Схемы печатные при проектировании

Эта технология имеет значительные преимущества, так как появляется возможность осаждения двуокиси кремния в виде сложных микроскопических узоров облучением подложки электронами через маску или экран, сканированием подложки точечным электронным лучом или проектированием электронно-лучевого изображения узора на подложку в электронном микроскопе. При этом размер отдельных элементов рисунка в таких пленках двуокиси кремния лежит в интернале от 0,1 до 1 мим и они могут успешно использоваться в качестве масок, барьерных слоев и слоев, устойчивых к воздействию хлора, при изготовлении полупроводниковых приборов и микромодулей печатных схем. [c.353]

Справочник химика 21