Импеданс электрокристаллизации

МЕТАЛЛОВ. ИМПЕДАНС ЭЛЕКТРОКРИСТАЛЛИЗАЦИИ [c.322]

Окончательное выражение для адмиттанса (обратной величины импеданса) электрокристаллизации 1/2 р=//т) имеет следующий вид [c.326]

При к Хо, а также при высоких м импеданс электрокристаллизации сводится к омическому сопротивлению стадии разряда 9= T/rtf о. При [c.326]

Анализ импеданса электрокристаллизации еще более усложняется, если наряду со стадиями замедленного разряда, поверхностной диффузии и встраивания адатома в решетку учесть еще и стадию объемной диффузии ионов к поверхности электрода. Идентификация стадии медленной поверхностной диффузии методом измерения импеданса становится чрезвычайно затруднительной. Более надежные результаты могут быть получены, по-видимому, при измерении зависимости тока от времени в ходе программированного изменения потенциала электрода. [c.326]

ПОВЕРХНОСТНАЯ ДИФФУЗИЯ ПРИ ЭЛЕКТРООСАЖДЕНИИ МЕТАЛЛОВ. ИМПЕДАНС ЭЛЕКТРОКРИСТАЛЛИЗАЦИИ [c.337]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология