Варианты способа Степанова

В первых исследованиях А. В. Степанова с сотрудниками по выращиванию монокристаллов формообразователь изготавливался из материала, не смачиваемого расплавом. Предполагалось, что в таком случае степень загрязнения расплава и, соответственно выращиваемого профилированного кристалла примесями из формообразователя значительно ниже, чем при смачивании материала формообразователя расплавом. С этим сталкиваемся при выращивании полупроводниковых кристаллов, например германия [23]. В то же время было показано, что процесс кристаллизации в ряде случаев технически более удобно вести при наличии смачивания. Такой вариант способа впервые осуществил Гольцман [19] для выращивания различных профилей из иодистого цезия и фтористого лития, а затем А. В. Степанов с сотрудниками [24, 25] — для получения пластин и трубок германия. Этот метод оказался удобным для выращивания кристаллов сапфира разной формы, а также и для других материалов, расплав которых смачивает формообразователь. [c.13]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология