Галлия в присутствии кремния, концентрации

В самое последнее время в псевдотройной системе GaP— Si—ZnSiP2 были обнаружены твердые растворы в области концентраций, соответствующих малому содержанию ZnSiP2 [24]. Метод синтеза, примененный автором — кристаллизация из из-бь1тка галлия. Само тройное соединение получить не удалось. Растворимость фосфида галлия в кремнии обнаруживалась только в присутствии цинка, что и дало повод рассматривать псевдотройную систему, упомянутую в работе [24]. Образование фаз в этой системе авторы объясняют с точки зрения компенсации зарядов. [c.144]

Интересное видоизменение описанных выше реакций с кислородом получается в случае присутствия, кроме прежнего раствора кислорода в кремнии, акцепторов, в частности бора, алюминия или галлия 48]. Можно предсказать, зная обсуждавшиеся выше законы электроно-дырочного равновесия, что наличие акцепторов приведет к заметному увеличению концентрации доноров, в результате сдвига вправо равновесия (26, в). Кроме того, проявятся особые эффекты, связанные с акцепторами, особенно при умеренно высоких температурах (выше 500°) или при большей продолжительности реакции при более низких температурах. Эти эффекты, которые особенно резко выражены в кремнии, легированном алюминием, являются, как полагают, результатом образования более стабильных комбинаций между комплексами Si04 и акцепторами. Получены доказательства [c.287]

Справочник химика 21