением катодного распыления поверхности анализируемого образца в результате ионной бомбардировки и происходит без нагревания образца. Процесс катодного распыления является поверхностным, что дает возможность использовать такой атомизатор не только в обычньтх аналитических целях, но и изучать с его помощью профили распределения элементов по глубине образца. [c.843]

Даже с поправками на глубину выхода и обратное рассеяние измеренный состав поверхности нельзя соотносить с внутриобъемным составом образца из-за последствий ионной бомбардировки, которая используется для чистки поверхности образца путем катодного распыления. [c.53]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология