Полупроводниковые электроды германиевые

Схема установки для выполнения электрогравиметрических определений показана на рис. 8.1. В качестве источников постоянного тока используют аккумуляторы и выпрямители различных систем. Особенно часто применяются полупроводниковые выпрямители . селеновые, кремниевые, германиевые. Амперметры и вольтметры постоянного тока должны обладать чувствительностью 10 А и 10 В и иметь шкалу примерно в 10 А и 10 В. Электрод, на котором происходит осаждение определяемого металла, должен иметь возможно большую поверхность и возможно меньшую массу. В основном применяются платиновые сетчатые электроды. Анодом чаще всего служит платиновая проволока в виде спирали. Иногда используют сетчатый анод, особенно, если ведут определение металлов одновременно и на катоде, и на аноде (например, определение меди на [c.134]

Экспериментальное исследование фотоэмиссии из полупроводниковых электродов еш,е только начинается. Весьма интересным результатом, полученным Кротовой [221], является подтверждение закона трех вторых [формула (8.16)] для германиевого электрода. Принципиальным моментом при экспериментальном исследовании полупроводниковых электродов является разделение внешнего фотоэффекта (фотоэмиссии) и внутреннего фотоэффекта последний также сопровождается возникновением фототока в системе [14]. Разделить их удалось (см. 4.1), используя зависимость тока фотоэмиссии от присутствия в растворе акцепторов гидратированных электронов. [c.149]

Из полупроводниковых электродов, подвергнутых изучению, только германиевый электрод является таким, объемные свойства которого хорошо известны и поддаются строгому контролю и измерению. Кроме того, в качестве электродного материала германий обладает тем преимуществом, что при электролизе он [c.433]

Поскольку ток /г(е ), а величина (е )< 1 для полупроводников и п(е ) 0,5 для металлов, то становится понятным резкое уменьшение токов обмена для одной и той же реакции при переходе от металлического электрода к полупроводниковому. Так, например, для чистого германиевого полупроводника Ес—еу=0,67 эВ и согласно формуле [c.296]

ОТЛИЧИЯ германиевого электрода от любого металлического обусловлены его полупроводниковыми свойствами и заключаются в возникновении объемного заряда и в участии в электродных процессах носителей зарядов разных знаков. [c.273]

СТИ протекания основных электрохимических реакций (таких, как анодное растворение, выделение водорода, окислительно-восстановительные процессы и др.) на германиевом и кремниевом электродах. При этом особое внимание обращается на рассмотрение наиболее важных в прикладном отнощении реакций анодного растворения германия и кремния. В книге также дается обзор применения электрохимических операций в технологии изготовления полупроводниковых приборов. [c.6]

Существенно, что при достаточно быстром заряжении электрода, когда в значительной степени исключается релаксация медленных поверхностных состояний, можно достичь весьма высоких значений поверхностного потенциала. Соответствующая величина емкости области пространственного заряда оказывается сравнимой с емкостью слоя Гельмгольца или даже превосходит ее при этом достигаются благоприятные условия для измерения гельмгольцевой емкости полупроводникового электрода. (Этим путем была измерена гельмгольдева емкость на германиевом электроде [9]), [c.7]

На некоторых полупроводниковых электродах поверхностный заряд с малыми временами релаксации не был обнаружен (так, на окиси цинка и сульфиде кадмия обычно практически нет быстрых поверхностных электронных состояний). Напротив, на поверхности германиевого электрода обнаружены быстрые состояния двух типов с моноуровнем вблизи середины запрещенной зоны и с непрерывным распределением уровней по энергиям вблизи краев запрещенной зоны [48, 49]. [c.16]

Основной частью полупроводникового фотодио-д а (рис. 43,е) является германиевая пластинка 1 с напаянной каплей индия 2. Один электрод 3 выведен через стеклянный изолятор 4. Другим является металлический корпус 5. Схема включения аналогична вакуумному фотоэлементу. [c.88]

Книга является обобщением исследований отечественных и зарубежных ученых в новой области физической химии—электрохимии полупроводников германия и кремния. В ней систематически изложены вопросы строения двойного электрического слоя на границе раздела полупроводник—электролит, кинетика анодного растрорения германия и кремния, а также приведены сведения о других электрохимических реакциях, протекающих на германиевых и кремниевых электродах. Специальная глава книги посвящена рассмотрению электрохимических операций, применяемых в производстве полупроводниковых приборов. [c.2]