Образование вакансий при введении примесных атомов

Изображенная на рис. Х1.6, виг схема применима, вероятно, также и для введения примесных доноров и акцепторов в теллур. Добавление в это вещество акцепторов вызывает увеличение проводимости р-типа, причем возникает приблизительно одна дырка на каждый атом примеси. Однако добавление таких элементов, как иод, которые, располагаясь в нормальных узлах решетки, должны действовать как доноры, также вызывает небольшое увеличение концентрации дырок [4, 5]. Если бы в этом случае наблюдалось ослабление донор-иой активности, его можно было бы объяснить внедрением с образованием вакансий, что должно происходить, если собственное разупорядочение в чистом теллуре описывается рассмотренным в разд. Х.2 условием [c.263]

В [30], [31] были подробно изучены электрофизические свойства Gосновным механизмом рассеяния электронных волн является рассеяние на катионных вакансиях. Введение примесных атомов (до 1 ат.%) не привело к появлению примесной проводимости (за исключением иримесей Bi и I2) и к изменению концентрации носителей. Исходя из развитых в [32] представлений, авторы объясняют это тем. что велич1ша дополнительного электрического поля, вызванного появлением вакансий, нарушающих периодичность, превышает энергию активации примесных центров, так что образование последних делается невозможным. В [30] был сделан вывод, что сходство названных структур с аморфными — стек.ггообра.чяь м 1 — полупроводниками позволяет счи- [c.383]

В [30], [31] были подробно изучены электрофизические свойства 1по,бб7 [ 0,333 Те. Было показано, что основным механизмом рассеяния электронных волн является рассеяние на катионных вакансиях. Введение примесных атомов (до 1 ат. %) не привело к появлению примесной проводимости (за исключением примесей Bi и Ь) и к изменению концентрации носителей. Исходя из развитых в [32] представлений, авторы объясняют это тем, что величина дополнительного электрического поля, вызванного появлением вакансий, нарушающих периодичность, превышает энергию активации примесных центров, так что образование последних делается невозможным. В [30] был сделан вывод, что сходство названных структур с аморфными — стеклообразными — полупроводниками позволяет считать их промежуточными структурами между аморфными и нормальными кристаллами. Примесь меди к ОагТез в концентрациях 10 до 10 ат. % от числа атомов Ga ведет не только к значительному увеличению периода идентичности (до 2,7%), но и сильному падению АЕ, вплоть до потери полупроводниковых свойств [34]. Механизм явления неясен [10]. [c.554]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология