Керамические полупроводниковые окислы

Известно [151], что естественный окисел, который образуется на поверхности германия, достаточно химически активен и поэтому его нельзя использовать для пассивации поверхности германия и в качестве маски при диффузии. Двуокись германия Ge()2 находится обычно в аморфном или кристаллическом состоянии с решеткой гексагональной формы. Имеется также разновидность двуокиси германия, имеющая кристаллическую решетку тетрагональной формы, которая является перспективной при изготовлении германиевых полупроводниковых приборов [154]. Одним из способов получения таких пленок двуокиси германия на поверхности монокристаллических пластин является анодное окисление в 0,25 N растворе ацетата натрия в ледяной уксусной кислоте с последующей обработкой пластин в керамическом тигле, содержащем смесь промышленной двуокиси германия и 1 вес.% карбоната лития в атмосфере воздуха с относительной влажностью около 40% при температуре 700—900° С [151]. [c.453]