Легирование ионной бомбардировкой

Ускорение диффузии при ионном азотировании, так же, как и при ионном легировании кремния [91 ], видимо, связано с действием указанных ниже основных факторов, возникающих в результате ионной бомбардировки насыщаемой поверхности. Происходит локальный перегрев очень тонкого поверхностного слоя, в результате чего возникает температурный градиент. Если энергию, получаемую за счет ионной бомбардировки, преобразовать в тепловую, то она будет соответствовать крайне высокой температуре. В первые минуты насыщения в результате внедрения ионов азота в насыщаемую поверхность возникает высокий градиент концентрации. Это подтверждается сравнительным спектральным исследованием поверхности образцов технического железа [16]. На бомбардируемой поверхности образуется большое количество дефектов кристаллической решетки и градиент их в направлении [c.123]

Возникший в бО-х годах метод ионных пучков продолжает совершенствоваться. Его достоинства в универсальности, возможности улучшать параметры существующих приборов и создавать совершенно новые приборы и твердые схемы. Ионное легирование происходит быстро (несколько секунд, реже минуту-другую). Протекая при комнатной температуре, процесс требует, однако, последующего отжига образцов для устранения радиационных дефектов, возникающих при ионной бомбардировке. [c.174]

В установках для получения покрытий в вакууме различны способы нагрева испаряемого вещества. Применяют термическое испарение с электрическим или электроннолучевым нагревом и катодное распыление. В некоторых случаях требуется сочетание вакуумного напыления с ионной бомбардировкой. Для испарения тугоплавких материалов использовали луч лазера [65] с длиной волны 1,06 мкм, генерируемый в стекле, легированном N(1, мощностью —100—150 Дж в 2—4 мс. Луч проектировался в вакуумную установку через стеклянное окно и фокусировался на испаряемом [c.237]

Метод ионной имплантации (ионного легирования) заключается во введении легирующих элементов в поверхностные слои металлов путем использования ионных пучков. Легированный слой формируется при бомбардировке поверхности металлов ионами легирующих элементов, приобретающих высокие скорости в электрическом поле. Толщина этого слоя зависит в основном от природы и энергии ионов, а также от природы металла, на который наносится слой. [c.129]

Ионная имплантация дает в руки исследователей и технологов не только способ легирования, но и способ очистки веществ от примесей с помощью так называемого ионного геттерирования [9]. Если, например, подвергнуть поверхность кремния бомбардировке ионами Аг+ или другого инертного газа и отжечь образец при 900° С, то содержащиеся в образце примеси диффундируют к облученному поверхностному слою (толщина которого порядка долей микрона) и оседают там. [c.160]

Первая попытка ионного легирования пленок теллурида кадмия индием и кадмием оказалась неудачной [101, 102]. Процесс ионного легирования осложняется испарением легколетучих соединений типа л"в в момент бомбардировки ионами, а также тем, что при отжиге радиационных нарушений, возникающих в момент бомбардировки, происходит электрическая самокомпенсация внедренных примесей. [c.51]

Второй способ введения примесных атомов в готовый кристалл состоит в том, что кристалл подвергают бомбардировке соответствующими ионами [951. Поскольку глубина проникновения ионов в кристалл ограничена, этот метод используют для легирования тонких поверхностных слоев. [c.28]

В работе Андерсена с сотрудниками [104] были получены высокоомные р-и-переходы на n- dS при внедрении фосфора при 50 кэв и токе 5 а/см . Глубина проникновения фосфора составляла около 500 А и концентрация фосфора достигала 10 " см После бомбардировки кристаллы отжигали в парах серы в присутствии порошка сульфида кадмия цри температуре 450° С в течение 10 мин. Повышение температуры и увеличение длительности прогрева разрушало р-слой. При 10 ма наблюдалась слабая желтоватая электролюминесценция. Сульфид кадмия с высокой проводимостью р-типа был получен при ионном внедрении висмута в высокоомные образцы сульфида кадмия и-типа [20] прп 25 кэв и токе 1 —10 Ma M . Глубина проникновения ионов висмута достигала 2000—3000 А. Бомбардировка проводилась при комнатной температуре и отжиг не проводился влияние отжига не наблюдалось при прогреве до 375° К. Измерение температурной зависимости проводимости и эффекта Холла показало, что появился акцепторный уровень 0,015 эв. Светодиоды были получены при легировании низкоомных (1- 10 ом-см) образцов сульфида кадмия я-типа. При температуре 77° К наблюдалась зеленая электролюминесценция только при прямом смещении. Контактом к сульфиду кадмия р-типа была платина, а к стороне кристалла с проводимостью п-типа — вакуумнонапыленные серебро и индий. [c.52]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология