Вторичные электроны

Фотоэлектронные умножители. Для измерения интенсивности монохроматического излучения чаще всего используют фотоэлектронные умножители (ФЭУ). Они представляют собой вакуумные фотоэлементы, в которых многократное усиление фототока происходит за счет вторичных электронов. Между интенсивностью светового потока, воздействующего на фотокатод, и возникающим фототоком в широком интервале наблюдается линейная зависимость. Длинноволновая граница спектральной чувствительности фо- [c.191]

Эмиссионный электронный микроскоп. В эмиссионном микроскопе изображение объекта создается электронами, испускаемыми поверхностью самого объекта. Эмиссия электронов с поверхности образца инициируется нагреванием последнего (термоэлектронная эмиссия), бомбардировкой поверхности электронами или ионами (вторичная электронная эмиссия) и облучением фотонами (фотоэлектронная эмиссия). Испускаемые поверхностью электроны собирательной линзой (иммерсионным объективом) ускоряются и направляются на экран. Вследствие того что разные участки поверхности объекта имеют различную эмиссионную способность, на экране возникают участки неодинаковой яркости, что и является изображением реальной поверхности. На яркость изображения влияет также и рельеф поверхности. [c.155]

Описанные процессы ионизации газов вызываются только заряженными частицами. Однако счетчик Гейгера можно применять также для измерения у-излучения. Попадая на стенки счетчика, оно вызывает эмиссию вторичных электронов. Каждая рабочая область или соответственно каждый тип счетчика имеет евои достоинства и недостатки. Для работы ионизационной камеры необходимы небольшие напряжения, но при этом возникают слабые токи, и поэтому необходимо использовать большое усиление или чувствительный регистрирующий прибор. Ионизационные камеры применяют в основном при измерении излучений большой интенсивности или при работе с сильно ионизирующим -излучением. [c.386]

О 25 50 75 /йО Количество вторичных электронов, в условных единицах [c.554]

Рис. 193. Распределение вторичных электронов по энергии (при энергии первичного электрона 1 Мае).

Автомат фракционной разгонки. Автомат фракционной разгонки типа АФР совместно со вторичным электронным регистрирующим прибором типа ПС1-01-АФР предназначается для определения фракционного состава светлых нефтепродуктов в условиях, близких к стандартным (ГОСТ 2177-59). Конструкция прибора должна обеспечивать полную автоматизацию следующих операций а) промывку колбы и заполнение ее дозированной порцией продукта, взятого непосредственно из технологического трубопровода установки б) разгонку продукта, после которой следует повторение цикла. [c.178]

В процессе облучения полимеров при ионизации макромолекул появляются вторичные электроны, захват которых обусловлен йх попаданием в потенциальные ямы силового поля межцепных взаимодействий. Другими подобными ловушками для электронов могут быть имеющие к ним положительное сродство макрорадикалы и функциональные группы. [c.238]

Из ионного источника пучок, содержащий ионы попадает в поле магнитного анализатора 4. Ионы отклоняются в магнитном поле на определенный угол в соответствии с отношением заряда к массе, и число их регистрируется при помощи вторичного электронного умножителя 5. Малый магнитный анализатор 6 служит для выделения пучка ионов А . [c.26]

А р г о и и о - и о и и 3 а ц и о и и ы й детектор основан на изменении тока вторичных электронов, возникающих при столкновении анализируемых веществ с возбужденными атомами аргона как газа-иосителя. Возбуждение аргона обычно осуществляется под [c.300]

При образовании полярных связей из металла извлекаются его электроны. Наличие процесса связывания электронов доказывается увеличением эмиссии вторичных электронов [76, 77], причем измерения электропроводности [53, 78] и контактных сопротивлений [79, 80] показывают, что в образовании связей участвуют электроны проводимости. Наоборот, физическая адсорбция газа на поверхности металла вызывает небольшое увеличение электропроводности последнего [81, 82]. [c.60]

Из ионного источника пучок, содержащий ионы R+, попадает в поле магнитного анализатора 4. Ионы R+ отклоняются в магнитном поле на определенный угол в соответствии с отношением заряда к массе, и число их регистрируется при помощи вторичного электронного умно- [c.21]

В газонаполненных фотоэлементах происходит некоторое усиление фототока за счет вторичных электронов, выбиваемых из молекул газа. Однако газонаполненные фотоэлементы менее устойчивы в работе, [c.242]

Растровая сканирующая электронная микроскопия. Растровый электронный микроскоп (РЭМ) — прибор, в основу работы которого положен телевизионный принцип развертки тонкого пучка электронов (или ионов) на поверхности непрозрачного исследуемого образца. Пучок электронов, падающий на поверхность образца, взаимодействует с веществом, следствием чего является возникновение целого ряда физических явлений (рис. 59). Регистрируя соответствующими датчиками то или иное излучение (например, вторичные электроны) и подавая сигналы на кинескоп, получают рельефную картину изображения поверхности образца на экране. [c.149]

Согласно Р. Цдатцману и А.Купперману, процесс взаимодействия ионизирующего излучения с водой можно разделить на три стадии 1) физическую, 2) физико-химическую и 3) химическую. Продолжительность первой стадии составляет < 10 13 с. За это время вдоль трека частицы образуются ионы (главным образом, Н2О+) и возбужденные молекулы воды Н2О -> Н2О + е . Эти продукты на второй стадии, длительность которой составляет около 10 и с, претерпевают ряд превращений, приводя систему в тепловое равновесие. Вторичные электроны обладают энергией, достаточной для ионизации нескольких других молекул воды. Группы ионов, возникающих таким путем, называют шпорами (от английского spurs). Так возникают атомы Н, гидратированные электроны и радикалы ОН и, по-видимому, Н2 и [c.192]

Релаксационный процесс вторичной электронной эмиссии дает начало методу оже-электронной спектроскопии ОЭС , разработанному Д. Харрисом (США). [c.134]

При использовании ОЭС травление и регистрация спектра проводятся одновременно (рис. VI.7). Образец бомбардируется сфокусированным электронным пучком и анализируется энергия вторичных электронов (оже), а при одновременном ионном травлении получают послойные профили. [c.150]

Узкий пучок ультразвуковых лучей, излучаемых пьезоэлектрической кварцевой пластинкой, освещает рассматриваемый предмет. Отраженные от предмета ультразвуковые лучи попадают в акустическую собирательную линзу, в фокусе которой установлен приемник, представляющий собой пьезоэлектрическую (например, кварцевую) пластинку. Приемная пластинка является основанием (дном) катодной трубки. Узкий пучок катодных лучей внутри катодной трубки падает на внутреннюю поверхность приемной пластинки и выбивает с ее поверхности вторичные электроны, собираемые на аноде, Под действием зарядов, образованных на внутренней поверхности приемной пластинки в результате облучения ее ультразвуком, вторичная электронная эмиссия с поверхности [c.126]

Метод рентгеновского микроанализа (фотоэлектронной спектроскопии) основан на том же принципе, что и метод Оже-спектроскопии, только для этого метода выбивание электронов с нижних уровней достигается облучением поверхности не электронами, а жестким рентгеновским излучением. Этот метод обладает большей разрешающей способностью по энергиям вторичных электронов, и благодаря этому при помощи рентгеновского микроанализатора можно установить валентное состояние одного и того же элемента в различных поверхностных соединениях. Однако из-за глубокого проникновения рентгеновских лучей в глубь вещества даже при малых углах облучения анализ захватывает относительно толстый поверхностный слой ( 5 нм). [c.85]

S Е A i А (США). Растровый электронный микроскоп, работающий при ускоряющих напряжениях до 50 кВ м имеющий предельное разрешение 10 им в режиме вторичной электронной эмиссии. Микроскоп может использоваться вместе с рентгеновским микроанализатором. [c.154]

Автоскан (Ли1о5сап) (ФРГ). Растровый э.пектронный микроскоп работает при ускоряющих напряжениях до 30 кВ при этом достигается предельное разрешение 7 нм в растрово-просвечнваюшем режиме и 10 нм в режиме вторичной электронной эмиссии увеличение от 7 до 240 ООО раз. У микроскопа [c.153]

Метод Оже-спектроскопии основан на явлении эмиссии вторичных электронов, которые возникают при облучении вещества потоком электронов. Сущность этого явления, открытого в 1925 г. французским ученым П. Оже, состоит в следующем. Электроны, окружающие атомное ядро, располагают на последовательных уровнях К, L, М [c.84]

При щип действия установок для нейтронографического анализа в общих чертах сводится к следующему (рис. 51). Пучок нейтронов, источником которых является атомный реактор, проходит биологическую защиту / и по трубе кадмиевого коллиматора попадает на монохроматизирующий кристалл 2 (например, меди, свинца и т. д.), помещенный в защитную камеру 3 из боризоваиного парафина и свинца. Монохроматизированный пучок нейтронов попадает на образец 5 обычно в виде порошка в тонкой алюминиевой оболочке, слабо поглощающей нейтроны, и после отражения регистрируется счетчиком нейтронов 6. На пути луча перед образцом помещается контрольный счетчик 4. Вследствие того что нейтроны не действуют на фотопластинку, их регистрация проводится по сложной схеме, которая основана на фиксации вторичных электронов, возникающих при взаимодействии нейтронов с определенными веществами. Так, например, рассеянные образцом нейтроны могут бомбардировать двухслойный экран, состоящий из пластинки индия и обычной фотонластпнки. Нейтроны выбивают из индия электроны, и последние экспонируют фотопластинку, фиксируя на ней дифракционную картину, создаваемую нейтронами. [c.107]

Для детектирования заряженных частиц (электронов, ионов, возникающих прн ионизации) в настоящее время наиболее широко используются два метода 1) детектирование ионов при помощи масс-спектрометра или просто вторичным электронным умножителем (ВЭУ) 2) детектирование изменения импеданса (полного [c.184]

Возбужденная молекула может распасться на два радикала, что и будет актом деструкции Р - -Р + Н 2- Выделяющийся при радиолизе вторичный электрон с относительно низкой скоростью может не только рекомбинировать с образовавшимся ионом полимера (реакция в клетке ), но и реагировать с другими молекулами (выход из клетки ), образуя новые ионы. Эти изменения происходят очень быстро (10 с). Время жизни полимерных ионов или радикалов зависит от подвижности макромолекул и при низких температурах может быть порядка недель и месяцев. [c.245]

Фотоумножители. В настоящее время обычно используется другой тип вакуумных фотоэлектрических приемников — фотоумножители. В них совмещены вакуумный фотоэлемент и усилитель, действие которого основано на вторичной электронной эмиссии. Первичные электроны, освобожденные из катода под воздействием света, ускоряются электрическим полем и попадают на металлическую пластинку — эмиттер (рис. 119, а). За счет своей кинетической энергии они вырывают с поверхности эмиттера вторичные электроны. При этом каж- [c.188]

Здесь имеются в виду методы, которые основываются на явлениях фотоэффекта, получаемого при использовании монохроматического электромагнитного излучения, и вторичной электронной эмиссии. Собственно фотоэлектронной спектроскопией (ФЭС) называют метод, в котором вещество облучают в вакуумной УФ области электромагнитного спектра. Приоритет открытия явления эмиссии фотоэлектронов в газах под действием УФ облучения, положившего начало развитию метода ФЭС, принадлежит Ф. И. Вилесову (СССР). В рентгеноэлектронной спектроскопии (РЭС, или ЭСХА, что означает электронная спектроскопия для химического анализа) используют монохроматическое рентгеновское излучение. Создателем этого метода применительно к изучению поверхности твердых тел является шведский ученый К. Зигбан. Для возбуждения эмисии электропов может использоваться также электронный пучок, тогда говорят о методе индуцированной электронной эмиссии спектроскопии . [c.134]

В зависимости от условий вза-имодействия выделенный (вторичный) электрон может обладать самой различной кинетической энергией от энергии теплового движения частиц при данной температуре до энергии, близкой к энергии воздействовавшей (первичной) частицы. На рис. 193 представлено распределение вторичных электронов по энергии при выделении их действием первичных электронов с энергией 1 Мэе. Эти данные показывают, что большинство выделяющихся электронов обладает энергией, не превышающей 6 эв. В результате одна первичная частица может образовать в среднем примерно от десяти до ста тысяч вторичных электронов. Поэтому химическое взаимодействие в большинстве случаев вызывается действием не непосредственно частицей большой энергии, а действием вторичных электронов (или каких-либо других вторичных частиц). [c.554]

Для характеристики фотонного излучения но эффекту ионизации применяют так называемую экспозиционную дозу рентгеновского и гамма-излучений Дэкс- Она представляет собой отношение суммарного заряда всех ионов одного знака, созданных в воздухе, при полном торможеггии всех вторичных электронов, которые были образованы фотонами в малом объеме воздуха с массой (1т к массе воздуха в этом объеме [c.54]

И-500 (Япония). Просвечивающий электронный микроскоп обеспечивает предельное разрешение 0,14 нм при изображении плоскости кристаллической решетки и 0,3 нм по точкам имеет увсличе 1ие от 100 до 800 000 раз, работает при ускоряющем напряжении до 125 кВ. У микроскопа имеются приставки для охлаждения и нагревания до 800°С. Вместе с приставкой HSE-2 микроскоп мокнет работать и как сканирующий, при этом достигается разрешение в режиме растрового просвечивания 3 нм и режиме вторичной электронной эмиссии 7 нм. При использовании микроскопа совместно с многими рентгеновскими спектрометрами можно проводить микроанализ. [c.147]

JEM-IOO (Япония). Просвечивающий электронный микроскоп обеспечивает предельное разрешение 0,14 нм при изображении плоскости кристаллической решетки и 0,3 нм по точкам работает при ускоряющем напряжении до 100 кВ. Дает возможность получать микродифракцию с участка размером до 20 нм. Вместе с приставкой ASID-4D может работать и как сканирующий, при этом достигается более высокое разрешение, чем у предыдущего микроскопа в растрово-просвечивающем режиме 0,15 нм и в режиме вторичной электронной эмиссии 3 нм. [c.147]

Stereos an 180 (Англия). Растровый электронный микроскоп работает при ускоряющих напряжениях ло 60 кВ, при этом достигается предельное разрешение 7 нм в растрово-просвечивающем режиме и 10 нм в режиме вторичной электронной эмиссии. У микроскопа имеются приставки для нагревания до 400°С и деформации образца. Микроскоп может использоваться вместе со спектрометром. [c.154]

HFS-2 (Япония). Растровый электронный микроскоп работает при ускоряющих напряжениях до 25 кВ,. при этом достигаются следующие предельные разрешения и максимальные увеличения в растрово-просвечивающем режиме 3 нм и 500 000 раз в режиме вторичной электронной эмиссии 3 нм и 250 000 раз. Сканирующий электронный микроскоп используется вместе с рентгеновским микроанзлизатором и имеет предельное разрешение 7 нм и максимальное увеличение 200 ООО раз. [c.154]

В последние десятилетия получили широкое распространение сцинтиляционные счетчики. Они состоят из люминес-цирующего кристалла (например, Ыа I, активированный таллием), фотоэлектронного умножителя и усилителя. Рентгеновский квант вызывает ионизацию большого чиспа атомов или ионов в кристалле, которые испускают ультрафиолетовое излучение, возвращаясь в стабильное состояние. Кванты этого излучения выбивают электроны с катода фотоумножителя, которые после ускорения попадают на электрод умно-жительной системы (динод). Каждый из электронов выбивает вторичные электроны, и после повторения этого процесса на 10-15 каскадах первоначальный импульс усиливается в Ю" -10 раз. Для регистрации достаточно усиления этих импульсов примерно в тысячу раз. Как и в случае пропорциональных счетчиков, амплитуда импульса пропорциональна энергии кванта и возможно применение хшфференциальной дискриминации (с теми же оговорками относительно статистического характера процесса). [c.24]

Поглощение у-излучения (с энергией 0,5—3 МэВ) веществом, содержащим элементы с небольшим или средним порядковым номером, определяется в основном комптоновским эффектом. Фотоэффект проявляется только для фотонов с небольшой энергией, и он сильнее для абсорбентов, содержащих элементы с высоким порядковым номером. В ослаблении у-излучения процесс образования пар также играет второстепенную роль. При взаимодействии у-излучения с веществом образуются быстрые вторичные электроны и позитроны. Вторичные частицы вызывают ионизацию вещества, что отчасти используют для обнаружения у-излучения. Аналогично ослабленик> [c.306]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология