Растровая электронная микроскопия высокого разрешения

Метод растровой (сканирующей) электронной микроскопии, Растровая электронная микроскопия начала использоваться в биологических исследованиях 10—15 лет тому назад. Этот метод дает универсальную возможность получения объемного изображения объекта в диапазоне увеличений до 100 тыс. при достаточно высоком разрешении. Сейчас оно достигает 3 нМ. [c.96]

Один метод локализации со специфической физиологической активностью был позаимствован нз ПЭМ. Этот метод меток поверхности клетки, который, будучи применен к образцам для РЭМ, приводит к образованию на поверхности клетки морфологически различаемых или аналитически идентифицируемых структур. Такие методики в сочетании с растровой электронной микроскопией высокого разрешения позволяют изучать природу, распределение и динамические свойства антигенных и рецепторных состояний на поверхности клеткн. Методы нанесения меток на поверхность клетки в общем случае достаточно сложны и включают процедуры иммунохимической и биохимической очистки. Подробные ссылки на них можно найти в работах [359—361], но сущность методик состоит в следующем. Для крепления антител в определенных антигенных состояниях на поверхности клетки используются стандартные иммунологические процедуры. Хитрость состоит в том, чтобы модифицировать антитела таким образом, чтобы они также несли морфологически различимую метку, такую, как латексные шарики или сферы из двуокиси кремния, распознаваемый вирус, как, например, вирус табачной мозаики, или один из Т-четных фагов, как показано на рис. 11.18, илн белковая молекула известных размеров, как ферритин или гемоцианин. В работе [362] (рис. 11.19) использовались гранулы золота, которые имеют большой коэффициент вторичной электронной эмиссии. Одна часть антитела имеет средство для специфичного антигенного закрепления на поверхности клетки, в то время как другая часть несет морфологически различимые структуры. В настоящее время иммунологические методы достигли такого уровня, когда они не могут быть использованы для изучения как качественных, так и количественных характеристик поверхности клетки [363, 364]. [c.244]

РЭМ и РМА в действительности два очень похожих прибора. Поэтому некоторые фирмы сконструировали приборы, которые могут работать как рентгеновский микроанализатор и как растровый электронный микроскоп высокого разрешения. На рис. 1.1 приведена блок-схема такого комбинированного прибора. В этом приборе как детектор вторичных электронов, так и детекторы рентгеновского излучения установлены ниже конечной линзы. Для количественного рентгеновского анализа и для измерения интенсивности рентгеновского излучения от легких элементов желательно иметь по крайней мере [c.10]

РАСТРОВАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯ [c.18]

В отечественной практике исследований широкую известность приобрел растровый электронный микроскоп высокого разрешения типа РЭМ-1. Этот прибор обеспечивает получение с высоким разрешением изображений поверхностей объектов во вторичных, отраженных и пог-лощенных электронах. Разрешающая способность прибора 20 нм. Размеры исследуемой поверхности 400 мм . Кратность увеличения от 20 до 100 ООО раз. Длительность сканирования до 5 мин. Угол разворота рабочего стола манипулятора от О до л/4. [c.35]

Растровая электронная микроскопия применяется для анализа формы кристаллитов, образующих катализатор, определения их размеров, а также для исследования рельефа поверхности катализаторов, морфологии высокоуглеродистых отложений и т. д. Для нее не требуется специальной подготовки образцов, которая могла бы привести к искажению изучаемых объектов. В то же время растровые микроскопы не обеспечивают столь высокого разрешения, которое необходимо для изучения частиц или деталей поверхности субатомного размера. [c.210]

Эти выводы о характере пористой структуры подтверждаются фотографиями микроструктуры образцов пенококса ВК-900 (рк=0,1 и 0,2 г/см ), полученными с помощью растрового электронного микроскопа высокого разрешения Квикскан (рис. 22). [c.119]

Существование сферических структур из углерода удалось установить методом электронной микроскопии высокого разрешения (рис.74). Как и предполагалось из теоретических расчетов, их размер действительно немногим больше 1 нм. Исследования с помошью растрового туннельного микроскопа показали, что когда молекулы С о осаждаются на кристаллической поверхности, они располагаются упорядоченно, как бильярдные шары (рис.75, 76). [c.129]

Годы, прошедшие с момента выхода предыдуш,его издания данной монографии (имеется перевод Практическая растровая электронная микроскопия.—М. Мир, 1978), ознаменовались бурным развитием принципов электронно- и ионно-зондовой аппаратуры и методов исследования. В первую очередь сюда следует отнести создание серийных растровых оже-электронных микроанализаторов, таких, как ЛАМР-10 (фирма ЛЕОЬ), установок электронно- и ионно-лучевой литографии, метрологических и технологических растровых электронных микроскопов и т. д. Существенно улучшились параметры приборов. Так, сейчас серийные растровые электронные микроскопы с обычным вольфрамовым термокатодом обладают гарантированным разрешением 50—60 А, модели высшего класса с наиболее высокими характеристиками имеют встроенную мини-ЭВМ, с помощью которой автоматически устанавливается оптимальный режим работы прибора, существенно облегчилось и стало более удобным обращение с прибором. В ряде случаев вместо обычных паромасляных диффузионных насосов для откачки используются турбомолекулярные и ионные насосы, создающие чистый вакуум вблизи образца, за счет чего снижается скорость роста пленки углеводородных загрязнений на объекте. [c.5]

В растровом электронном микроскопе (РЭМ) наибольший интерес представляют сигналы, создаваемые вторичными и отраженными электронами, поскольку они меняются при изменении топографии поверхности по мере того, как электронный луч сканирует по образцу. Вторичная электронная эмиссия возникает в объеме вблизи области падения пучка, что позволяет получать изображения с относительно высоким разрешением. Объемность изображения возникает за счет большой глубины фокуса растрового электронного микроскопа, а также эффекта оттенения рельефа контраста во вторичных электронах. Возможны и другие тииы сигналов, которые оказываются также полезными во многих случаях. [c.9]

До недавнего времени представления о структуре и химическом составе реальной поверхности были весьма ограничены из-за отсутствия надежных экспериментальных методов для их исследования. Ситуация стала меняться 10—15 лет назад, когда появились соответствующие аналитические приборы, получившие название электронно-зондовых устройств, — прежде всего элек-тронно-зондовые микрорентгеноспектральные анализаторы, дифрактометры электронов низких энергий, Оже-спектрометры, а также модифицированные электронографы, растровые и просвечивающие микроскопы высокого разрешения. Этот методический бум был подготовлен, с одной стороны, развитием [c.214]

Для используемого в просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) ускоряющего напряжения 200 кВ последняя формула дает длину волны 0,0025 нм, для широко применяемого в микроскопах высокого разрешения ускоряющего напряжения 400 кВ — 0,0016 нм, а для минимального ускоряющего напряжения, используемого в ряде моделей современных растровых электронных микроскопов (0,1 кВ), — 0,123 нм. Как видно, даже для низкоэнергетических электронов длина волны допускает получение атомного разрешения. Однако разрешающая способность электронных микроскопов определяется другими факторами (сферической аберрацией, связанной с разным положением фокальной плоскости для центра и краев линзы, и хроматической аберрацией, определяемой небольшими колебаниями ускоряющего напряжения) и достигает значений порядка 0,1 нм в высоковольтных микроскопах высокого разрешения. Строение просвечивающего электронного микроскопа функционально сходно с оптическим микроскопом, работающим в проходящем свете (рис. 7,1 а) осветительная система, состоящая из электронной пушки и конденсора, определяющего форму падающего на образец пучка исследуемый образец объективная линза, формирующая изображение система из промежуточных и проекционной линз, обеспечивающих требуемое увеличение и проецирующих изображение на флуоресцентный экран для наблюдения или на фотопленку (или матрицу цифровой фотокамеры) для регистрации. Кроме перечисленных элементов современный электронный микроскоп содержит магнитные системы отклонения пучка и изменения его формы. Изменение формы пучка до достижения им круговой симметрии в сечении необходимо для получения неискаженного изображения. Соответствующие устройства называют стигматорами, их устанавливают в просвечивающих электронных микроскопах как после конденсора (перед попаданием пучка на образец), так и после объективной линзы. Промежуточные линзы кроме дополнительного увеличения применяют также для перевода микроскопа в [c.245]

JEM-IOO (Япония). Просвечивающий электронный микроскоп обеспечивает предельное разрешение 0,14 нм при изображении плоскости кристаллической решетки и 0,3 нм по точкам работает при ускоряющем напряжении до 100 кВ. Дает возможность получать микродифракцию с участка размером до 20 нм. Вместе с приставкой ASID-4D может работать и как сканирующий, при этом достигается более высокое разрешение, чем у предыдущего микроскопа в растрово-просвечивающем режиме 0,15 нм и в режиме вторичной электронной эмиссии 3 нм. [c.147]

Исследование структуры полимеров с помощью злектронных микроскопов можно проводить непосредственно а образцах полимера, приготовленных в виде ультрато,нких срезов, или на специально изготовленных образцах для растровых микроскопов (прямые методы), либо на слепках-репликах с поверхности полимера (косвенные методы). Применение косвенных методов вызвано разрушением полимера в электронном луче, что искажает картину структурного рельефа, роме того, применение косвенного метода позволяет получить высокое разрешение (до 0,3 нм). В то же время косвенные методы трудоемки и требуют специальной подготовки поверхности полимера. [c.111]

В зависимости от способа исследования объектов имеются электронные микроскопы различных типов просвечивающие, отражательные, растровые, эмиссионные (в том числе элект- роннйб проекторы) и теневые. Однако наибольшее распростра- нение получили приборы просвечивающего типа, обладающие (высоким разрешением и наибольшей универсальностью применения. В данной книге рассматривается почти исключительно применение просвечивающей электронной микроскопии. [c.4]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология