Подготовка образцов и увеличение контраста

Подготовка образцов и увеличение контраста [c.67]

Таким образом, изображение во вторичных электронах позволяет наблюдать рельеф поверхности исследуемого образца, и только на тщательно отшлифованных объектах появляется контраст, связанный с различием химического состава или ориентации кристаллографических осей отдельных зерен. Методы подготовки объектов для растровой электронной микроскопии во вторичных электронах и получаемая информация в целом сходны с таковыми для оптической микроскопии в отраженном свете. При этом метод РЭМ имеет ряд существенных преимуществ это, во-пер-вых, значительно более высокая разрешающая способность (определяемая диаметром электронного пучка и достигающая 1 нм) во-вторых, значительно большая глубина резкости при одинаковом увеличении, что снижает требования к гладкости изучаемой поверхности. [c.249]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология