Легирование кристаллов ионной бомбардировкой

Второй способ введения примесных атомов в готовый кристалл состоит в том, что кристалл подвергают бомбардировке соответствующими ионами [951. Поскольку глубина проникновения ионов в кристалл ограничена, этот метод используют для легирования тонких поверхностных слоев. [c.28]

В работе Андерсена с сотрудниками [104] были получены высокоомные р-и-переходы на n- dS при внедрении фосфора при 50 кэв и токе 5 а/см . Глубина проникновения фосфора составляла около 500 А и концентрация фосфора достигала 10 " см После бомбардировки кристаллы отжигали в парах серы в присутствии порошка сульфида кадмия цри температуре 450° С в течение 10 мин. Повышение температуры и увеличение длительности прогрева разрушало р-слой. При 10 ма наблюдалась слабая желтоватая электролюминесценция. Сульфид кадмия с высокой проводимостью р-типа был получен при ионном внедрении висмута в высокоомные образцы сульфида кадмия и-типа [20] прп 25 кэв и токе 1 —10 Ma M . Глубина проникновения ионов висмута достигала 2000—3000 А. Бомбардировка проводилась при комнатной температуре и отжиг не проводился влияние отжига не наблюдалось при прогреве до 375° К. Измерение температурной зависимости проводимости и эффекта Холла показало, что появился акцепторный уровень 0,015 эв. Светодиоды были получены при легировании низкоомных (1- 10 ом-см) образцов сульфида кадмия я-типа. При температуре 77° К наблюдалась зеленая электролюминесценция только при прямом смещении. Контактом к сульфиду кадмия р-типа была платина, а к стороне кристалла с проводимостью п-типа — вакуумнонапыленные серебро и индий. [c.52]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология